下列說法正確的是
BD
BD

A.根據(jù)麥克斯韋的電磁場理論,在變化的電場周圍一定產(chǎn)生變化的磁場,在變化的磁場周圍一定產(chǎn)生變化電場
B.發(fā)射電磁波的兩個(gè)重要條件是采用高頻和開放性LC電路
C.用標(biāo)準(zhǔn)平面檢查光學(xué)平面的平整程度是利用光的偏振現(xiàn)象
D.當(dāng)物體以較小的速度運(yùn)動(dòng)時(shí),質(zhì)量變化十分微小,經(jīng)典力學(xué)理論仍然適用,只有當(dāng)物體以接近光速運(yùn)動(dòng)時(shí),質(zhì)量變化才明顯,故經(jīng)典力學(xué)適用于低速運(yùn)動(dòng),而不適用于高速運(yùn)動(dòng).
分析:根據(jù)麥克斯韋的電磁場理論,在變化的電場周圍一定產(chǎn)生磁場,在變化的磁場周圍一定產(chǎn)生電場.發(fā)射電磁波的兩個(gè)重要條件是采用高頻和開放性LC電路.用標(biāo)準(zhǔn)平面檢查光學(xué)平面的平整程度是利用光的干涉現(xiàn)象.經(jīng)典力學(xué)適用于低速運(yùn)動(dòng),而不適用于高速運(yùn)動(dòng).
解答:解:
A、根據(jù)麥克斯韋的電磁場理論,在變化的電場周圍一定產(chǎn)生磁場,只有非均勻變化的電場周圍才產(chǎn)生變化的磁場;在變化的磁場周圍一定產(chǎn)生電場,只有非均勻變化的磁場周圍才產(chǎn)生變化的電場.故A錯(cuò)誤.
B、為了提高發(fā)射電磁波的本領(lǐng),是采用高頻和開放性LC電路.故B正確.
C、用標(biāo)準(zhǔn)平面檢查光學(xué)平面的平整程度是利用光的干涉原理,不是利用光的偏振現(xiàn)象.故C錯(cuò)誤.
D、當(dāng)物體以接近光速運(yùn)動(dòng)時(shí),根據(jù)愛因斯坦相對(duì)認(rèn)可知,質(zhì)量變化明顯,所以經(jīng)典力學(xué)適用于低速運(yùn)動(dòng),而不適用于高速運(yùn)動(dòng).故D正確.
故選BD
點(diǎn)評(píng):麥克斯韋的電磁場理論要理解記牢:變化的電場產(chǎn)生磁場,變化的磁場產(chǎn)生電場.經(jīng)典力學(xué)適用于低速運(yùn)動(dòng),而不適用于高速運(yùn)動(dòng);適用于宏觀物體,而不適用于微觀物質(zhì).
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如圖所示,AC、BD為圓的兩條互相垂直的直徑,圓心為O,將等電量的正、負(fù)點(diǎn)電荷放在圓周上BD兩點(diǎn),下列說法正確的是(  )

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精英家教網(wǎng)如圖所示,同一平面內(nèi)的三條平行導(dǎo)線串有兩個(gè)最阻R和r,導(dǎo)體棒PQ與三條導(dǎo)線接觸良好;勻強(qiáng)磁場的方向垂直紙面向里.導(dǎo)體棒的電阻可忽略.當(dāng)導(dǎo)體棒向左滑動(dòng)時(shí),下列說法正確的是(  )

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精英家教網(wǎng)如圖所示,一個(gè)質(zhì)量m=0.5kg的小球(視為質(zhì)點(diǎn))從距B點(diǎn)豎直高度為12m的A點(diǎn),由靜止開始沿光滑弧形軌道AB滑下,接著進(jìn)入半徑R=4m的豎直圓環(huán),當(dāng)?shù)竭_(dá)環(huán)頂C時(shí),剛好對(duì)軌道壓力為零;小球在沿左半環(huán)CB滑下后,再進(jìn)入光滑弧形軌道BD,且到達(dá)D點(diǎn)時(shí)速度為零.g取10m/s2,下列說法正確的是( 。

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精英家教網(wǎng)如圖所示,AC、BD為圓的兩條相互垂直的直徑,圓心為O,半徑為R.E、F為圓周上關(guān)于BD對(duì)稱的兩點(diǎn),∠EOD=30°.將電量均為Q的兩個(gè)異種點(diǎn)電荷分別放在E、F兩點(diǎn),E點(diǎn)放負(fù)電荷.靜電力常量為K,下列說法正確的是( 。
A、電子沿圓弧從B點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn),電場力做功為零
B、電子在A點(diǎn)的電勢能比C點(diǎn)小
C、A點(diǎn)和C點(diǎn)的場強(qiáng)相同
D、O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為
KQ
R2

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,在以0點(diǎn)為圓心、半徑為R的圓中,AC、BD為互相垂直的兩條直徑.電荷量均為Q的正、負(fù)點(diǎn)電荷放在圓周上,它們的位置關(guān)于AC對(duì)稱,+Q與O點(diǎn)的連線和 OC夾角為30°.下列說法正確的是(  )
A、O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為
kQ
R2
,方向由O指向D
B、O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為
3
kQ
R2
,方向由O指向A
C、A點(diǎn)的電勢低于C點(diǎn)的電勢
D、電荷量為q的正電荷在B點(diǎn)的電勢能大于在D點(diǎn)的電勢能

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