A. | 如果圖中虛線是電場線,電子由a點(diǎn)到b點(diǎn),動(dòng)能增大,電勢能減小 | |
B. | 如果圖中虛線是等勢面,電子由a點(diǎn)到b點(diǎn),場強(qiáng)減弱,電場力做負(fù)功 | |
C. | 無論圖中虛線是電場線還是等勢面,電子在a點(diǎn)的加速度都大于b點(diǎn)的加速度 | |
D. | 無論圖中虛線是電場線還是等勢面,a點(diǎn)的電勢都高于b點(diǎn)的電勢 |
分析 電場線與等勢面垂直,電場線密的地方電場的強(qiáng)度大,電場線疏的地方電場的強(qiáng)度小,在等勢面密的地方,電場的強(qiáng)度也是較大,在等勢面疏的地方,電場的強(qiáng)度也是較小,沿電場線的方向,電勢降低.
解答 解:A、若虛線是電場線,電子由a點(diǎn)到b點(diǎn),從軌跡彎曲方向可知電場力沿著電場線向左,ab曲線上每一點(diǎn)的瞬時(shí)速度與電場力方向均成鈍角,故電子做減速運(yùn)動(dòng),動(dòng)能減小,電勢能增大,所以A錯(cuò)誤;
B、若虛線為等勢面,根據(jù)等勢面與電場線處處垂直可大致畫出電場線,顯然可看出曲線上每個(gè)位置電子受到的電場力與速度成銳角,電場力做正功,電子加速運(yùn)動(dòng),但電場強(qiáng)度減小,所以B錯(cuò)誤;
CD、若虛線是電場線,由電場線的密集程度可看出a點(diǎn)的場強(qiáng)較大,由沿著電場線方向電勢越來越低可判斷a處的電勢較高,所以D錯(cuò)誤;若虛線是等勢面,從電子曲線軌跡向下彎曲可知電場線方向垂直虛線向上,沿著電場線方向電勢越來越低,故a點(diǎn)電勢較小,也能判斷D錯(cuò)誤,而等差等勢面密集處電場線也越密集,故a處場強(qiáng)較大,因此無論虛線是電場線還是等勢面,均有a點(diǎn)的場強(qiáng)大于b點(diǎn)的場強(qiáng),那么在a點(diǎn)的加速度都大于b點(diǎn)的加速度,故C正確,故D錯(cuò)誤.
故選:C.
點(diǎn)評(píng) 無論虛線代表的是電場線還是等勢面,粒子受到的電場力的方向都是指向運(yùn)動(dòng)軌跡的彎曲的內(nèi)側(cè),由此可以判斷粒子的受力的方向和運(yùn)動(dòng)方向之間的關(guān)系,從而可以確定電場力對(duì)粒子做的是正功還是負(fù)功.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | C、D兩點(diǎn)的場強(qiáng)相同、電勢相同 | B. | C、D兩點(diǎn)的場強(qiáng)相同、電勢不同 | ||
C. | C、D兩點(diǎn)的場強(qiáng)不同、電勢相同 | D. | C、D兩點(diǎn)的場強(qiáng)不同、電勢不同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{{v}_{0}}{BR}$ | B. | $\frac{{v}_{0}}{2BR}$ | C. | $\frac{\sqrt{3}{v}_{0}}{2BR}$ | D. | $\frac{\sqrt{3}{v}_{0}}{BR}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
F/N | 0 | 0.50 | 1.00 | 1.50 | 2.00 | 2.50 |
l/cm | l0 | 10.97 | 12.02 | 13.00 | 13.98 | 15.05 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 研究張繼科打出的弧旋乒乓球,可把乒乓球看作質(zhì)點(diǎn) | |
B. | 參考系必須選取靜止不動(dòng)的物體 | |
C. | 物體速度變化率越大,加速度越大 | |
D. | 物體若受到彈力,則一定也受到摩擦力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | “6V,3W” | B. | “6V,4W” | C. | “6V,9W” | D. | “6V,16W” |
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