A. | 粒子的速率為$\frac{2qBa}{m}$ | |
B. | 粒子在磁場中運(yùn)動的時間為$\frac{πm}{3qB}$ | |
C. | 若只改變粒子速度方向,使θ角能在0°至180°間不斷變化,則粒子在磁場中運(yùn)動的最長時間為$\frac{2πm}{3qB}$ | |
D. | 若只改變粒子速度方向,使θ角能在0°至180°間不斷變化,則PQ邊界上有粒子射出的區(qū)間長度為2$\sqrt{3}$a |
分析 根據(jù)幾何關(guān)系,由θ=60°時出射方向求得粒子運(yùn)動半徑,進(jìn)而求得速率、周期進(jìn)而求得運(yùn)動時間;再根據(jù)θ的變化,由半徑根據(jù)幾何關(guān)系分析粒子運(yùn)動情況,得到PQ邊界上有粒子射出的區(qū)間長度及粒子在磁場中運(yùn)動的最長時間的情況,進(jìn)而求得時間.
解答 解:根據(jù)左手定則,由粒子帶負(fù)電即磁場方向可知粒子所受洛倫茲力的方向為速度的方向右偏90°.
A、當(dāng)速度方向與OM夾角θ=60°時,粒子恰好垂直PQ方向射出磁場,
,
所以,粒子運(yùn)動的半徑$R=\frac{a}{sin30°}=2a$.
由粒子在磁場中運(yùn)動,洛倫茲力作向心力可得,$Bvq=\frac{m{v}^{2}}{R}$,所以,$v=\frac{BqR}{m}=\frac{2Bqa}{m}$,故A正確;
B、粒子在磁場中運(yùn)動的周期$T=\frac{2πR}{v}=\frac{4πa}{\frac{2Bqa}{m}}=\frac{2πm}{Bq}$,則粒子在磁場中運(yùn)動的時間${t}_{1}=\frac{30°}{360°}T=\frac{1}{12}×\frac{2πm}{Bq}=\frac{πm}{6Bq}$,故B錯誤;
D、當(dāng)θ=0°時,如圖所示,
,
可知粒子打在PQ上的位置為O點水平線上方$\sqrt{3}a$處;
當(dāng)θ增大時,粒子打在PQ上的位置下移,知道粒子的運(yùn)動軌跡與PQ相切時,如圖所示,
可知粒子打在PQ上的位置為O點水平線下方$\sqrt{3}a$處;
當(dāng)θ繼續(xù)增大直到180°,粒子的運(yùn)動軌跡與PQ不相交,直接從MN上射出,且在MN上的出射點不斷上移直到O點,所以,若只改變粒子速度方向,使θ角能在0°至180°間不斷變化,則PQ邊界上有粒子射出的區(qū)間長度為$2\sqrt{3}a$,故D正確;
C、若只改變粒子速度方向,使θ角能在0°至180°間不斷變化,則粒子運(yùn)動半徑不變,那么粒子運(yùn)動周期不變,所以,粒子在磁場中運(yùn)動的軌跡所對應(yīng)的弦長越長,則粒子在磁場中運(yùn)動的越長,由D的分析可知,當(dāng)粒子的出射點在PQ上時,粒子的弦長可取[a,2a]的任意值;當(dāng)粒子的出射點在MN上時,粒子的弦長可取$[0,2\sqrt{3}a]$的任意值;
所以,粒子運(yùn)動軌跡的弦長最大可取$2\sqrt{3}a$,此時對應(yīng)的中心角φ=120°,所以,粒子在磁場中運(yùn)動的最長時間${t}_{2}=\frac{120°}{360°}T=\frac{1}{3}T=\frac{1}{3}×\frac{2πm}{Bq}=\frac{2πm}{3Bq}$,故C正確.
故選:ACD.
點評 在粒子在磁場中的運(yùn)動問題上,常用幾何關(guān)系求解半徑,并根據(jù)幾何關(guān)系分析不同入射角的運(yùn)動情況.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 人和車組成的系統(tǒng)動量不守恒 | B. | 人和車組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒 | ||
C. | 人行車行,人停車停 | D. | 人和車的速度方向相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t1時刻車速更大 | |
B. | 0~t1的時間內(nèi)加速度更小 | |
C. | 加速度總比不啟用ABS時大 | |
D. | 剎車后前行的距離比不啟用ABS更短 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 光電子的最大初動能相同 | |
B. | 飽和光電流一定不同 | |
C. | 因為材料不同逸出功不同,所以遏止電壓UC不同 | |
D. | 分別用不同頻率的光照射之后繪制UC-v圖象的斜率可能不同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線圈中感應(yīng)電流沿順時針方向 | B. | 線圈中感應(yīng)電動勢大小為BLv | ||
C. | 通過線圈截面的電荷量為$\frac{2\sqrt{3}B{L}^{2}}{3R}$ | D. | 克服安培力做的功為$\frac{4{B}^{2}{L}^{3}v}{3R}$ |
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