8．如圖甲所示，在xoy坐標(biāo)平面內(nèi)以O(shè)′為圓心，半徑r=0.1m的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.1T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，圓形區(qū)域的下端與x軸相切于坐標(biāo)原點(diǎn)O．現(xiàn)從坐標(biāo)原點(diǎn)O沿xoy平面在y軸兩側(cè)各53°角的范圍內(nèi)，發(fā)射速率均為v₀=1.0×10⁶ m/s的帶正電粒子，粒子在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)半徑也為r=0.1m，不計(jì)粒子的重力、粒子對(duì)磁場(chǎng)的影響及粒子間的相互作用力，求：

（1）粒子的比荷$\frac{q}{m}$；
（2）沿y軸正方向射入磁場(chǎng)的粒子，在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間；
（3）若在x≥0.1m，y＞0的區(qū)域有電場(chǎng)強(qiáng)度E=1.0×10⁶ N/C、豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)，則粒子到達(dá)x軸范圍．

7．如圖所示，以直角三角形AOC為邊界的垂直紙面向里的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，∠A=60°，AO=a．在O點(diǎn)放置一個(gè)粒子源，可以向各個(gè)方向發(fā)射某種帶負(fù)電粒子，粒子的比荷為$\frac{q}{m}$，發(fā)射速度大小都為v₀，且滿足v₀=$\frac{qBa}{m}$，發(fā)射方向由圖中的角度θ表示（0°≤θ≤90°）．對(duì)于粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后的運(yùn)動(dòng)（不計(jì)重力作用），下列說法正確的是（　　）

	A．	粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)最長(zhǎng)時(shí)間為$\frac{πm}{3qB}$
	B．	以θ=60°飛入的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最短
	C．	以θ＜30°飛入的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間都相等
	D．	在AC邊界上只有一半?yún)^(qū)域有粒子射出

6．如圖所示，兩足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌豎直放置，相距為L(zhǎng)，一理想電流表與兩導(dǎo)軌相連，勻強(qiáng)磁場(chǎng)與導(dǎo)軌平面垂直，一質(zhì)量為2m，電阻為R的金屬桿開始時(shí)被卡環(huán)卡在導(dǎo)軌上處于靜止?fàn)顟B(tài)，現(xiàn)有一質(zhì)量為m的絕緣油泥從離桿上高為h處無初速自由下落，撞到桿上并立刻粘在一起，在油泥落到桿上前瞬間，卡環(huán)被釋放，此后發(fā)現(xiàn)電流表的示數(shù)逐漸增大，直到桿下落H高度時(shí)，示數(shù)開始穩(wěn)定，設(shè)上述運(yùn)動(dòng)過程中，桿與導(dǎo)軌接觸良好，且始終保持水平，不計(jì)導(dǎo)軌的電阻，已知磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B，求：
（1）桿和油泥剛開始一起下落時(shí)的加速度a；
（2）在桿下落H高度的過程中，感應(yīng)電流產(chǎn)生的熱量Q．

5．如圖所示，兩平行的光滑金屬導(dǎo)軌間距為L(zhǎng)且置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面，導(dǎo)軌一端MN間接一電阻R，PQ端接一對(duì)平行金屬板，導(dǎo)體棒ab置于導(dǎo)軌上，其電阻R_ab=3R，導(dǎo)軌電阻不計(jì)，平行金屬板間距為d，其中磁感應(yīng)強(qiáng)度也為B，令導(dǎo)體棒向右以速度v做勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，有一液滴恰能在平行金屬板間做半徑為r的勻速圓周運(yùn)動(dòng)，速率也為v，求：
（1）棒向右運(yùn)動(dòng)的速率v；
（2）維持ab棒向右做勻速運(yùn)動(dòng)的外力F．

