A. | 整個(gè)過程電路中產(chǎn)生的電熱等于始末狀態(tài)金屬桿動(dòng)能的減少量 | |
B. | 上滑到最高點(diǎn)的過程中克服安培力與重力所做功之和等于$\frac{1}{2}$mv02 | |
C. | 上滑到最高點(diǎn)的過程中電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱等于$\frac{1}{2}$mv02-mgh | |
D. | 金屬桿兩次通過斜面上的同一位置時(shí)電阻R的熱功率相同 |
分析 通過對(duì)導(dǎo)體棒受力分析知,上滑的過程做變減速直線運(yùn)動(dòng),下滑的過程做變加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)功能關(guān)系分析電熱與動(dòng)能減少量的關(guān)系.根據(jù)動(dòng)能定理分析上滑過程中
功與能的關(guān)系.抓住位移相等,比較安培力大小,即可分析克服安培力做功功率的大。
解答 解:A、在整個(gè)過程中,由于回路中產(chǎn)生內(nèi)能,根據(jù)能量守恒定律得知,整個(gè)過程電路中產(chǎn)生的電熱等于始末狀態(tài)金屬桿動(dòng)能的減少量.故A正確.
B、上滑過程中,重力和安培力對(duì)桿做功,安培力做負(fù)功,根據(jù)動(dòng)能定理得知:克服安培力與重力所做功之和等于$\frac{1}{2}$mv02.故B正確.
C、對(duì)于上滑過程,由動(dòng)能定理得:-mgh-W安=0-$\frac{1}{2}$mv02,得克服安培力做功為:W安=$\frac{1}{2}$mv02-mgh.
根據(jù)功能關(guān)系可知,克服安培力做功等于回路中產(chǎn)生的焦耳熱,即有Q=W安,則得:Q=$\frac{1}{2}$mv02-mgh.故C正確.
D、上滑的過程做變減速直線運(yùn)動(dòng),下滑的過程做變加速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過同一位置時(shí),上滑的速度大小大于下滑的速度大小,上滑的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大于下滑的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),上滑的感應(yīng)電流大于下滑的感應(yīng)電流,則上滑時(shí)所受的安培力大于下滑時(shí)的安培力,由P=Fv知,經(jīng)過同一位置時(shí),上滑過程中桿克服安培力做功的功率大于下滑過程,則上滑過程中電阻R的熱功率大于下滑過程R的熱功率.故D錯(cuò)誤.
本題選錯(cuò)誤的,故選:D.
點(diǎn)評(píng) 本題分析桿的運(yùn)動(dòng)情況,比較同一位置安培力的大小是關(guān)鍵,再根據(jù)動(dòng)量定理、安培力、能量守恒定律進(jìn)行分析比較.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | O點(diǎn)的電勢(shì)最低 | |
B. | x1和-x1兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度相等 | |
C. | 電子在x1處的電勢(shì)能大于在-x1處的電勢(shì)能 | |
D. | 電子從-x1處由靜止釋放后,它將沿x軸負(fù)方向作加速度逐漸減小的加速運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 伽利略利用實(shí)驗(yàn)和推理相結(jié)合的方法,得出了力不是維持物體運(yùn)動(dòng)的原因 | |
B. | 庫侖利用扭秤實(shí)驗(yàn),首先測(cè)出萬有引力常數(shù) | |
C. | 法拉第首先提出了分子電流假說 | |
D. | 奧斯特首先發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)定律,實(shí)現(xiàn)了人類磁生電的夢(mèng)想 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\sqrt{3}$:3 | B. | 1:1 | C. | 3:4 | D. | 2:3 |
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