20．甲、乙兩小球的質(zhì)量分別為0.1kg和0.2kg，若他們?cè)谕坏攸c(diǎn)從同一高度同時(shí)的自由下落，不考慮空氣阻力，則下列說法正確的是（　�。�
A．乙比甲先落地B．甲、乙一定同時(shí)落地
C．乙的加速度比甲的大D．甲球落地時(shí)的速度比乙的大

分析 根據(jù)高度，結(jié)合位移時(shí)間公式比較運(yùn)動(dòng)的時(shí)間，根據(jù)速度位移公式比較落地的速度．

解答 解：A、根據(jù)t=$\sqrt{\frac{2h}{g}}$知，高度相同，則甲乙兩球的運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同，可知甲乙一定同時(shí)落地，故B正確，A錯(cuò)誤．
C、自由落體運(yùn)動(dòng)的加速度相同，都為g，故C錯(cuò)誤．
D、根據(jù)v=$\sqrt{2gh}$知，兩球落地的速度相同，故D錯(cuò)誤．
故選：B．

點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵知道自由落體運(yùn)動(dòng)的時(shí)間由高度決定，與質(zhì)量無關(guān)，基礎(chǔ)題．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

10．沿著高度相同，坡度不同，粗糙程度也不同的斜面向上拉同一物體到頂端，下列說法中正確的是（　　）
A．沿坡度小、長(zhǎng)度大的斜面上升克服重力做的功多
B．沿坡度大、粗糙程度大的斜面上升克服重力做的功多
C．沿坡度大、粗糙程度大的斜面上升克服重力做的功少
D．上述幾種情況重力做功同樣多

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

11．下列說法正確的是（　�。�
A．第一宇宙速度是人造衛(wèi)星環(huán)繞地球運(yùn)動(dòng)的速度
B．第一宇宙速度是人造衛(wèi)星在地面附近繞地球做勻速圓周運(yùn)動(dòng)所必須具有的速度
C．如果需要，地球同步通訊衛(wèi)星可以定點(diǎn)在地球上空的任何一點(diǎn)
D．地球同步通訊衛(wèi)星的軌道可以是圓的也可以是橢圓的
E．環(huán)繞地球運(yùn)轉(zhuǎn)的人造地球衛(wèi)星，軌道半徑越大，速度越大，周期越短

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

8．下列物體的運(yùn)動(dòng)是自由落體運(yùn)動(dòng)的是（　�。�
A．樹上脫落的黃葉B．在空氣中由靜止釋放的空心鐵球
C．在空氣中由靜止釋放的實(shí)心木球D．在真空中由靜止釋放的羽毛

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

15．已知如圖，R1=6Ω，R2=3Ω，R3=4Ω，則接入電路后這三只電阻的實(shí)際功率之比為多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

5．試判斷下面的幾個(gè)速度中是瞬時(shí)速度的是（　�。�
A．聲音在空氣中以340m/s的速度傳播B．運(yùn)動(dòng)員通過終點(diǎn)時(shí)速度是10m/s
C．子彈以800m/s的速度擊中目標(biāo)D．光在真空中的傳播速度是3*108m/s

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

12．如圖，一輕質(zhì)彈簧一端固定、另一端與質(zhì)量為M的小滑塊連接，開始時(shí)滑塊靜止在水平導(dǎo)軌的O點(diǎn)，彈簧處于原長(zhǎng)狀態(tài)．導(dǎo)軌的OA段是粗糙的，其余部分都是光滑的．有一質(zhì)量為m的子彈以大小為v的速度水平向右射入滑塊，并很快停留在滑塊中．之后，滑塊先向右滑行并越過A點(diǎn)，然后再向左滑行，最后恰好停在出發(fā)點(diǎn)O處．
（1）求滑塊滑行過程中彈簧彈性勢(shì)能的最大值．
（2）滑塊停在O點(diǎn)后，另一質(zhì)量也為m的子彈以另一速度水平向右射入滑塊并很快停留在滑塊中，此后滑塊滑行過程先后有兩次經(jīng)過O點(diǎn)．求第二顆子彈入射前的速度u的大小在什么范圍內(nèi)？

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

9．如圖所示，理想變壓器的原、副線圈匝數(shù)之比為10：1，R1=20Ω，R2=10Ω，C為電容器，原線圈所加電壓u=220$\sqrt{2}$sin100πt（V）．下列說法正確的是（　�。�
A．通過電阻R3的電流始終為零
B．副線圈兩端交變電壓的頻率為100Hz
C．電阻R2的電功率為48.4W
D．原、副線圈鐵芯中磁通量變化率之比為10：1

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科目：高中物理 來源： 題型：填空題

10．根據(jù)試探電荷的電勢(shì)能來判斷電場(chǎng)中兩點(diǎn)的電勢(shì)的高低，若+q在A點(diǎn)的電勢(shì)能比在B點(diǎn)的大，則電勢(shì)φA比電勢(shì)φB高（填“高”或“低”），若-q在C點(diǎn)的電勢(shì)能比在D點(diǎn)的大，則電勢(shì)φC比電勢(shì)φD低（填“高”或“低”）．

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