某時(shí)刻LC振蕩電路的狀態(tài)如圖所示，則此時(shí)刻 (　　)．

A．振蕩電流i在減小

B．振蕩電流i在增大

C．電場能正在向磁場能轉(zhuǎn)化

D．磁場能正在向電場能轉(zhuǎn)化

 

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【解析】圖中電容器上極板帶正電荷，圖中給出的振蕩電流方向，說明負(fù)電荷向下極板聚集，所以電容器正在充電．電容器充電的過程中，電流減小，磁場能向電場能轉(zhuǎn)化，所以A、D選項(xiàng)正確．

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：簡諧運(yùn)動2（解析版） 題型：選擇題

關(guān)于振幅的各種說法中，正確的是(　　)．

A．振幅是振子離開平衡位置的最大距離

B．位移是矢量，振幅是標(biāo)量，位移的大小等于振幅

C．振幅等于振子運(yùn)動軌跡的長度

D．振幅越大，表示振動越強(qiáng)，周期越長

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：電磁波譜 電磁波的應(yīng)用1（解析版） 題型：選擇題

太赫茲輻射是指頻率從0.3 THz(1 THz＝1012Hz)，波長介于無線電波中的毫米波與紅外線之間的電磁輻射，輻射所產(chǎn)生的T射線在物體成像、醫(yī)療診斷、環(huán)境檢測、通訊等方面具有廣闊的應(yīng)用前景．最近，科學(xué)家終于研制出以紅外線激光器為基礎(chǔ)的首臺可產(chǎn)生4.4 THz的T射線激光器，從而使T射線的有效利用成為現(xiàn)實(shí)．如圖所示，關(guān)于4.4 THz的T射線下列說法中正確的是(　　)．

A．它的波長比可見光短

B．它是原子內(nèi)層電子受激發(fā)產(chǎn)生的

C．與紅外線相比，T射線更容易發(fā)生衍射現(xiàn)象

D．與X射線相比，T射線更容易表現(xiàn)出粒子性

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：電磁振蕩2（解析版） 題型：選擇題

在如圖所示的LC振蕩電路中，當(dāng)線圈兩端M、N間電壓為零時(shí)，列對電路情況的敘述正確的是 (　　)．

A．電路中電流最大

B．線圈內(nèi)磁場能為零

C．電容器極板上電量最多

D．電容器極板間場強(qiáng)為零

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：電磁振蕩1（解析版） 題型：選擇題

把一根軟鐵棒插入LC振蕩電路的空心線圈中，其他條件保持不變，則電路的 (　　)．

A．固有頻率變大 B．固有周期變大

C．磁場能增加 D．最大電壓增大

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：電磁場和電磁波2（解析版） 題型：選擇題

按照麥克斯韋的電磁場理論，以下說法中正確的是(　　)．

A．恒定的電場周圍產(chǎn)生恒定的磁場，恒定的磁場周圍產(chǎn)生恒定的電場

B．變化的電場周圍產(chǎn)生磁場，變化的磁場周圍產(chǎn)生電場

C．均勻變化的電場周圍產(chǎn)生均勻變化的磁場，均勻變化的磁場周圍產(chǎn)生均勻變化的電場

D．均勻變化的電場周圍產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場，均勻變化的磁場周圍產(chǎn)生穩(wěn)定的電場

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：電磁場和電磁波1（解析版） 題型：選擇題

關(guān)于電磁波傳播速度表達(dá)式v＝λf，下述結(jié)論中正確的是(　　)．

A．波長越長，傳播速度就越大

B．頻率越高，傳播速度就越小

C．發(fā)射能量越大，傳播速度就越大

D．電磁波的傳播速度與傳播介質(zhì)有關(guān)

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：波速與波長、頻率的關(guān)系1（解析版） 題型：選擇題

用手握住較長軟繩的一端連續(xù)上下抖動，形成一列簡諧橫波．某一時(shí)刻的波形如圖所示，繩上a、b兩質(zhì)點(diǎn)均處于波峰位置．下列說法正確的是(　　)．

A．a、b兩點(diǎn)之間的距離為半個(gè)波長

B．a、b兩點(diǎn)振動開始時(shí)刻相差半個(gè)周期

C．b點(diǎn)完成全振動次數(shù)比a點(diǎn)多一次

D．b點(diǎn)完成全振動次數(shù)比a點(diǎn)少一次

 

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科目：高中物理 來源：2015屆高二物理每課一練：波的圖象1（解析版） 題型：選擇題

關(guān)于波的圖像的物理意義，下列說法中正確的是(　　)．

A．表示某一時(shí)刻某一質(zhì)點(diǎn)的位移

B．表示各個(gè)時(shí)刻某一質(zhì)點(diǎn)的位移

C．表示某一時(shí)刻各個(gè)質(zhì)點(diǎn)的位移

D．表示各個(gè)時(shí)刻各個(gè)質(zhì)點(diǎn)的位移

 

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