如圖所示，把一個(gè)平行板電容器接在電壓U=10V的電源上．現(xiàn)進(jìn)行下列四步動(dòng)作：

（1）合上S；（2）在兩板中央插入厚度為d/2 的金屬板；（3）打開(kāi)S；（4）抽出金屬板．則此時(shí)電容器兩板間電勢(shì)差為 (    )

A．0V

B．10V

C．5V

D．20V

 

答案：D
提示：

電容的相關(guān)計(jì)算。

 


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，把一個(gè)面積為4.0×10-2m2的單匝線(xiàn)圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為2.0×10-2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線(xiàn)圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通為
0
0
Wb；當(dāng)線(xiàn)圈繞OO軸轉(zhuǎn)動(dòng)至與磁場(chǎng)方向垂直時(shí)，穿過(guò)線(xiàn)平面的磁通量為
8
8
×10-4Wb；在此轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量變
大
大
．（填“大”或“小”）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，把一個(gè)面積為S的單匝矩形線(xiàn)圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線(xiàn)圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量為
0
0
；當(dāng)線(xiàn)圈以ab邊為軸轉(zhuǎn)過(guò)90°時(shí)，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量為
BS
BS
；在此轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量變
大
大
．（填“大”或“小”）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2005?昌平區(qū)模擬）如圖所示，把一個(gè)面積為4.0×10-2m2的單匝矩形線(xiàn)圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為2.0×10-2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線(xiàn)圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量為
0
0
Wb；當(dāng)線(xiàn)圈繞OO’軸轉(zhuǎn)動(dòng)至與磁場(chǎng)方向垂直位置時(shí)，穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量為
8×10-4
8×10-4
Wb．

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科目：高中物理 來(lái)源：河北省期中題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖所示，把一個(gè)平行玻璃板壓在另一個(gè)平行玻璃板上，一端用薄片墊起，構(gòu)成空氣劈尖。讓單色光從上方射入，這時(shí)可以看到亮暗相間的條紋。下面關(guān)于條紋的說(shuō)法中正確的是
[     ]
A．干涉條紋的產(chǎn)生是由于光在空氣劈尖膜的前后兩表面反射形成的兩列光波疊加的結(jié)果
B．干涉條紋中的暗紋是由于上述兩列反射光的波谷與波谷疊加的結(jié)果
C．將上玻璃板平行上移，條紋向著劈尖移動(dòng)
D．觀(guān)察薄膜干涉條紋時(shí)，應(yīng)在入射光的另一側(cè)

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科目：高中物理 來(lái)源：期末題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖所示，把一個(gè)平行玻璃板壓在另一個(gè)平行玻璃板上，一端用薄片墊起，構(gòu)成空氣劈尖。讓單色光從上方射入，這時(shí)可以看到亮暗相間的條紋。下面關(guān)于條紋的說(shuō)法中正確的是
[     ]
A．干涉條紋的產(chǎn)生是由于光在空氣劈尖膜的前后兩表面反射形成的兩列光波疊加的結(jié)果
B．干涉條紋中的暗紋是由于上述兩列反射光的波谷與波谷疊加的結(jié)果
C．將上玻璃板平行上移，條紋向著劈尖移動(dòng)
D．觀(guān)察薄膜干涉條紋時(shí)，應(yīng)在入射光的另一側(cè)

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