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如圖所示,在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中,有一匝數(shù)為N的矩形線圈,其面積為S,電阻為r,線圈兩端外接一電阻為R的用電器和一個(gè)交流電壓表。若線圈繞對(duì)稱軸OOˊ以角速度ω做勻速轉(zhuǎn)動(dòng),則線圈從圖示位置轉(zhuǎn)過90°的過程中,下列說法正確的是
A.通過電阻的電量為
B.穿過線圈平面的磁通量的改變量為NBS
C.交流電壓表的示數(shù)為
D.電阻產(chǎn)生的熱量為
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如圖所示,內(nèi)壁光滑的絕熱氣缸豎直立于地面上,絕熱活塞將一定質(zhì)量的氣體封閉在氣缸中,活塞靜止時(shí)處于A位置,F(xiàn)將一重物輕輕地放在活塞上,活塞最終靜止在B位置。若氣體分子間的相互作用力可忽略不計(jì),則活塞在B位置時(shí)與活塞在A位置時(shí)相比較
A.氣體的內(nèi)能可能相同
B.氣體的溫度一定不同
C.單位體積內(nèi)的氣體分子數(shù)不變
D.單位時(shí)間內(nèi)氣體分子撞擊單位面積氣缸壁的次數(shù)一定增多
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在某一點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場中有a、b兩點(diǎn),相距為d,a點(diǎn)的場強(qiáng)大小為Ea,方向與ab連線成60°角,b點(diǎn)的場強(qiáng)大小為Eb,方向與ab連線成45°角,如圖所示。關(guān)于a、b兩點(diǎn)場強(qiáng)大小及電勢高低的關(guān)系的說法中正確的是
A.Ea=3Eb/2,φa>φb B.Ea=3Eb/2,φa<φb
C.Ea=2Eb/3,φa>φb D.Ea=2Eb/3,φa<φb
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質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)互換的核互為鏡像核,例如是的鏡像核,同樣也是 的鏡像核,利用鏡像核可研究短壽命不穩(wěn)定核。下列說法正確的是
A.和互為鏡像核
B.和互為鏡像核
C.核反應(yīng)+→+是α衰變
D.一個(gè)質(zhì)子和兩個(gè)中子結(jié)合成氚核()時(shí)一定放出能量
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如圖所示,固定在地面上的粗糙絕緣斜面ABCD的傾角為θ,空間中存在著與AB邊平行的水平勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)大小為E。將一個(gè)帶正電的小物塊(可視為質(zhì)點(diǎn))放置在這個(gè)斜面上,小物塊質(zhì)量為m,所帶電荷量為q,與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)u。若小物塊靜止,則下列說法中正確的是
A.小物塊受到五個(gè)力的作用
B.小物塊所受的摩擦力等于umgcos
C. 小物塊所受的摩擦力大于qE
D. 小物塊所受的摩擦力等于mgsin
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2009年10月6日,原香港中文大學(xué)校長、“光纖之父”高錕被宣布獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。早在1996年中國科學(xué)院紫金山天文臺(tái)就將一顆于1981年12月3日發(fā)現(xiàn)的國際編號(hào)為“3463”的小行星命名為“高錕星”。假設(shè)高錕星的公轉(zhuǎn)周期為T(T >1年),軌道半徑為R,萬有引力常量為G,則
A.高錕星公轉(zhuǎn)的線速度大于地球公轉(zhuǎn)的線速度
B.由上述數(shù)據(jù)可計(jì)算出太陽的質(zhì)量
C.由上述數(shù)據(jù)可計(jì)算出太陽和高錕星之間的引力
D.地球和高錕星的軌道半徑之比為
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如圖所示,間距為L=0.45m的帶電金屬板M、N豎直固定在絕緣平面上,板間形成勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)E=1.5 ×104V/m。N板接地(電勢為零),其中央有一小孔,一根水平絕緣細(xì)桿通過小孔,其左端固定在極板M上,F(xiàn)有一質(zhì)量m=0.05kg,帶電量q =+5.0×10-6C的帶正電小環(huán)套在細(xì)桿上,小環(huán)與細(xì)桿之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=0.1。小環(huán)以一定的初速度對(duì)準(zhǔn)小孔向左運(yùn)動(dòng),若小環(huán)與金屬板M發(fā)生碰撞,碰撞中能量不損失(即碰后瞬間速度大小不變)。設(shè)帶電環(huán)大小不計(jì)且不影響金屬板間電場的分布(g取10m/s2)。求:
(1)帶電小環(huán)以多大的初速度v0進(jìn)入電場,才能恰好到達(dá)金屬板M ?
(2)若帶電小環(huán)以初速度v1=1m/s進(jìn)入電場,當(dāng)其動(dòng)能等于電勢能時(shí),距離N板多遠(yuǎn)?
(3)小環(huán)至少以多大的初速度v2進(jìn)入電場,它在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)找不到動(dòng)能與電勢能相等的點(diǎn)?
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