19．如圖所示為研究影響平行板電容器電容大小因素的實(shí)驗(yàn)裝置．設(shè)兩極板的正對(duì)面積為S，極板間的距離為d，靜電計(jì)指針偏角為θ，平行板電容器的電容為C．實(shí)驗(yàn)中極板所帶電荷量可視為不變，則下列關(guān)于實(shí)驗(yàn)的分析正確的是（　�。�

	A．	保持d不變，減小S，則C變小，θ變大		B．	保持d不變，減小S，則C變大，θ變大
	C．	保持S不變，增大d，則C變小，θ變大		D．	保持S不變，增大d，則C變大，θ變大

18．在如圖所示電路中，電壓表、電流表均為理想電表，電源內(nèi)阻不可忽略．開(kāi)關(guān)S閉合后，在滑動(dòng)變阻器R₁的滑片P向右端滑動(dòng)的過(guò)程中（　　）

	A．	電壓表的示數(shù)減小		B．	電壓表的示數(shù)增大
	C．	電流表的示數(shù)減小		D．	電流表的示數(shù)增大

17．關(guān)于電場(chǎng)強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度，下列說(shuō)法中正確的是（　�。�

	A．	電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式E=$\frac{F}{q}$適用于任何靜電場(chǎng)
	B．	電場(chǎng)中某點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的方向與在該點(diǎn)的帶正電的檢驗(yàn)電荷所受電場(chǎng)力的方向相同
	C．	磁感應(yīng)強(qiáng)度公式B=$\frac{F}{IL}$說(shuō)明磁感應(yīng)強(qiáng)度B與放入磁場(chǎng)中的通電導(dǎo)線所受安培力F成正比，與通電導(dǎo)線中的電流I和導(dǎo)線長(zhǎng)度L的乘積成反比
	D．	磁感應(yīng)強(qiáng)度公式B=$\frac{F}{IL}$說(shuō)明磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向與放入磁場(chǎng)中的通電直導(dǎo)線所受安培力的方向相同

16．在真空中有兩個(gè)固定的點(diǎn)電荷，它們之間的靜電力大小為F．現(xiàn)保持它們之間的距離不變，而使它們的電荷量都變?yōu)樵瓉?lái)的2倍，則它們之間的靜電力大小為（　�。�

A．

$\frac{1}{4}$F

B．

$\frac{1}{2}$F

C．

2F

D．

4F

15．用如圖甲所示的多用電表測(cè)量電阻，要用到選擇開(kāi)關(guān)K和兩個(gè)部件S、T．
（1）請(qǐng)根據(jù)下列步驟完成電阻測(cè)量：
①旋動(dòng)部件S，使指針對(duì)準(zhǔn)電流的“0”刻度線．
②將K旋轉(zhuǎn)到電阻擋“×100”位置．
③將插入“+”、“-”插孔的表筆短接，旋動(dòng)部件T，使指針對(duì)準(zhǔn)電阻的“0”刻度線．
（2）將調(diào)好零的多用電表按正確步驟測(cè)量一電學(xué)元件P的電阻，P的兩端分別為a、b，指針指示位置如圖乙所示．則通過(guò)P的電流方向是b-a（選填“a→b”或“b→a”），為使測(cè)量比較精確，應(yīng)將選擇開(kāi)關(guān)旋到×10的倍率擋位上，并需重新調(diào)零，再進(jìn)行測(cè)量．

14．如圖（甲）所示，AB是電場(chǎng)中的一條直線．質(zhì)子以某一初速度從A點(diǎn)出發(fā)，沿AB運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)，其v-t圖象如圖（乙）所示，已知質(zhì)子只受電場(chǎng)力．關(guān)于A、B兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E_A、E_B和電勢(shì)φ_A、φ_B的關(guān)系，下列判斷正確的是（　�。�

A．

EA＜EB

B．

EA＞EB

C．

φA＜φB

D．

φA＞φB

13．如圖所示，光滑固定導(dǎo)軌m、n水平放置，兩根導(dǎo)體棒p、q平行放于導(dǎo)軌上，形成一個(gè)閉合回路，當(dāng)一條形磁鐵從高處自由下落接近回路時(shí)（重力加速度為g）（　　）

	A．	p、q將互相靠攏		B．	p、q將互相遠(yuǎn)離
	C．	磁鐵下落的加速度仍為g		D．	磁鐵下落的加速度小于g

12．如圖所示，一質(zhì)子以速度v從左側(cè)射入互相垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)區(qū)域而沒(méi)有發(fā)生偏轉(zhuǎn)，在不計(jì)重力的情況下，下列說(shuō)法正確的是（　�。�

	A．	若電子以相同速度v射入該區(qū)域，將會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)
	B．	無(wú)論何種帶電粒子，只要以相同速度射入都不會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)
	C．	若質(zhì)子的速度v′＜v，它將向上偏轉(zhuǎn)
	D．	若質(zhì)子從右側(cè)以相同大小的速度射入仍然不發(fā)生偏轉(zhuǎn)

11．如圖所示，ab和cd是位于水平面內(nèi)的平行金屬軌道，軌道間距為l，其電阻可忽略不計(jì)．a(chǎn)c之間連接一阻值為R的電阻．ef為一垂直于ab和cd的金屬桿，它與ab和cd接觸良好并可沿軌道方向無(wú)摩擦地滑動(dòng)，其電阻可忽略．整個(gè)裝置處在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與導(dǎo)軌平面垂直，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B．當(dāng)施外力使桿ef以速度v向右勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，桿ef所受的安培力為（　�。�

A．

$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$

B．

$\frac{Blv}{R}$

C．

$\frac{{B}^{2}lv}{R}$

D．

$\frac{B{l}^{2}v}{R}$

10．如圖所示，直線A為電源的U-I圖線，直線B為電阻R的U-I圖線，用該電源和電阻組成閉合電路時(shí)，電源的輸出功率和電路的總功率分別是（　�。�

A．

4W   8W

B．

2W   4W

C．

4W   6W

D．

2W   3W