已知高溫下能發(fā)生如下反應(yīng):Si+C===SiC.現(xiàn)有石英砂和碳粉的混合物a mol,在高溫電爐中隔絕空氣充分反應(yīng).反應(yīng)完全后.冷卻得到殘留固體. (1)寫(xiě)出可能發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式. (2)若石英砂與混合物的物質(zhì)的量之比為x(0＜x＜1).試討論x的取值范圍.殘留固體的成分和物質(zhì)的量.并將結(jié)果填入下表中: x值 殘留固體分子式 物質(zhì)的量/mol 說(shuō)明:①殘留固體物質(zhì)的量用a,x等表示.不必列出具體的計(jì)算式. ②每組空格填一種情況.有幾種填幾種.不必填滿. 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

根據(jù)表中信息回答下列問(wèn)題。
元素
Si
P
S
Cl
單質(zhì)與氫氣
反應(yīng)的條件
高溫
磷蒸氣與氫氣能反應(yīng)
加熱
光照或點(diǎn)燃時(shí)發(fā)生爆炸而化合
 
（1）S在元素周期表中的位置是       。
（2）根據(jù)表中信息可知，Si、P、S、Cl 四種元素的的非金屬性依次增強(qiáng)。用原子結(jié)構(gòu)解釋原因：同周期元素電子層數(shù)相同，從左至右，       ，原子半徑逐漸減小，得電子能力逐漸增強(qiáng)。
（3）25℃時(shí)，以上四種元素的單質(zhì)與氫氣反應(yīng)生成l mol氣態(tài)氫化物的反應(yīng)熱如下：
a．+34.3 kJ·mol-1    b．+9.3 kJ·mol-1   c．?20.6 kJ·mol-1    d．?92.3 kJ·mol-1
請(qǐng)寫(xiě)出固態(tài)白磷（P4）與H2反應(yīng)生成氣態(tài)氫化物的熱化學(xué)方程式      。
（4）探究同主族元素性質(zhì)的一些共同規(guī)律，是學(xué)習(xí)化學(xué)的重要方法之一。已知硒（Se）是人體必需的微量元素，其部分信息如圖。

①下列有關(guān)說(shuō)法正確的是       （填字母）。
a. 原子半徑：Se＞S＞P             b. 穩(wěn)定性：H2Se＞H2S
c. 因?yàn)樗嵝訦2Se＜HCl，所以非金屬性Se＜Cl
d. SeO2是酸性氧化物，能與燒堿溶液反應(yīng)
②在下表中列出對(duì)H2SeO3各種不同化學(xué)性質(zhì)的推測(cè)，舉例并寫(xiě)出相應(yīng)的化學(xué)方程式。
編號(hào)
性質(zhì)推測(cè)
化學(xué)方程式
1
氧化性
H2SeO3＋4HI=Se↓＋2I2＋3H2O
2
 
 
3
 
 
 

查看答案和解析>>

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅：SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑．
②粗硅與干燥的Cl2反應(yīng)制得SiCl4：Si+2C12
  △  
.
 
SiCl4．
③SiCl4被過(guò)量的H2在1 000～1 100℃時(shí)還原制得純硅：SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HCl．
某同學(xué)從資料中查知：SiCl4的熔點(diǎn)為-7O℃，沸點(diǎn)為57.6℃，且在潮濕的空氣中能發(fā)生水解反應(yīng)．該同學(xué)設(shè)計(jì)了如下制取純硅的實(shí)驗(yàn)裝置（熱源及夾持裝置已略去）．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）使SiCl4從裝置B中逸出與H2充分混合，應(yīng)采取的措施是
對(duì)裝置B水浴加熱
對(duì)裝置B水浴加熱
．
（2）裝置C不能采用普通玻璃管的原因是
在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
，石英的化學(xué)式是
SiO2
SiO2
．
（3）如果從裝置A中快速向裝置B中通入氣體，可能觀察到的現(xiàn)象是
B中液面上方產(chǎn)生少量白霧，液體中有少量白色膠狀物生成
B中液面上方產(chǎn)生少量白霧，液體中有少量白色膠狀物生成
．
（4）為防止空氣污染，含有SiCl4的尾氣要通入盛有
NaOH
NaOH
溶液的燒杯中，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
．
（5）為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度，還應(yīng)對(duì)該裝置進(jìn)行的改進(jìn)是
在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶（或盛有堿石灰的干燥管）．
在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶（或盛有堿石灰的干燥管）．
．

查看答案和解析>>

 晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2。
③SiHCl3與過(guò)量的H2在1000～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。
（2）用SiHCl3與過(guò)量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

查看答案和解析>>

晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClEquation.3SiHCl3+H2?

③SiHCl3與過(guò)量H2在1 000～1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。?

請(qǐng)完成下列問(wèn)題：?

（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)_______________。?

（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0 ℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6 ℃）和HCl（沸點(diǎn)－84.7 ℃），提純SiHCl3采用的方法為：________________。

（3）用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：?

①裝置B中的試劑是________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：________________。?

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。?

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是________。?

a.碘水　

b.氯水　

c.NaOH溶液　

d.KSCN溶液　

e.Na2SO3溶液

查看答案和解析>>

28.晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2

③SiHCl3與過(guò)量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)______________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃)，提純SiHCl3采用的方法為_(kāi)___________________。

(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是_________________________。

  裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_____________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_________________________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及______________________________________。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是_________________。

a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊(cè)答案