在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,M點(diǎn)為ON連線的中點(diǎn),規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零.則在+Q形成的電場(chǎng)中( 。
分析:解答本題應(yīng)抓。篗、P兩點(diǎn)的電勢(shì)相等;
由真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度公式E=k
Q
r2
,分析P點(diǎn)與N點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小關(guān)系;
根據(jù)動(dòng)能定理研究電荷由N到P的過程,求解N點(diǎn)的電勢(shì);
由EP=-qφN求出檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢(shì)能.
解答:解:A、M、P兩點(diǎn)到+Q的距離,處于同一等勢(shì)面上,電勢(shì)相等,故A正確.
B、根據(jù)動(dòng)能定理得:檢驗(yàn)電荷由N到P的過程:-q(φNP)=
1
2
mv2
,由題,P點(diǎn)的電勢(shì)為零,即φP=0,解得,N點(diǎn)的電勢(shì)φN=-
mv2
2q
.故B正確.
C、P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是EP=k
Q
r
2
P
,N點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是EN=k
Q
r
2
N
,則EP:EN=
r
2
N
r
2
P
=(2rP2
r
2
P
=4:1.故C錯(cuò)誤.
D、檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢(shì)能為EN=-qφN=
1
2
mv2
.故D錯(cuò)誤.
故選AB
點(diǎn)評(píng):本題關(guān)鍵要掌握電場(chǎng)線方向與電勢(shì)高低的關(guān)系,即順著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低,以及點(diǎn)電荷場(chǎng)強(qiáng)公式E=k
Q
r2
、電勢(shì)能公式EP=-qφ.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?浙江模擬)在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零.則在+Q形成的電場(chǎng)中(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定一個(gè)電荷量為+Q的點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零.則在+Q形成的電場(chǎng)中( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零.則在+Q形成的電場(chǎng)中( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定一個(gè)電荷量為+Q的點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,
(1)該過程中電場(chǎng)力做功為多少?
(2)規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零.在+Q形成的電場(chǎng)中N點(diǎn)的電勢(shì)是多少?

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