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科目: 來源: 題型:解答題

8.如圖甲所示,在xoy坐標(biāo)平面內(nèi)以O(shè)′為圓心,半徑r=0.1m的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.1T的勻強(qiáng)磁場(chǎng),圓形區(qū)域的下端與x軸相切于坐標(biāo)原點(diǎn)O.現(xiàn)從坐標(biāo)原點(diǎn)O沿xoy平面在y軸兩側(cè)各53°角的范圍內(nèi),發(fā)射速率均為v0=1.0×106 m/s的帶正電粒子,粒子在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)半徑也為r=0.1m,不計(jì)粒子的重力、粒子對(duì)磁場(chǎng)的影響及粒子間的相互作用力,求:

(1)粒子的比荷$\frac{q}{m}$;
(2)沿y軸正方向射入磁場(chǎng)的粒子,在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間;
(3)若在x≥0.1m,y>0的區(qū)域有電場(chǎng)強(qiáng)度E=1.0×106 N/C、豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng),則粒子到達(dá)x軸范圍.

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科目: 來源: 題型:多選題

7.如圖所示,以直角三角形AOC為邊界的垂直紙面向里的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,∠A=60°,AO=a.在O點(diǎn)放置一個(gè)粒子源,可以向各個(gè)方向發(fā)射某種帶負(fù)電粒子,粒子的比荷為$\frac{q}{m}$,發(fā)射速度大小都為v0,且滿足v0=$\frac{qBa}{m}$,發(fā)射方向由圖中的角度θ表示(0°≤θ≤90°).對(duì)于粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后的運(yùn)動(dòng)(不計(jì)重力作用),下列說法正確的是(  )
A.粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)最長(zhǎng)時(shí)間為$\frac{πm}{3qB}$
B.以θ=60°飛入的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最短
C.以θ<30°飛入的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間都相等
D.在AC邊界上只有一半?yún)^(qū)域有粒子射出

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科目: 來源: 題型:解答題

6.如圖所示,兩足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌豎直放置,相距為L(zhǎng),一理想電流表與兩導(dǎo)軌相連,勻強(qiáng)磁場(chǎng)與導(dǎo)軌平面垂直,一質(zhì)量為2m,電阻為R的金屬桿開始時(shí)被卡環(huán)卡在導(dǎo)軌上處于靜止?fàn)顟B(tài),現(xiàn)有一質(zhì)量為m的絕緣油泥從離桿上高為h處無初速自由下落,撞到桿上并立刻粘在一起,在油泥落到桿上前瞬間,卡環(huán)被釋放,此后發(fā)現(xiàn)電流表的示數(shù)逐漸增大,直到桿下落H高度時(shí),示數(shù)開始穩(wěn)定,設(shè)上述運(yùn)動(dòng)過程中,桿與導(dǎo)軌接觸良好,且始終保持水平,不計(jì)導(dǎo)軌的電阻,已知磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,求:
(1)桿和油泥剛開始一起下落時(shí)的加速度a;
(2)在桿下落H高度的過程中,感應(yīng)電流產(chǎn)生的熱量Q.

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科目: 來源: 題型:解答題

5.如圖所示,兩平行的光滑金屬導(dǎo)軌間距為L(zhǎng)且置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面,導(dǎo)軌一端MN間接一電阻R,PQ端接一對(duì)平行金屬板,導(dǎo)體棒ab置于導(dǎo)軌上,其電阻Rab=3R,導(dǎo)軌電阻不計(jì),平行金屬板間距為d,其中磁感應(yīng)強(qiáng)度也為B,令導(dǎo)體棒向右以速度v做勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),有一液滴恰能在平行金屬板間做半徑為r的勻速圓周運(yùn)動(dòng),速率也為v,求:
(1)棒向右運(yùn)動(dòng)的速率v;
(2)維持ab棒向右做勻速運(yùn)動(dòng)的外力F.

