甲乙丙丁四位同學利用下列器材測量電阻R:
A.待測電阻R(阻值約10kΩ)
B.滑動變阻器R1(0~1kΩ)
C.電阻箱R0(99999.9Ω)
D.電流計G(500μA,內(nèi)阻不可忽略)
E.電壓表V(3V,內(nèi)阻約3kΩ)
F.直流電源E(3V,內(nèi)阻不計)
G..開關、導線若干
(1)甲同學設計了如圖a所示的測量電路,請指出他的設計中存在的問題,并改正:
① ;② (指出兩處即可)
(2)乙同學用圖b所示的電路進行實驗。
①請在圖c中用筆畫線代替導線,完成實物電路的連接;
②將滑動變阻器的滑動頭移到 (填“左”或“右”)端,再接通開關S;保持S2斷開,閉合S1,調節(jié)R1使電流計指針偏轉至某一位置,并記下電流I1;
③斷開S1,保持R1不變,閉合S2,調節(jié)R0使得電流計讀數(shù)為 時,R0的讀數(shù)即為待測電阻的阻值。
(3)丙同學查得電流計的內(nèi)阻為Rg,采用圖d進行實驗,改變電阻箱電阻,讀出電流計相應的示數(shù)I,由測得的數(shù)據(jù)作出圖象如圖e所示,圖線縱軸截距為m,斜率為k,則待測電阻R的阻值為 。
科目:高中物理 來源:2015-2016學年山西省高二5月考理科物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,有一臺交流發(fā)電機E,通過理想升壓變壓器T1和理想降壓變壓器T2向遠處用戶供電,輸電線的總電阻為R。T1的輸入電壓和輸入功率分別為U1和P1,它的輸出電壓和輸出功率分別為U2和P2;T2的輸入電壓和輸入功率分別為U3和P3,它的輸出電壓和輸出功率分別為U4和P4。設T1的輸入電壓U1一定,當用戶消耗的電功率變小時,有
A.U2減小,U4變大 B.U2不變,U3變大
C.P1變大,P2變大 D.P2變大,P3變小
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科目:高中物理 來源:2015-2016學年廣東省高二上期末文科物理試卷(解析版) 題型:選擇題
牛頓第二定律的表達式可以寫成m=F合/a,某物體的質量m
A.跟合外力F成正比
B.跟合外力F和加速度a都無關
C.跟它的加速度a成反比
D.跟合外力F成反比,跟它的加速度a成正比
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科目:高中物理 來源:2015-2016學年廣東省高二上期末文科物理試卷(解析版) 題型:選擇題
運動員參加110米欄比賽,11秒末到達終點的速度為12m/s,則全程的平均速度是
A.10m/s B.11m/s C.6m/sD.12m/s
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科目:高中物理 來源:2016年全國普通高考重慶適應性測試3理綜物理試卷(解析版) 題型:選擇題
一簡諧橫波沿x軸正方向傳播,在t=0時刻的波形如圖所示.已知介質中質點P的振動周期為2s,此時P點的縱坐標為(0.5m,2cm),Q點的坐標為(3m,0cm)。則以下說法正確的是 (填正確答案標號,選對一個得2分,選對2個得4分,選對3個得5分.每選錯一個扣3分,最低得分為0分)
A.當時,P點在波峰
B.當時,P點在波峰
C.當時,P點在平衡位置
D.當時,P點在波谷
E.這列波的波速為3m/s
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科目:高中物理 來源:2016年全國普通高考重慶適應性測試3理綜物理試卷(解析版) 題型:選擇題
在如圖所示的豎直平面內(nèi),一個直角三角形金屬線框頂點C與MN重合,在水平線MN的下方有足夠大的勻強磁場,線框由靜止釋放,沿軸線BC方向豎直落入磁場中。忽略空氣阻力,從釋放到線框完全進入磁場過程中,關于線框運動的v-t圖,可能正確的是
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科目:高中物理 來源:2016屆上海市普陀區(qū)高三下學期質量調研物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖,有一個在水平面上固定放置的氣缸,由a、b、c三個粗細不同的同軸絕熱圓筒組成,a、b、c的橫截面積分別為2S、S和3S。已知大氣壓強為p0。兩絕熱活塞A和B用一根長為4l的不可伸長的細線相連,兩活塞之間密封有溫度為T0的空氣,開始時,兩活塞靜止在圖示位置。現(xiàn)對氣體加熱,使其溫度緩慢上升,兩活塞緩慢移動,忽略兩活塞與圓筒之間的摩擦。求:
(1)加熱前被封閉氣體的壓強和細線中的拉力;
(2)氣體溫度上升到多少時,其中一活塞恰好移至其所在圓筒與b圓筒連接處;
(3)氣體溫度上到4T0/3時,封閉氣體的壓強。
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科目:高中物理 來源:2016屆上海市普陀區(qū)高三下學期質量調研物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖,某雜技演員在做手指玩盤子的表演。設該盤的質量為m=0.2kg,手指與盤之間的滑動摩擦因數(shù)μ=0.5,最大靜摩擦等于滑動摩擦,盤底處于水平狀態(tài),且不考慮盤的自轉。下列說法正確的是
A.若手指支撐著盤,使盤保持靜止狀態(tài),則手對盤的摩擦力大小為1N
B.若盤隨手指一起水平向右做勻速運動,則手對盤的摩擦力大小為1N
C.若盤隨手指一起水平向右做勻加速運動,則手對盤的作用力大小為2N
D.若盤隨手指一起水平向右做勻加速運動,則手對盤的作用力大小不可超過2.24N
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科目:高中物理 來源:2016屆山東省臨沂市高三第二次模擬考試理綜物理試卷(解析版) 題型:實驗題
C·S史密斯在1954年對硅和鍺的電阻率與應力變化特性測試中發(fā)現(xiàn),當受到應力作用時電阻率發(fā)生變化.這種由于外力的作用而使材料電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為“壓阻效應”.壓阻效應被用來制成各種壓力、應力、應變、速度、加速度傳感器,把力學量轉換成電信號,半導體壓阻傳感器已經(jīng)廣泛地應用于航空、化工、航海、動力和醫(yī)療等部門.某興趣小組在研究某長薄板電阻Rx的壓阻效應時,找到了下列器材(已知Rx的阻值變化范圍大約為幾歐到幾十歐):
A.電源E(3V,內(nèi)阻約為1)
B.電流表A1(0.6A,內(nèi)阻)
C.電流表A2(0.6A,內(nèi)阻r2約為1)
D.開關S,定值電阻R0
(1)為了比較準確地測量電阻Rx的阻值,請根據(jù)所給器材畫出合理的實物連接圖(部分導線已畫出,電表A1、A2已標出);
(2)在電阻Rx上加一個豎直向下的力F時,閉合開關S,A1的示數(shù)為I1,A2的示數(shù)為I2,則Rx=______(用字母表示);
(3)Rx與壓力F的關系如圖l所示,某次測量時電表A1、A2的示數(shù)分別如圖2、圖3所示,則這時加在薄板電阻Rx上的壓力為_______N.
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