A. | 質(zhì)點在板間運動的過程中與它從板的右端運動到光屏的過程中速度變化相同 | |
B. | 板間電場強度大小為$\frac{2mg}{q}$ | |
C. | 若僅將滑片P向下滑動一段后,再讓該質(zhì)點從N點以水平速度v0射入板間,質(zhì)點依然會垂直打在光屏上 | |
D. | 若僅將兩平行板的間距變大一些,再讓該質(zhì)點從N點以水平速度v0射入板間,質(zhì)點依然會垂直打在光屏上 |
分析 質(zhì)點先在電場和重力場的復合場中做類平拋運動,要垂直打在M屏上,離開出場后,質(zhì)點一定打在光屏的上方,做斜上拋運動.質(zhì)點從離開電場后到垂直打在M屏上過程是平拋運動的逆運動,采用運動的分解方法可知,分析質(zhì)點類平拋運動與斜上拋的關系,確定加速度關系,求出板間場強.
解答 解:A、質(zhì)點先在水平放置的兩平行金屬板間做類平拋運動,要垂直打在M屏上,離開電場后,質(zhì)點一定打在屏的上方,做斜上拋運動.否則,質(zhì)點離開電場后軌跡向下彎曲,質(zhì)點不可能垂直打在M板上.質(zhì)點在板間的類平拋運動和離開電場后的斜上拋運動,水平方向都不受外力,都做勻速直線運動,速度都等于v0,而且v0方向水平,質(zhì)點垂直打在M板上時速度也水平,根據(jù)質(zhì)點的軌跡彎曲方向可知兩個過程質(zhì)點的合力方向相反,加速度方向相反,則速度變化量方向相反.故A錯誤.
B、質(zhì)點的軌跡如圖虛線所示,設質(zhì)點在板間運動的過程中加速度大小為a,則有
質(zhì)點離開電場時豎直分速度大小為 vy=at1=$\frac{qE-mg}{m}$•$\frac{l}{{v}_{0}}$
質(zhì)點離開電場后運動過程其逆過程是平拋運動,則 vy=gt2=g•$\frac{2l}{{v}_{0}}$
聯(lián)立解得 E=$\frac{3mg}{q}$,故B錯誤.
C、若僅將滑片P向下滑動一段后,R的電壓減小,電容器的電壓要減小,電量要減小,由于二極管具有單向?qū)щ娦,所以電容器不能放電,電量不變,板間電壓不變,所以質(zhì)點的運動情況不變,再讓該質(zhì)點從N點以水平速度v0射入板間,質(zhì)點依然會垂直打在光屏上,故C正確.
D、若僅將兩平行板的間距變大一些,電容器電容減小,由C=$\frac{Q}{U}$知U不變,電量要減小,但由于二極管具有單向?qū)щ娦裕噪娙萜鞑荒芊烹,電量不變,根?jù)推論可知板間電場強度不變,所以質(zhì)點的運動情況不變,再讓該質(zhì)點從N點以水平速度v0射入板間,質(zhì)點依然會垂直打在光屏上,故D正確.
故選:CD.
點評 本題關鍵抓住兩個運動軌跡的特點,巧用逆向思維分析電場外質(zhì)點的運動情況.要知道運動的合成與分解是研究曲線運動的常用方法,要靈活運用.
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 導線框下邊剛要進磁場時,導線框中電流沿逆時針方向(從紙面外向里看),大小為$\frac{3mg}{5Ba}$ | |
B. | 導線框上邊剛要進磁場時,導線框速度大小為$\frac{mgR}{{B}^{2}a}$ | |
C. | 導線框進入磁場的過程中,導線框中產(chǎn)生的焦耳熱為mgb-$\frac{2{1}^{3}{g}^{2}{R}^{2}}{50{B}^{4}{a}^{4}}$ | |
D. | 導線框進入磁場的過程中,通導線框的總電荷量為$\frac{Bab}{2R}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體B的加速度大小為g | B. | 物體C的加速度大小為2g | ||
C. | 吊籃A的加速度大小為3g | D. | A、C間的彈力大小為0.5mg |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{L}3bqq9b2$g | B. | $\frac{L}{d-L}$g | C. | $\frac{dL}wueddm8$g | D. | $\fraceafnpcu{dL}$g |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 金屬板M電勢不一定高于金屬板N的電勢,因為污水中負離子較多 | |
B. | 污水中離子濃度的高低對電壓表的示數(shù)也有一定影響 | |
C. | 污水的流量(單位時間內(nèi)流出的污水體積)Q=0.16m3/s | |
D. | 為使污水勻速通過該裝置,左、右兩側(cè)管口應施加的壓強差為△P=1500Pa |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體的溫度升高,所有分子的熱運動能都會增大 | |
B. | 當分子間作用力表現(xiàn)為斥力時,分子勢能隨分子間距離的減少而增大 | |
C. | 在真空、高溫條件下,可以利用分子擴散向半導體材料中摻入其它元素 | |
D. | 布朗運動就是液體分子的熱運動 | |
E. | 晶體吸收熱量,分子平均動能不一定增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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