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科目: 來源: 題型:解答題

4.如圖1所示是某校興趣小組研究某型號(hào)的熱敏電阻所得到的阻溫特性曲線,其中橫坐標(biāo)為溫度(單位為℃)縱坐標(biāo)為電阻值(單位為Ω).已知某型號(hào)的基本門電路的工作電壓為5V,輸入端的電壓大于2V為高電勢(shì),即輸入為“1”,輸入端電壓低于2V則輸入端為“0”.現(xiàn)提供兩個(gè)阻溫特性如圖1所示的熱敏電阻,兩個(gè)電阻箱,要求用基本的門電路設(shè)計(jì)出一控制電路,要求:當(dāng)環(huán)境溫度在20℃-40℃時(shí),圖2中的發(fā)光二極管被點(diǎn)亮.其中:A輸入端完成對(duì)20℃的控制,B輸入端完成對(duì)40℃的控制.

(1)試在圖(2)中標(biāo)出所選用的邏輯門電路的符號(hào);
(2)在圖(2)中標(biāo)出兩個(gè)熱敏電阻的位置;(圖(2)中R1、R2、R3和R4中哪兩個(gè)位置接入熱敏電阻?)
(3)兩個(gè)電阻箱所要調(diào)整到的阻值.

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科目: 來源: 題型:填空題

3.如圖所示,質(zhì)量為m的木塊(可視為質(zhì)點(diǎn))用水平細(xì)繩拉住后靜止在光滑斜面上,則木塊對(duì)斜面的壓力為$\frac{mg}{cosα}$.(斜面的傾角為α)

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科目: 來源: 題型:多選題

2.如圖所示,相距為d的邊界水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度垂直紙面向里、大小為B.質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線圈M,將線圈在磁場(chǎng)上方高h(yuǎn)處由靜止釋放,已知cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)和cd邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)速度相等,不計(jì)空氣阻力,則( 。
A.若L=d,則線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程用時(shí)為$\sqrt{\frac{2}{gh}d}$
B.在線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中,克服安培力做功為mgd
C.若L<d則線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中最小速度可能$\frac{mgR}{{{B^2}{L^2}}}$
D.若L<d,則線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中最小速度可能$\sqrt{2g(h+L-d)}$

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科目: 來源: 題型:選擇題

1.對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體,下列說法正確的是(  )
A.溫度升高,分子的平均動(dòng)能增大,每次碰撞對(duì)容器壁的作用力增大,壓強(qiáng)一定增大
B.體積減小,單位體積內(nèi)的分子數(shù)增多,氣體的內(nèi)能一定增大
C.絕熱壓縮一定質(zhì)量的理想氣體時(shí),外界對(duì)氣體做功,內(nèi)能增加,壓強(qiáng)一定增大
D.一定質(zhì)量的理想氣體向真空自由膨脹時(shí),體積增大,熵減小

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科目: 來源: 題型:多選題

20.如圖所示,在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)(圓心為O)有勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直于圓平面(未畫出).一群具有相同比荷的負(fù)離子以相同的速率由P點(diǎn)在紙平面內(nèi)向不同方向射入磁場(chǎng)中,發(fā)生偏轉(zhuǎn)后又飛出磁場(chǎng),若離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑大于R,則下列說法中正確的是(不計(jì)離子的重力)(  )
A.從Q點(diǎn)飛出的離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最長(zhǎng)
B.沿PQ方向射入的離子飛出時(shí)偏轉(zhuǎn)角最大
C.所有離子飛出磁場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能一定相等
D.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng)的離子不可能經(jīng)過圓心O點(diǎn)

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科目: 來源: 題型:多選題

19.如圖所示,半徑為尺的一圓柱形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的橫截面,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向外,磁場(chǎng)外有一粒子源,能沿一直線發(fā)射速度大小不等的在一范圍內(nèi)的同種帶電粒子,帶電粒子的質(zhì)量為m,電荷量為q(q>0),不計(jì)重力.現(xiàn)粒子以沿正對(duì)co中點(diǎn)且垂直于co方向射入磁場(chǎng)區(qū)域,發(fā)現(xiàn)帶電粒子恰能能從bd之間飛出磁場(chǎng).則(  )
A.從b點(diǎn)飛出的帶電粒子的速度最大B.從d點(diǎn)飛出的帶電粒子的速度最小
C.從d點(diǎn)飛出的帶電粒子的時(shí)間最長(zhǎng)D.從b點(diǎn)飛出的帶電粒子的時(shí)間最短

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同步練習(xí)冊(cè)答案