18.如圖所示,表面絕緣、傾角θ=37°的粗糙斜面固定在水平地面上,斜面的頂端固定有彈性擋板,擋板垂直于斜面,并與斜面底邊平行.斜面所在空間有一寬度L=0.4m的勻強磁場區(qū)域,其邊界與斜面底邊平行,磁場方向垂直斜面向上,磁場上邊界到擋板的距離s=$\frac{11}{15}$m,一個質(zhì)量m=0.2kg、總電阻R=2.5Ω的單匝正方形閉合金屬框abcd,其邊長L=0.4m,放在斜面的底端,其中ab邊與斜面底邊重合.線框在垂直cd邊沿斜面向上大小恒定的拉力F作用下,從靜止開始運動,經(jīng)t=0.5s線框的cd邊到達磁場的下邊界,此時線框的速度v1=3m/s,此后線框勻速通過磁場區(qū)域,當(dāng)線框ab的邊離開磁場區(qū)域時撤去拉力,線框繼續(xù)向上運動,并與擋板發(fā)生碰撞,碰后線框等速反彈.已知線框在整個運動過程中始終未脫離斜面,且保持ab邊與斜面底邊平行,線框與斜面之間的動摩擦因數(shù)μ=$\frac{3}{4}$,重力加速度g=10m/s2,sin37°=0.6,cos37°=0.8求:
(1)線框受到的恒定拉力F的大小;
(2)勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小;
(3)若線框向下運動過程中最后靜止在磁場中的某位置,求線框在斜面上運動的整個過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

分析 (1)線框進入磁場前做勻加速直線運動,已知時間和初末速度,由運動學(xué)公式求出加速度,由牛頓第二定律求解拉力F的大小;
(2)線框進入磁場區(qū)域后做勻速直線運動,推導(dǎo)出安培力表達式,由平衡條件求解磁感應(yīng)強度B的大小;
(3)線框進入磁場區(qū)域后做勻速直線運動,并以速度v1勻速穿出磁場,線框ab邊離開磁場后向上做勻減速直線運動,到達檔板時的位移為s-L,根據(jù)動能定理求出線框與擋板碰撞前的速度,線框碰檔板后速度大小不變.分析線框向下運動的過程:線框下滑過程中,由于重力沿斜面方向的分力與滑動摩擦力大小相等,線框與擋板碰撞后向下做勻速運動,abab邊剛進入磁場時的速度為v2=1.0 m/s;進入磁場后因為又受到安培力作用而減速,做加速度逐漸變小的減速運動,根據(jù)焦耳定律求出線框向上運動通過磁場區(qū)域產(chǎn)生的焦耳熱,根據(jù)能量守恒定律求出線框向下運動進入磁場的過程中產(chǎn)生的焦耳熱.

解答 解:(1)線框進入磁場前做勻加速直線運動,加速度為
  a=$\frac{{v}_{1}}{t}$=$\frac{3}{0.5}$=6m/s2;
由牛頓第二定律得  F-mgsinθ-μmgcosθ=ma
解得 F=3.6N
(2)線框進入磁場區(qū)域后以速度v1做勻速直線運動,則
產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢 E=BLv1
通過線框的電流 I=$\frac{E}{R}$=$\frac{BL{v}_{1}}{R}$
線框所受安培力 F=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}_{1}}{R}$
對于線框勻速運動的過程,由力的平衡條件,有
  F=mgsinθ+μmgcosθ+F
解得 B=2.5T
(3)線框ab邊離開磁場后向上做勻減速直線運動,到達檔板時的位移為 x=s-L=$\frac{1}{3}$m
設(shè)線框與擋板碰撞前的速度為v2
此過程,由動能定理,有-mgxsinθ-μmgxcosθ=$\frac{1}{2}m{v}_{2}^{2}$-$\frac{1}{2}m{v}_{1}^{2}$
解得 v2=1m/s
因為μ=tan37°=$\frac{3}{4}$,mgsinθ=μmgcosθ,重力沿斜面方向的分力與滑動摩擦力大小相等,所以線框碰檔板后向下勻速運動,速度大小仍為v2,進入磁場后做減速運動,最后靜止在磁場中的某個位置.
線框向上運動通過磁場區(qū)域產(chǎn)生的焦耳熱 Q1=I2Rt=$(\frac{BL{v}_{1}}{R})^{2}$•R•$\frac{2L}{{v}_{1}}$=0.96J
線框向下運動進入磁場的過程中產(chǎn)生的焦耳熱 Q2=$\frac{1}{2}m{v}_{2}^{2}$=0.1J
所以線框在整個過程產(chǎn)生的總的焦耳熱為 Q=Q1+Q2=1.06J
答:
(1)線框受到的拉力F的大小是3.6N;
(2)勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小是2.5T;
(3)線框在斜面上運動的整個過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q是1.06J.

