11．目前，世界上正在研究一種新型發(fā)電機(jī)叫磁流體發(fā)電機(jī)，如圖所示．它的原理是將一束等離子體（即高溫下電離的氣體，含有大量正、負(fù)帶電粒子）噴入磁場，在磁場中有兩塊金屬板A、B，這時金屬板上就會聚集電荷，產(chǎn)生電壓，下列說法錯誤的是（　�。�

	A．	B板帶正電
	B．	A板帶正電
	C．	其他條件不變，只增大射入速度，|UAB|增大
	D．	其他條件不變，只增大磁感應(yīng)強(qiáng)度，|UAB|增大

10．如圖所示，在傾角為θ=30°的斜面上，固定一寬L=0.25m的平行金屬導(dǎo)軌，在導(dǎo)軌上端接入電源和滑動變阻器R．電源電動勢E=12V，內(nèi)阻r=1Ω，一質(zhì)量m=20 克的金屬棒ab與兩導(dǎo)軌垂直并接觸良好．整個裝置處于磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.80T、垂直于斜面向上的勻強(qiáng)磁場中，金屬棒的電阻R₁=1Ω（導(dǎo)軌電阻不計）．金屬導(dǎo)軌是光滑的，要保持金屬棒在導(dǎo)軌上靜止，取g=10m/s²，求：
（1）金屬棒所受到的安培力的大�。�
（2）如果通電100秒，金屬棒產(chǎn)生的焦耳熱是多少？
（3）滑動變阻器R接入電路中的阻值．

9．設(shè)空間存在豎直向下的勻強(qiáng)電場和垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，如圖所示，已知一離子在電場力和洛侖茲力的作用下，從靜止開始自A點沿曲線ACB運(yùn)動，到達(dá)B點時速度為零，C點是運(yùn)動的最低點，忽略重力，以下說法中正確的是（　�。�

	A．	這離子可能帶負(fù)電荷
	B．	A點和B點位于同一高度
	C．	離子在C點時速度最大
	D．	離子到達(dá)B點后，將沿原曲線返回A點

8．如圖所示，在豎直平面內(nèi)放一個光滑絕緣的半圓形軌道，水平方向的勻強(qiáng)磁場與半圓形軌道所在的平面垂直．一個帶正電荷的小滑塊由靜止開始從半圓軌道的最高點M滑下，則下列說法中正確的是（　　）

	A．	滑塊經(jīng)過最低點時的速度與磁場不存在時要大
	B．	滑塊從M點滑到最低點所用的時間與磁場不存在時相等
	C．	滑塊經(jīng)過最低點時的加速度比磁場不存在時要大
	D．	滑塊經(jīng)過最低點時對軌道的壓力與磁場不存在時相等

7．在磁場中某一點，已經(jīng)測出一段0.5cm長的導(dǎo)線中通入0.01A電流時，受到的安培力為5.0×10^-6 N，則下列說法正確的是（　�。�

	A．	該點磁感應(yīng)強(qiáng)度大小一定是0.1 T
	B．	該點磁感應(yīng)強(qiáng)度大小一定不大于0.1 T
	C．	該點磁感應(yīng)強(qiáng)度大小一定不小于0.1 T
	D．	該點磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向即為導(dǎo)線所受磁場力的方向

6．在“測定金屬的電阻率”的實驗中，用螺旋測微器測量金屬絲直徑時的刻度位置如圖1所示，用 米尺測量金屬絲的長度 l=0.810m．金屬絲的電阻大約為 4Ω，先用伏安法測出金屬絲的電阻，然后根 據(jù)電阻定律計算出該金屬材料的電阻率．
（1）從圖中讀出金屬絲的直徑為0.520mm
（2）在用伏安法測定金屬絲的電阻時，除被測電阻絲外，還有如下供選擇的實驗器材：
A．直流電源：電動勢約 4.5V，內(nèi)阻很小
B．電流表 A₁：量程 0～0.6A，內(nèi)阻 0.125Ω
C．電流表 A₂：量程 0～3.0A，內(nèi)阻 0.025Ω
D．電壓表 V：量程 0～3V，內(nèi)阻 3kΩ
E．滑動變阻器 R₁：最大阻值 10Ω
F．滑動變阻器 R₂：最大阻值 50Ω
G．開關(guān)、導(dǎo)線等
在可供選擇的器材中，應(yīng)該選用的電流表是B，應(yīng)該選用的滑動變阻器是E（都填選項）
（3）根據(jù)所選的器材，在如圖2所示的方框中畫出實驗電路圖

（4）若根據(jù)伏安法測出電阻絲的電阻為 R_x=4.1Ω，則這種金屬材料的電阻率為1.1×10^-6Ω•m（保留二位有效數(shù)字）

5．如圖在x軸的-3a和3a兩處分別固定兩個電荷Q_A、Q_B，圖中曲線是兩電荷之間的電勢Φ與位置x之間的關(guān)系圖象，圖中x=a處為圖線的最低點．線于在x=2a處由靜止釋放一個質(zhì)量為m、帶電荷量為q的正電點電荷，該電荷只在電場力作用下運(yùn)動．下列有關(guān)說法正確的是（　�。�

	A．	x=a處電場強(qiáng)度為零，該電荷運(yùn)動至此處時速度最大
	B．	兩點電荷QA：QB=3：1
	C．	該電荷一定通過x=a處，但不能到達(dá)x=2a處
	D．	該電荷以x=a為中點做往復(fù)運(yùn)動

