如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管。垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°。(忽略離子所受重力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角Φ;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處,求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

 

(1)設(shè)帶電粒子經(jīng)加速電場加速后的速度為v1,進入偏轉(zhuǎn)電場后的加速度為a,則:

F=eE0=ma②

2d=v1t③

由①②③④得E0=U0/d

得Φ=45°

(2)設(shè)粒子剛進入磁場時速度為v,則有:

洛倫茲力提供向心力有:

由⑤⑥得

(3)將4m16m代入R,得R1、R2,

將R1、R2代入得

由R′2=(2R12+(R′-R12

R1<R<R1得m<mx25m

分析:本題第(1)問考查了帶電粒子在電場中加速和偏轉(zhuǎn)的知識(即電偏轉(zhuǎn)問題),加速過程用動能定理求解,偏轉(zhuǎn)過程用運動的合成與分解知識結(jié)合牛頓第二定律和運動學公式求解;

第(2)問考查磁偏轉(zhuǎn)知識,先求進入磁場時的合速度v,再由洛倫茲力提供向心力求解R;

第(3)問考查用幾何知識解決物理問題的能力。

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(2009?重慶)如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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