點評 分析線框的運動過程,要熟練運用平衡條件、牛頓第二定律、動能定理等力學(xué)規(guī)律處理電磁感應(yīng)規(guī)律,綜合性較強.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:多選題

8.下列說法正確的是( 。
A.一群處于n=4能級的氫原子向低能級躍遷時能輻射出四種不同頻率的光子
B.輕核的聚變過程有質(zhì)量虧損,釋放的核能可由愛因斯坦質(zhì)量方程(△E=△mc2)計算
C.${\;}_{92}^{238}$U→${\;}_{90}^{234}$Th+${\;}_{2}^{4}$He是α衰變方程,目前核電站發(fā)電是利用這種核反應(yīng)釋放的核能轉(zhuǎn)化為電能的
D.${\;}_{92}^{235}$U+${\;}_{0}^{1}$n→${\;}_{54}^{140}$Xe+${\;}_{38}^{94}$Sr+d${\;}_{0}^{1}$n,式中d=2,目前核電站發(fā)電是利用這種核反應(yīng)釋放的核能轉(zhuǎn)化為電能的

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9.如圖所示,一長為L=0.64m的絕緣平板PR固定在水平地面上,擋板只固定在平板右端.整個空間有一平行于PR的勻強電場E,在板的右半部分有一垂直紙面向里的勻強磁場B,磁場寬度d=0.32m.一質(zhì)量m=O.50×10-3kg、電荷量q=5.0×l0-2C的小物體,從板的P端由靜止開始向右做勻加速運動,從D點進入磁場后恰能做勻速直線運動,碰到擋板R 后被彈回,若在碰撞瞬間撤去電場(不計撤掉電場對原磁場的影響),則物體返回時在磁場中仍做勻速運動,離開磁場后做減速運動且停在C點,PC=$\frac{L}{4}$,物體與平板間的動摩擦因數(shù)μ=0.20,g取10m/s2
(1)求磁感應(yīng)強度B的大;
(2)求物體與擋板碰撞過程中損失的機械能.

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6.為了測量某化工廠的污水排放量,技術(shù)人員在該廠的排污管末端安裝了如圖所示的流量計,該裝置由絕緣材料制成,長、寬、高分別為a=1m、b=0.2m、c=0.2m,左、右兩端開口,在垂直于前、后面的方向加磁感應(yīng)強度為B=1.25T的勻強磁場,在上、下兩個面的內(nèi)側(cè)固定有金屬板M、N作為電極,污水充滿裝置以某一速度從左向右勻速流經(jīng)該裝置時,測得兩個電極間的電壓U=1V.且污水流過該裝置時受到阻力作用,阻力f=kLv,其中比例系數(shù)k=15Ns/m2,L為污水沿流速方向的長度,v為污水的流速.下列說法中正確的是(  )
A.金屬板M電勢不一定高于金屬板N的電勢,因為污水中負離子較多
B.污水中離子濃度的高低對電壓表的示數(shù)也有一定影響
C.污水的流量(單位時間內(nèi)流出的污水體積)Q=0.16m3/s
D.為使污水勻速通過該裝置,左、右兩側(cè)管口應(yīng)施加的壓強差為△P=1500Pa

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13.如圖所示,扇形AOB為透明柱狀介質(zhì)的橫截面,圓心角∠AOB=60°,兩束平行于角平分線OM的單色光a和b由OA面射入介質(zhì),經(jīng)OA面折射的光線都相交于M點,其中a光的折射光線恰好平行于0B,以下說法正確的是(  )
A.該介質(zhì)對a光的折射率為$\frac{2\sqrt{3}}{3}$
B.a光的折射光線不能在AB面發(fā)生全反射
C.在同一介質(zhì)中,a光的光速大于b光的光速
D.用同一裝置進行雙縫干涉實驗,a光的條紋間距大于b光的條紋間距

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3.下列關(guān)于熱現(xiàn)象的敘述正確的是( 。
A.物體的溫度升高,所有分子的熱運動能都會增大
B.當(dāng)分子間作用力表現(xiàn)為斥力時,分子勢能隨分子間距離的減少而增大
C.在真空、高溫條件下,可以利用分子擴散向半導(dǎo)體材料中摻入其它元素
D.布朗運動就是液體分子的熱運動
E.晶體吸收熱量,分子平均動能不一定增加

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10.如圖所示,理想變壓器與電阻R,交流電壓表V、交流電流表A按圖甲所示方式連接,已知變壓器原副線圈的匝數(shù)比為n1:n2=10:1,電阻R=5Ω.圖乙是R兩端電壓U隨時間變化的圖象,Um=10$\sqrt{2}$V.則下列說法中正確的是(  )
A.交變電流的頻率是Um=50$\sqrt{2}$HzB.電壓表V的讀數(shù)為10V
C.電流表A的讀數(shù)為20AD.變壓器的輸入功率為40w

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7.在如圖所示電路中,R1是定值電阻,R2是滑動變阻器,閉合電鍵S,當(dāng)R2的滑動觸片P向下滑動時,四個理想電表的示數(shù)都發(fā)生變化,電流表、電壓表的示數(shù)分別用I、U1、U2、U3表示,它們示數(shù)變化量的大小分別用△I、△U1、△U2和△U3表示.則下列分析判斷不正確的是( 。
A.$\frac{{U}_{1}}{I}$不變,$\frac{△{U}_{1}}{△I}$不變B.$\frac{{U}_{2}}{I}$變大,$\frac{△{U}_{2}}{△I}$變大
C.$\frac{{U}_{2}}{I}$變大,$\frac{△{U}_{2}}{△I}$不變D.$\frac{{U}_{3}}{I}$變大,$\frac{△{U}_{3}}{△I}$不變

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8.如圖為一列簡諧橫波在t=1.75s時的波形圖,已知a位置的質(zhì)點比b位置的晚0.25s起振,則b位置質(zhì)點的振動圖象應(yīng)為選項圖中的( 。
A.B.C.D.

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