如圖所示，一平直絕緣斜面足夠長，與水平面的夾角為θ；空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，寬度為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場方向垂直斜面向下；一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動，線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進(jìn)入磁場時速度的1/4，離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離，然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:
（1）線框沿斜面下滑過程中勻速進(jìn)入磁場時的速度v2.
（2）線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

（1）線框在沿斜面下滑勻速進(jìn)入磁場的瞬間有
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解得----------------------2分
（2）由動能定理，線框從離開磁場到滑動到最高點(diǎn)的過程中
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線框從最高點(diǎn)滑下勻速進(jìn)入磁場的瞬間
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由能量守恒定律
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解析

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，一平直絕緣斜面足夠長，與水平面的夾角為θ；空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，寬度為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場方向垂直斜面向下；一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動，線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進(jìn)入磁場時速度的1/4，離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離，然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場．已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ．求：
（1）線框沿斜面下滑過程中勻速進(jìn)入磁場時的速度v2．
（2）線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一平直絕緣斜面足夠長，與水平面的夾角為θ；空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，寬度為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場方向垂直斜面向下；一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動，線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進(jìn)入磁場時速度的1/4，離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離，然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:

（1）線框沿斜面下滑過程中勻速進(jìn)入磁場時的速度v2.

（2）線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一平直絕緣斜面足夠長，與水平面的夾角為θ；空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，寬度為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場方向垂直斜面向下；一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動，線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進(jìn)入磁場時速度的1/4，離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離，然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:

（1）線框沿斜面下滑過程中勻速進(jìn)入磁場時的速度v2.

（2）線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

 

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科目：高中物理 來源：2010-2011學(xué)年黑龍江省高三上學(xué)期期末考試物理試卷 題型：計算題

如圖所示，一平直絕緣斜面足夠長，與水平面的夾角為θ；空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，寬度為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場方向垂直斜面向下；一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動，線框向上滑動離開磁場時的速度剛好是剛進(jìn)入磁場時速度的1/4，離開磁場后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離，然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場.已知正方形線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)為μ.求:

（1）線框沿斜面下滑過程中勻速進(jìn)入磁場時的速度v2.

（2）線框在沿斜面上滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

 

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