分別寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)室.工業(yè)制備N(xiāo)aOH 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:

物質(zhì)

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點(diǎn)/

57.7

315

熔點(diǎn)/

-70.0

升華溫度/

180

300

 

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

1)寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是????????????????????????? 。

2)裝置C中的試劑是?????????? D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是????????????? 。

3G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、ClSO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。

【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3?????? 。

【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:

序號(hào)

操? 作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結(jié)論

a試管中滴加幾滴????????? 溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1成立

若溶液不褪色

則假設(shè)23成立

b試管中滴加幾滴????????? 溶液

若溶液褪色

則假設(shè)13成立

若溶液不褪色

假設(shè)2成立

c試管中滴加幾滴????????? 溶液

 

假設(shè)3成立

 

 

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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:

物質(zhì)

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點(diǎn)/℃

57.7

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

升華溫度/℃

180

300

 

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                          。

(2)裝置C中的試劑是           ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是              。

(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。

【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3:       。

【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:

序號(hào)

操  作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結(jié)論

向a試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1成立

若溶液不褪色

則假設(shè)2或3成立

向b試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1或3成立

若溶液不褪色

假設(shè)2成立

向c試管中滴加幾滴          溶液

              

假設(shè)3成立

 

 

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)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:

物質(zhì)
SiCl4
AlCl3
FeCl3
沸點(diǎn)/℃
57.7

315
熔點(diǎn)/℃
-70.0


升華溫度/℃

180
300
 
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                         。
(2)裝置C中的試劑是          ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是             。
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3:      
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:
序號(hào)
操 作
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象
結(jié)論

向a試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1成立
若溶液不褪色
則假設(shè)2或3成立

向b試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1或3成立
若溶液不褪色
假設(shè)2成立

向c試管中滴加幾滴         溶液
              
假設(shè)3成立
 

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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:

物質(zhì)
SiCl4
AlCl3
FeCl3
沸點(diǎn)/℃
57.7

315
熔點(diǎn)/℃
-70.0


升華溫度/℃

180
300
 
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                         。
(2)裝置C中的試劑是          ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是             
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3:      。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:
序號(hào)
操 作
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象
結(jié)論

向a試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1成立
若溶液不褪色
則假設(shè)2或3成立

向b試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1或3成立
若溶液不褪色
假設(shè)2成立

向c試管中滴加幾滴         溶液
              
假設(shè)3成立
 

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)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:
物質(zhì)
SiCl4
AlCl3
FeCl3
沸點(diǎn)/℃
57.7

315
熔點(diǎn)/℃
-70.0


升華溫度/℃

180
300
 
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                         。
(2)裝置C中的試劑是          ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是             
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3:      。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:
序號(hào)
操 作
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象
結(jié)論

向a試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1成立
若溶液不褪色
則假設(shè)2或3成立

向b試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1或3成立
若溶液不褪色
假設(shè)2成立

向c試管中滴加幾滴         溶液
              
假設(shè)3成立
 

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