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科目: 來源: 題型:選擇題

6.兩球A、B在光滑水平面上沿同一直線,同一方向運(yùn)動(dòng),mA=1kg,mB=2kg,vA=6m/s,vB=2m/s.當(dāng)A追上B并發(fā)生碰撞后,兩球A、B速度的可能值是( �。�
A.vA′=2m/s,vB′=4 m/sB.vA′=5 m/s,vB′=2.5 m/s
C.vA′=-4m/s,vB′=7 m/sD.vA′=7 m/s,vB′=1.5 m/s

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科目: 來源: 題型:多選題

5.如圖所示,U形光滑金屬框架豎直放置,bc水平,ab、cd豎直且足夠長,b、c間有一定值電阻R,其他電阻均可忽略,ef是一電阻不計(jì),質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒,導(dǎo)體棒始終垂直框架并與框架保持良好接觸,整個(gè)裝置處于垂直框架所在平面的勻強(qiáng)磁場中.已知重力加速度為g.當(dāng)導(dǎo)體棒ef由靜止下滑一段時(shí)間后,閉合開關(guān)S,則開關(guān)S閉合后( �。�
A.導(dǎo)體棒ef的加速度一定小于g
B.導(dǎo)體棒ef的加速度可能大于g
C.導(dǎo)體棒ef最終速度跟開關(guān)S閉合的時(shí)刻無關(guān)
D.導(dǎo)體棒ef的機(jī)械能與回路中產(chǎn)生的內(nèi)能之和一定守恒

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科目: 來源: 題型:多選題

4.如圖所示,在a點(diǎn)由靜止釋放一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子,粒子到達(dá)b點(diǎn)時(shí)速度恰好為零,設(shè)ab所在的電場線豎直向下,a、b間的高度差為h,則(  )
A.帶電粒子帶負(fù)電B.a、b兩點(diǎn)間的電勢差Uab=mghq
C.b點(diǎn)場強(qiáng)大小為mgqD.b點(diǎn)場強(qiáng)大于a點(diǎn)場強(qiáng)

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科目: 來源: 題型:多選題

3.如圖所示,實(shí)線是一簇未標(biāo)明方向的勻強(qiáng)電場的電場線,虛線是一帶電粒子通過該電場區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡,a、b是軌跡上的兩點(diǎn).若帶電粒子在運(yùn)動(dòng)中只受電場力作用,則根據(jù)此圖可知(  )
A.帶電粒子所帶電性
B.帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的受力方向
C.帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的速度何處較大
D.帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的電勢何處較高

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科目: 來源: 題型:多選題

2.一點(diǎn)電荷在兩平行金屬板間形成的電場線分布如圖所示,已知下方金屬板的上表面光滑,A、B為電場中的兩點(diǎn),則下列說法正確的是( �。�
A.A點(diǎn)的電場強(qiáng)度比B點(diǎn)的大
B.A點(diǎn)的電勢比B點(diǎn)的高
C.將檢驗(yàn)電荷從A點(diǎn)沿不同路徑到B點(diǎn),電場力所做的功不同
D.若帶電小球以某一初速度沿下金屬板上表面向右運(yùn)動(dòng),一定是先加速后減速

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科目: 來源: 題型:多選題

1.如圖所示,MN是一負(fù)點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場中的一條電場線.一個(gè)帶正電的粒子(不計(jì)重力)從a到b穿越這條電場線的軌跡如圖中虛線所示.下列結(jié)論正確的是( �。�
A.帶電粒子從a到b過程中動(dòng)能逐漸減小
B.負(fù)點(diǎn)電荷一定位于M點(diǎn)右側(cè)
C.帶電粒子在a點(diǎn)時(shí)具有的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)具有的電勢能
D.帶電粒子在a點(diǎn)的加速度小于在b點(diǎn)的加速度

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20.如圖所示,實(shí)線是一帶電粒子在電場中僅受電場力作用的運(yùn)動(dòng)軌跡,虛線a、b、c是該電場的電場線或等勢面(電勢差相等),M、N是粒子運(yùn)動(dòng)軌跡上的兩個(gè)點(diǎn),則下列說法中正確的是(  )
A.若虛線為電場線,則粒子在M點(diǎn)的加速度比在N點(diǎn)的加速度大
B.若虛線為電場線,則粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至N點(diǎn)的過程中電勢能減小
C.若虛線為等勢面,則三等勢面的電勢高低關(guān)系為φa>φb>φc
D.若虛線為等勢面,則粒子在N點(diǎn)的速率小于在M點(diǎn)的速率

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19.兩個(gè)異種點(diǎn)電荷周圍電場線分布如圖所示,P、Q為電路中同一條電場線上的兩點(diǎn).則(  )
A.P點(diǎn)的場強(qiáng)小于Q點(diǎn)的場強(qiáng)
B.P點(diǎn)電勢高于Q點(diǎn)電勢
C.同一正電荷在P點(diǎn)的電勢能一定大于在Q點(diǎn)的電勢能
D.正電荷從p點(diǎn)移動(dòng)到Q點(diǎn),電場力做正功

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18.在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū)中,一電子沿垂直電場線和磁感線的方向以速度v0射入場區(qū),設(shè)電子射出場區(qū)時(shí)的速度為v,則( �。�
A.若v0EB,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
B.若v0EB,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v>v0
C.若v0EB,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v>v0
D.若v0EB,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v<v0

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17.如圖所示,甲圖是空間某電場中的一條電場線,A,B是這條電場線上的兩點(diǎn),現(xiàn)將一負(fù)電荷從A點(diǎn)自由釋放,電荷沿著電場線從A到B的運(yùn)動(dòng)過程v-t圖象如圖乙所示,試比較A、B兩點(diǎn)電勢的高低和電場強(qiáng)度的大�。ā 。�
A.φA<φBB.φA>φBC.EA<EBD.EA>EB

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