現(xiàn)要測量電源的電動勢E及內(nèi)阻r（E約為6V，r約為1．5Ω）。給出以下器材：量程3V的理想電壓表V，量程0．6A的電流表A（具有一定內(nèi)阻），固定電阻R=8．5Ω，滑線變阻器R′（0―10Ω），開關(guān)S，導(dǎo)線若干。

①利用給出的器材畫出實驗電路原理圖（圖中各元件需用題目中給出的符號或字母標出）。

②實驗中，當電流表讀數(shù)為I1時，電壓表讀數(shù)為U1；當電流表讀數(shù)為I2時，電壓表讀數(shù)為U2。則可以求出E= ，r= 。（用I1，I2，U1，U2及R表示）

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源：2017屆重慶市高三上學(xué)期期中考試物理試卷（解析版） 題型：計算題

如圖所示，一定質(zhì)量的理想氣體被水銀柱封閉在豎直玻璃管內(nèi)，氣柱的長度為h�，F(xiàn)向管內(nèi)緩慢地添加部分水銀，水銀添加完成時，氣柱長度變?yōu)?img src="http://thumb.1010pic.com/pic6/res/GZWL/web/STSource/2018030906032951414397/SYS201803090603457276997998_ST/SYS201803090603457276997998_ST.001.png">。再取相同質(zhì)量的水銀緩慢地添加在管內(nèi)。外界大氣壓強保持不變。

①求第二次水銀添加完成時氣柱的長度。

②若第二次水銀添加完成時氣體溫度為T0，現(xiàn)使氣體溫度緩慢升高，求氣柱長度恢復(fù)到原來長度h時氣體的溫度。

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年河北省高二上月考二物理試卷（解析版） 題型：選擇題

磁卡的詞條中有用于存儲信息的磁極方向不同的磁化區(qū)，刷卡器中有檢測線圈，當以速度v0刷卡時，在線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢．其E﹣t關(guān)系如圖所示．如果只將刷卡速度改為，線圈中的E﹣t關(guān)系可能是（ ）

A． B．

C． D．

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年河北省高二上月考二物理試卷（解析版） 題型：選擇題

關(guān)于電動勢，下列說法正確的是（ ）

A．電動勢數(shù)值上就等于電源正負極之間的電壓

B．所有電源的電動勢都是1．5V

C．體積越大的電源，其電動勢一定越大

D．不同電源的電動勢不同

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年河北省高二上月考二物理試卷（解析版） 題型：選擇題

圖中虛線為一組間距相等的同心圓，圓心處固定一帶正電的點電荷．一帶電粒子以一定初速度射入電場，實線為粒子僅在電場力作用下的運動軌跡，a、b、c三點是實線與虛線的交點．則該粒子（ ）

A. 帶負電

B. 在c點受力最大

C. 在b點的電勢能大于在c點的電勢能

D. 由a點到b點的動能變化大于由b點到c點的動能變化

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年廣東省高二上大考二物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，虛線a、b、c代表電場中的三個等差等勢面，ab的間距大于bc的間距。實線為一帶電的粒子僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運動軌跡，P、M為軌跡上的兩個點，由此可知：

A．粒子在M點受到的電場力比在P點受到的電場力小

B．粒子在P、M兩點間的運動過程，電場力可能做正功

C．粒子在M點的電勢能一定比在P點的電勢能大

D．三個等勢面中，a的電勢一定最高

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年福建省高一12月月考物理試卷（解析版） 題型：計算題

如圖所示，在光滑水平桌面上放有長木板C，在C上左端和距左端x處各放有小物塊A和B，A、B的體積大小可忽略不計，A、B與長木板C間的動摩擦因數(shù)均為μ，A、B、C的質(zhì)量均為m，開始時，B、C靜止，A以某一速度向右做勻減速運動，設(shè)物體B與板C之間的最大靜摩擦力等于滑動摩擦力，已知重力加速度為g，求：

（1）物體A運動過程中，與物塊B碰撞以前，物塊B受到的摩擦力的大小；

（2）要使物塊A、B相碰，物塊A的初速度應(yīng)滿足的條件。

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年福建省高一12月月考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

體育課上一學(xué)生在水平籃球場上拍籃球，如右圖所示，在籃球與地面作用時，地面給籃球的彈力的方向為

A．豎直向上 B．斜右上 C．斜左上 D．豎直向下

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年湖南長沙一中高二上階段物理試卷（解析版） 題型：計算題

霍爾元件可以用來檢測磁場及其變化，測量霍爾元件所處區(qū)域的磁感應(yīng)強度B的實驗電路如圖所示：

（1）制造霍爾元件的半導(dǎo)體參與導(dǎo)電的自由電荷帶負電，電流從乙圖中霍爾元件左側(cè)流入，右側(cè)流出，所測磁場的方向豎直向下，霍爾元件 （填“前”或“后”）表面電勢高；

（2）已知霍爾元件單位體積內(nèi)自由電荷數(shù)為n，每個自由電荷的電荷量為q，霍爾元件長為a，寬為b，高為h，為測量霍爾元件所處區(qū)域的磁感應(yīng)強度B，還必須測量的物理量有 （寫出具體的物理量名稱及其符號），計算式B= 。

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