(12分)如圖所示,在第一象限有一勻強電場,場強大小為E,方向與y軸平行;在x軸下方有一勻強磁場,磁場方向與紙面垂直.一質(zhì)量為m、電荷量為-q(q>0)的粒子,某時刻以平行于x軸的速度從y軸上的P點處射入電場,在x軸上的Q點處進入磁場,并從坐標原點O離開磁場,粒子在磁場中的運動軌跡與y軸交于M點.已知OP=l,,不計重力,求:

(1)M點與坐標原點的距離;
(2)粒子從P點運動到M點所用的時間.
(1) 6l (2)

試題分析:(1)帶電粒子在電場中做類平拋運動,在磁場中做勻速圓周運動,由于OMQ三點均在運動軌跡上,且∠MOQ=90°,故QM為直徑,帶電粒子在電磁場中的運動軌跡如圖所示;(3分)

粒子以速度v進入磁場,方向與x軸正向夾角為θ,由“平拋運動末速度反向延長線與水平位移的交點為水平位移的中點”這一規(guī)律可知θ=30°(2分),故∠OQM=60°,OM=OQtan60°=6l.(1分)
(2)設帶電粒子從P點到Q點所需時間為t1,從Q點到M點所需時間為t2,則:
       ①
     ②
聯(lián)立①②兩式,有(2分)
        ③(1分)
       ④
      ⑤
聯(lián)立③④⑤三式,有(2分)
(1分)
點評:難度較大,對于粒子在交替復合場中的運動,把整個過程分為電場和磁場兩個分運動獨立分析,交界處的位置和速度方向、大小是關鍵
練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

(16分)如圖甲所示,兩水平放置的平行金屬板A、B的板長,板間距離d=0.10m,在金屬板右側(cè)有一范圍足夠大,方向垂直于紙面向里的勻強磁場,磁感應強度B=1.0×10-2T,其左邊界為y軸.在t=0時刻,兩金屬板間加如圖乙所示的正弦交變電壓.現(xiàn)從t=0開始,位于極板左側(cè)的粒子源沿x軸向右以1000個/秒的數(shù)量連續(xù)均勻發(fā)射帶正電的粒子,粒子均以的初速度沿x軸進入電場,經(jīng)電場后部分粒子射入磁場.已知帶電粒子的比荷,粒子通過電場區(qū)域的極短時間內(nèi),極板間的電壓可以看作不變,不計粒子重力,不考慮極板邊緣及粒子間相互影響.試求:

(1)t=0時刻進入的粒子,經(jīng)邊界y軸射入磁場和射出磁場時兩點間的距離;
(2)每秒鐘有多少個粒子進入磁場;
(3)何時刻由粒子源進入的帶電粒子在磁場中運動時間最長,求最長時間tm(π≈3).

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

一帶電小球M在相互垂直的勻強電場、勻強磁場中作勻速圓周運動,勻強電場豎直向上,勻強磁場水平且垂直紙面向里,如圖所示,下列說法正確的是(  )
A.小球一定帶負電
B.由于洛倫茲力不做功,故小球在運動過程中機械能守恒
C.由于合外力做功等于零,故小球在運動過程中動能不變
D.沿垂直紙面方向向里看,小球的繞行方向既可以是順時針也可以是逆時針方向

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示是粒子速度選擇器的原理圖, 如果粒子的重力不計,所具有的速率
v=E/B,那么有(    )
A.帶正電粒子必須沿ab方向從左側(cè)進入場區(qū),才能沿直線通過 
B.帶負電粒子必須沿ba方向從右側(cè)進入場區(qū),才能沿直線通過
C.不論粒子電性如何,沿ab方向從左側(cè)進入場區(qū),都能沿直線通過
D.不論粒子電性如何,沿ba方向從右側(cè)進入場區(qū),都能沿直線通過

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

(12分)如圖所示,在平面直角坐標系xOy內(nèi),第二、三象限內(nèi)存在沿y軸正方向的勻強電場,第一、四象限內(nèi)存在半徑為L的圓形勻強磁場,磁場方向垂直于坐標平面向外。一個比荷()為K的帶正電的粒子從第三象限中的Q(-2L,-L)點以速度v0沿x軸正方向射出,恰好從坐標原點O進入磁場,從P(2L,0)點射出磁場。不計粒子重力,求:

(1)電場強度E
(2)從P點射出時速度的大小
(3)粒子在磁場與電場中運動時間之比

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

在xoy 平面第Ⅰ、Ⅱ象限中,存在沿y軸負方向的勻強電場,場強為E=,在第Ⅲ、Ⅳ象限中,存在垂直于xoy平面方向如圖所示的勻強磁場,磁感應強度B2 =" 2" B1 =" 2" B ,帶電粒子a、b先后從第Ⅰ、Ⅱ象限的P、Q兩點(圖中沒有標出)由靜止釋放,結(jié)果兩粒子同時進入勻強磁場B1、B2中,再經(jīng)過時間t第一次經(jīng)過y軸時恰在點M(0,-)處發(fā)生正碰(即碰前兩粒子速度方向相反),碰撞前帶電粒子b的速度方向與y 軸正方向成60°角,不計粒子重力和兩粒子間相互作用。求:

(1)兩帶電粒子的比荷及在磁場中運動的軌道半徑;
(2)帶電粒子釋放的位置P、Q兩點坐標及釋放的時間差。

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

霍爾效應廣泛應用于半導體材料的測試和研究中,例如應用霍爾效應測試半導體是電子型還是空穴型,研究半導體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應實驗中,如圖所示,寬為cm,長為4cm,厚為cm的導體,沿方向通有3A的電流,當磁感應強度的勻強磁場垂直向里穿過平面時,產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導體內(nèi)定向移動的自由電荷是電子),則下列說法正確的是
A.在導體的前表面聚集自由電子,電子定向移動的速率
B.在導體的上表面聚集自由電子,電子定向移動的速率
C.在其它條件不變的情況下,增大的長度,可增大霍爾電壓
D.每立方米的自由電子數(shù)為

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

在如下勻強電場和勻強磁場共存的區(qū)域內(nèi),帶正電的粒子(不計重力)不可能沿x軸正方向做直線運動的是(       )

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在一條電場線上有A、B兩點,若從A點由靜止釋放一電子,假設電子僅受電場力作用,電子從A點運動到B點的速度-時間圖像如圖乙所示,則(    )

A. 電子在A、B兩點受的電場力  
B.A、B兩點的電場強度相同
C.A、B兩點的電勢
D.電子在A、B兩點具有的電勢能

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