題目列表(包括答案和解析)
)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。
實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應的化學方程式是????????????????????????? 。
(2)裝置C中的試劑是?????????? ; D、E間導管短且粗的原因是????????????? 。
(3)G中吸收尾氣一段時間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請設計實驗,探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設】假設1:只有SO32-;假設2:既無SO32-也無ClO-;假設3:?????? 。
【設計方案,進行實驗】可供選擇的實驗試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進行下列實驗。請完成下表:
序號 | 操? 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結論 |
① | 向a試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴????????? 溶液 |
| 假設3成立 |
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。
實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) |
SiCl4 |
AlCl3 |
FeCl3 |
沸點/℃ |
57.7 |
- |
315 |
熔點/℃ |
-70.0 |
- |
- |
升華溫度/℃ |
- |
180 |
300 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應的化學方程式是 。
(2)裝置C中的試劑是
; D、E間導管短且粗的原因是
。
(3)G中吸收尾氣一段時間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請設計實驗,探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設】假設1:只有SO32-;假設2:既無SO32-也無ClO-;假設3: 。
【設計方案,進行實驗】可供選擇的實驗試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進行下列實驗。請完成下表:
序號 |
操 作 |
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 |
結論 |
① |
向a試管中滴加幾滴 溶液 |
若溶液褪色 |
則假設1成立 |
若溶液不褪色 |
則假設2或3成立 |
||
② |
向b試管中滴加幾滴 溶液 |
若溶液褪色 |
則假設1或3成立 |
若溶液不褪色 |
假設2成立 |
||
③ |
向c試管中滴加幾滴 溶液 |
|
假設3成立 |
)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。
實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
序號 | 操 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結論 |
① | 向a試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴 溶液 | | 假設3成立 |
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。
實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
序號 | 操 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結論 |
① | 向a試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴 溶液 | | 假設3成立 |
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
序號 | 操 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結論 |
① | 向a試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴 溶液 | | 假設3成立 |
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