4．（1）在“驗證機(jī)械能守恒定律”實驗中，在下面所列舉的該實驗的幾個操作步驟中，你認(rèn)為沒有必要進(jìn)行的或者錯誤的步驟是BCD（填字母代號）
A．按照圖示的裝置安裝器件
B．將打點計時器接到學(xué)生電源的直流輸出端上
C．用天平測量出重物的質(zhì)量
D．先放手讓紙帶和重物下落，再接通電源開關(guān)
E．在打出的紙帶上，依據(jù)打點的先后順序選取A、B、C、D（如圖所示）四個合適的相鄰點，通過測量計算得出B、C兩點的速度為v_B、v_C，并測出B、C兩點間的距離為h
F．在誤差允許范圍內(nèi)，看減少的重力勢能mgh是否等于增加的動能$\frac{1}{2}$mv_C²-$\frac{1}{2}$mv_B²，從而驗證機(jī)械能守恒定律
（2）在“驗證機(jī)械能守恒定律”的實驗中，打點周期為0.02s，自由下落的重物質(zhì)量為1kg，打出一條理想的紙帶，數(shù)據(jù)如圖所示，單位是cm，g取9.8m/s²，O、A之間有多個點沒畫出，打點計時器打下點B時，物體的速度vB=0.98 m/s，從起點O到打下B點的過程中，重力勢能的減少量△E_p=0.49 J，此過程中物體動能的增量△Ek=0.48 J．（答案保留兩位有效數(shù)字）

3．氣墊導(dǎo)軌可以在導(dǎo)軌和滑塊之間形成一薄層空氣膜，使滑塊和導(dǎo)軌間的摩擦幾乎為零，如圖所示，讓滑塊從氣墊導(dǎo)軌是某一高度下滑，滑塊上的遮光片的寬度為△s，當(dāng)遮光片通過電門時與光電門相連的數(shù)字毫秒器顯示遮光時間為△t，則庶光片通過光電門的平均速度為v=$\frac{△s}{△t}$
（1）關(guān)于這個平均速度，有如下討論：
A．這個平均速度不能作為實驗中遮光片通過光電門時滑塊的瞬時速度
B．理論上，遮光片寬度越窄，遮光片通過光電門的平均越接近瞬時速度
C．實驗中所選遮光片并非越窄越好，還應(yīng)考慮測量時間的精確度，遮光片太窄，時間測量精度就會降低，所測瞬時速度反而不準(zhǔn)確
D．實驗中，所選遮光片越寬越好，這樣時間的測量較準(zhǔn)，得到的瞬時速度將比較準(zhǔn)確，這些討論中，正確的是：BC；
（2）利用這一裝置可驗證機(jī)械能守桓定律．滑塊和遮光片總質(zhì)量記為M（kg），若測出氣墊導(dǎo)軌總長L₀、遮光片的寬度△s，氣墊導(dǎo)軌兩端到桌面的高度差h、滑塊從由靜止釋放到經(jīng)過光時門時下滑的距離L和遮光時間△t，這一過程中：滑塊減少的重力勢能的表達(dá)式為：$\frac{Mghl}{{L}_{0}}$，滑塊獲得的動能表達(dá)式為：$\frac{1}{2}M（\frac{△s}{△t}）^{2}$．

2．在“測定金屬的電阻率”實驗中，所用測量儀器均已校準(zhǔn)，待測金屬絲接入電路部分的長度約為50cm．
（1）用螺旋測微器測量金屬絲直徑，其中某次測量結(jié)果如圖1所示，其讀數(shù)應(yīng)為0.399mm（該值接近多次測量的平均值）
（2）用伏安法測金屬絲的電阻R_X，實驗所用器材為：
電池組（電動勢為3V，內(nèi)阻約為1Ω），
電流表（內(nèi)阻約為0.1Ω），
電壓表（內(nèi)阻約為3kΩ），
滑動變阻器R（0～20Ω，額定電流為2A）
開關(guān)，導(dǎo)線若干．
某同學(xué)利用以上器材正確連接好電路，進(jìn)行實驗測量，記錄數(shù)據(jù)如下：

次數(shù)	1	2	3	4	5	6	7
U/V	0.10	0.30	0.70	1.00	1.50	1.70	2.30
I/A	0.020	0.060	0.160	0.220	0.340	0.460	0.520

由以上實驗數(shù)據(jù)可知，他們測量R_X是采用圖2中甲和乙中的圖甲（選填“甲”或“乙”）

（3）如圖3是測量R_X的實驗器材實物圖，圖中已經(jīng)連接了部分導(dǎo)線，滑動變阻器的滑片P置于變阻器的一端，請根據(jù)圖所選的電路圖，補(bǔ)充完成圖3中實物間的連線，并使閉合開關(guān)的瞬間，電壓表或電流表不至于被燒壞．

（4）這個小組的同學(xué)在坐標(biāo)紙上建立U、I坐標(biāo)系，如圖4所示，圖中已經(jīng)標(biāo)出了與測量數(shù)據(jù)相對應(yīng)的四個點，請在圖4中標(biāo)出第2、4、6次測量數(shù)據(jù)的坐標(biāo)點，并描繪出U-I圖線，由圖線得到金屬絲的阻值R_X=4.5Ω（保留兩位有效數(shù)字）．
（5）根據(jù)以上數(shù)據(jù)可估算出金屬絲的電阻率約為C（填選項前的序號）
A、1×10^-2Ω•m    B、1×10^-3Ω•m     C、1×10^-6Ω•m    D、1×10^-8Ω•m．