4．如圖1所示是某校興趣小組研究某型號(hào)的熱敏電阻所得到的阻溫特性曲線，其中橫坐標(biāo)為溫度（單位為℃）縱坐標(biāo)為電阻值（單位為Ω）．已知某型號(hào)的基本門電路的工作電壓為5V，輸入端的電壓大于2V為高電勢(shì)，即輸入為“1”，輸入端電壓低于2V則輸入端為“0”．現(xiàn)提供兩個(gè)阻溫特性如圖1所示的熱敏電阻，兩個(gè)電阻箱，要求用基本的門電路設(shè)計(jì)出一控制電路，要求：當(dāng)環(huán)境溫度在20℃-40℃時(shí)，圖2中的發(fā)光二極管被點(diǎn)亮．其中：A輸入端完成對(duì)20℃的控制，B輸入端完成對(duì)40℃的控制．

（1）試在圖（2）中標(biāo)出所選用的邏輯門電路的符號(hào)；
（2）在圖（2）中標(biāo)出兩個(gè)熱敏電阻的位置；（圖（2）中R₁、R₂、R₃和R₄中哪兩個(gè)位置接入熱敏電阻？）
（3）兩個(gè)電阻箱所要調(diào)整到的阻值．

3．如圖所示，質(zhì)量為m的木塊（可視為質(zhì)點(diǎn)）用水平細(xì)繩拉住后靜止在光滑斜面上，則木塊對(duì)斜面的壓力為$\frac{mg}{cosα}$．（斜面的傾角為α）

2．如圖所示，相距為d的邊界水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度垂直紙面向里、大小為B．質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線圈M，將線圈在磁場(chǎng)上方高h(yuǎn)處由靜止釋放，已知cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)和cd邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)速度相等，不計(jì)空氣阻力，則（　�。�

	A．	若L=d，則線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程用時(shí)為$\sqrt{\frac{2}{gh}d}$
	B．	在線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中，克服安培力做功為mgd
	C．	若L＜d則線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中最小速度可能$\frac{mgR}{{{B^2}{L^2}}}$
	D．	若L＜d，則線圈穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中最小速度可能$\sqrt{2g（h+L-d）}$

1．對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體，下列說法正確的是（　　）

	A．	溫度升高，分子的平均動(dòng)能增大，每次碰撞對(duì)容器壁的作用力增大，壓強(qiáng)一定增大
	B．	體積減小，單位體積內(nèi)的分子數(shù)增多，氣體的內(nèi)能一定增大
	C．	絕熱壓縮一定質(zhì)量的理想氣體時(shí)，外界對(duì)氣體做功，內(nèi)能增加，壓強(qiáng)一定增大
	D．	一定質(zhì)量的理想氣體向真空自由膨脹時(shí)，體積增大，熵減小

20．如圖所示，在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)（圓心為O）有勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直于圓平面（未畫出）．一群具有相同比荷的負(fù)離子以相同的速率由P點(diǎn)在紙平面內(nèi)向不同方向射入磁場(chǎng)中，發(fā)生偏轉(zhuǎn)后又飛出磁場(chǎng)，若離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑大于R，則下列說法中正確的是（不計(jì)離子的重力）（　　）

	A．	從Q點(diǎn)飛出的離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最長(zhǎng)
	B．	沿PQ方向射入的離子飛出時(shí)偏轉(zhuǎn)角最大
	C．	所有離子飛出磁場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能一定相等
	D．	在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng)的離子不可能經(jīng)過圓心O點(diǎn)

19．如圖所示，半徑為尺的一圓柱形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的橫截面，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向垂直于紙面向外，磁場(chǎng)外有一粒子源，能沿一直線發(fā)射速度大小不等的在一范圍內(nèi)的同種帶電粒子，帶電粒子的質(zhì)量為m，電荷量為q（q＞0），不計(jì)重力．現(xiàn)粒子以沿正對(duì)co中點(diǎn)且垂直于co方向射入磁場(chǎng)區(qū)域，發(fā)現(xiàn)帶電粒子恰能能從bd之間飛出磁場(chǎng)．則（　　）

	A．	從b點(diǎn)飛出的帶電粒子的速度最大		B．	從d點(diǎn)飛出的帶電粒子的速度最小
	C．	從d點(diǎn)飛出的帶電粒子的時(shí)間最長(zhǎng)		D．	從b點(diǎn)飛出的帶電粒子的時(shí)間最短