如圖所示,兩塊豎直放置的平行金屬板A、B,兩板間距d=0.04m,兩板間的電壓U=400V,板間有一勻強電場.在A、B兩板上端連線的中點Q的正上方,距Q為h=1.25m的P點處有一帶正電小球,已知小球的質(zhì)量m=5×10﹣6kg,電荷量q=5×10﹣8C.設(shè)A、B板足夠長,g取10m/s2.求:
(1)帶正電小球從P點開始由靜止下落,經(jīng)多長時間到達(dá)Q點?
(2)帶正電小球從Q點進(jìn)入電場后,經(jīng)多長時間與金屬板相碰?
(3)相碰時,離金屬板上端的距離多大?
科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年山西省朔州市高二下第一次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,一束電子以大小不同的速率沿圖示方向飛入橫截面為一正方形的勻強磁場區(qū),在從ab邊離開磁場的電子中,下列判斷正確的是( )
A.從b點離開的電子速度最大
B.從b點離開的電子在磁場中運動時間最長
C.從b點離開的電子速度偏轉(zhuǎn)角最大
D.在磁場中運動時間相同的電子,其軌跡線一定重合
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年山西省大同市高一上期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題
兩個共點力大小分別為3N和8N,則這兩個共點力的合力大小可能是( )
A.3N B.6N C.9N D.12N
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年山東省南校區(qū)高三上1月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,三條平行虛線位于紙面內(nèi),中間虛線兩側(cè)有方向垂直于紙面的勻強磁場,磁感應(yīng)強度等大反向.菱形閉合導(dǎo)線框ABCD位于紙面內(nèi)且對角線AC與虛線垂直,磁場寬度與對角線AC長均為d,現(xiàn)使線框沿AC方向勻速穿過一磁場,以逆時針方向為感應(yīng)電流的正方向,則從C點進(jìn)入磁場到A點離開磁場的過程中,線框中電流i隨時間t的變化關(guān)系,以下可能正確的是( )
A. B. C. D.
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年寧夏大學(xué)附中高三上第六次月考物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示,質(zhì)量M=9kg小車B靜止在光滑水平面上,小車右端固定一輕質(zhì)彈簧,質(zhì)量m=0.9kg的木塊A(可視為質(zhì)點)緊靠彈簧放置并處于靜止?fàn)顟B(tài),A與彈簧不栓接,彈簧處于原長狀態(tài).木塊A右側(cè)車上表面光滑,木塊A左側(cè)車表面粗糙,動摩擦因數(shù)μ=0.75.一顆質(zhì)量m0=0.1kg的子彈以v0=100m/s的速度水平向右飛來,瞬間擊中木塊并留在其中.如果最后木塊A剛好不從小車左端掉下來,
求:小車最后的速度及最初木塊A到小車左端的距離.
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年寧夏大學(xué)附中高三上第六次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
用如圖甲所示的電路測定電池的電動勢和內(nèi)阻,根據(jù)測得的數(shù)據(jù)作出了如圖乙所示的U﹣I圖象,由圖可知( )
A.電池電動勢的測量值是1.40V,短路電流為0.40A
B.電池內(nèi)阻的測量值是3.50Ω
C.電源的輸出功率最大為0.49w
D.電壓表的示數(shù)為1.20V時電流表的示數(shù)I′為0.20A
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年內(nèi)蒙古呼倫貝爾大楊樹三中高三上開學(xué)摸底物理試卷(解析版) 題型:計算題
某金屬逸出功是5eV,現(xiàn)在將波長100nm的光照射此金屬的表面.求:
(1)求光電子的最大出動能?
(2)遏止電壓多大?
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年江西省宜春市高三下段考物理試卷(解析版) 題型:計算題
全國著名發(fā)明家鄒德進(jìn)發(fā)明了一種“吸盤式”掛衣鉤,如圖所示.將它緊壓在平整、清潔的豎直瓷磚墻面上時,可掛上衣帽等物品.如果掛衣鉤的吸盤壓緊時,它的圓面直徑為m,吸盤圓面壓在墻上有的面積跟墻面完全接觸,中間未接觸部分間無空氣.已知吸盤面與墻面間的動摩擦因數(shù)為0.5,則這種掛鉤最多能掛多重的物體?(取最大靜摩擦力等于滑動摩擦力,大氣壓強p0=1.0×105Pa.)
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年江西省上饒市高三上第3周練物理試卷(解析版) 題型:選擇題
在建筑裝修中,工人用質(zhì)量為m的磨石對斜壁進(jìn)行打磨,當(dāng)對磨石加豎直向上推力F時,磨石恰好沿斜壁向上勻速運動,已知磨石與斜壁之間的動摩擦因素為μ,則磨石受到的摩擦力是( )
A.(F﹣mg)cosθ B.(mg﹣F)sinθ C.μ(mg﹣F)sinθ D.μ(F﹣mg)cosθ
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