(2)一個(gè)未知電阻，無法估計(jì)其電阻值，某同學(xué)用伏安法測(cè)量此電阻，用圖a、b兩種電路各測(cè)一次，用圖a測(cè)得的數(shù)據(jù)是3.0V，3.0mA，用圖b測(cè)得的數(shù)據(jù)是2.9V，4.0mA，由此可知，用圖______測(cè)得Rx的誤差較小，測(cè)量值Rx=______Ω

A.V1的示數(shù)先變小后變大，V2的示數(shù)先變大后變小

B.R2上消耗的功率先變小后變大

C.電源的輸出功率先變小后變大

D.A1的示數(shù)不斷減小，A2的示數(shù)不斷變大

(1)帶電的驗(yàn)電器在放射線照射下電荷會(huì)很快消失．其原因是( )

A．射線的貫穿作用 B．射線的電離作用

C．射線的物理、化學(xué)作用 D．以上三個(gè)選項(xiàng)都不是

(2)下圖是工廠利用放射線自動(dòng)控制鋁板厚度的裝置示意圖．如果工廠生產(chǎn)的是厚度為1毫米的鋁板，在α、β、γ三種射線中，你認(rèn)為對(duì)鋁板的厚度控制起主要作用的是________射線．

(3)在我國首先用人工方法合成牛胰島素時(shí)，需要證明人工合成的牛胰島素結(jié)晶跟天然牛胰島素的結(jié)晶是同一種物質(zhì)，為此曾采用放射性同位素做________．

A.油滴帶負(fù)電

B.保持開關(guān)閉合，將上極板上移，油滴保持靜止

C.保持開關(guān)閉合，將上極板下移，油滴保持靜止

D.保持開關(guān)閉合，將上極板右移，油滴保持靜止

【題目】1909～1911年英籍物理學(xué)家盧瑟福指導(dǎo)其學(xué)生做了用粒子襲擊金箔的實(shí)驗(yàn)，他發(fā)現(xiàn)絕大多數(shù)粒子穿過金箔后仍沿原來的方向前進(jìn)，少數(shù)粒子卻發(fā)生了較大角度的偏轉(zhuǎn)，極少數(shù)粒子偏轉(zhuǎn)角度超過了90°，有的甚至被彈回，這就是粒子散射實(shí)驗(yàn)，為了解釋這個(gè)結(jié)果，盧瑟福在1911年提出了原子的核式結(jié)構(gòu)模型：在原子的中心有一個(gè)很小的核，叫做原子核，原子的幾乎全部質(zhì)量都集中在原子核里，帶負(fù)電的電子在核外空間里繞著核旋轉(zhuǎn)，請(qǐng)你利用粒子散射實(shí)驗(yàn)結(jié)果估算金原子核的大小（保留一位有效數(shù)字）.（下列公式或數(shù)據(jù)為已知：點(diǎn)電荷的電勢(shì)，，金原子序數(shù)為79，粒子質(zhì)量，粒子速度，電子電荷量）.

【題目】如圖所示，在粒子散射實(shí)驗(yàn)中，圖中實(shí)線表示粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡，假定金原子核位置固定，a、b、c為某條軌跡上的三個(gè)點(diǎn)，其中a、c兩點(diǎn)距金原子核的距離相等，以下說法正確的是

A.粒子散射實(shí)驗(yàn)說明了原子具有核式結(jié)構(gòu)

B.大多數(shù)粒子擊中金箔后幾乎沿原方向繼續(xù)前進(jìn)說明了帶正電的原子核占據(jù)的空間很小

C.粒子經(jīng)過a、c兩點(diǎn)時(shí)動(dòng)能相等

D.根據(jù)粒子散射實(shí)驗(yàn)可以估算原子的大小

【題目】在粒子散射實(shí)驗(yàn)中，當(dāng)粒子穿過金箔時(shí)，下列說法正確的是

A.與金原子核相距較遠(yuǎn)的粒子，可能發(fā)生大角度偏轉(zhuǎn)

B.與金原子核相距較近的粒子，可能發(fā)生大角度偏轉(zhuǎn)

C.粒子與金原子核距離最近時(shí)，二者組成的系統(tǒng)的能量最小

D.粒子與金原子核距離最近時(shí)，二者組成的系統(tǒng)的勢(shì)能最大

【題目】如圖所示，根據(jù)粒子散射實(shí)驗(yàn)，盧瑟福提出了原子的核式結(jié)構(gòu)模型，圖中虛線表示原子核所形成的電場(chǎng)的等勢(shì)線，實(shí)線表示一個(gè)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡.在粒子從a運(yùn)動(dòng)到b再運(yùn)動(dòng)到c的過程中，下列說法正確的是

A.動(dòng)能先增大后減小

B.電勢(shì)能先減小后增大

C.電場(chǎng)力先做負(fù)功后做正功，總功等于零

D.加速度先減小后增大

A.速率越大的運(yùn)動(dòng)時(shí)間越長

B.運(yùn)動(dòng)時(shí)間越長的周期越大

C.速率越小的速度方向變化的角度越大

D.運(yùn)動(dòng)時(shí)間越長的半徑越小

A.D點(diǎn)的電勢(shì)為4 V

B.電子在B點(diǎn)的電勢(shì)能比在C點(diǎn)低1 eV

C.電子從B點(diǎn)到E點(diǎn)電場(chǎng)力做功為2eV

D.勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小為1V/m