從原子、分子水平上幫助我們認(rèn)識物質(zhì)構(gòu)成的規(guī)律；以微粒之間不同的作用力為線索，研究不同類型物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)；從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角預(yù)測物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)．

（1）下列說法正確的是          （填字母）．

A．元素電負(fù)性由大到小的順序為F＞O＞N

B．一個苯分子含3個π鍵和6個σ鍵

C．氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數(shù)相同

D．第一電離能的大小為Br＞Se＞As

（2）根據(jù)等電子體原理，羰基硫（OCS）分子的結(jié)構(gòu)式為          ．光氣（COCl₂）各原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，COCl₂分子空間構(gòu)型為          （用文字描述）．

（3）Cu ²⁺基態(tài)的電子排布式為          ．向硫酸銅溶液中加入過量氨水，然后加入適量乙醇，溶液中會析出深藍(lán)色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體，該物質(zhì)中配位原子的雜化方式為          ，不考慮空間構(gòu)型，其內(nèi)界結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為          ．

從原子、分子水平上幫助我們認(rèn)識物質(zhì)構(gòu)成的規(guī)律；以微粒之間不同的作用力為線索，研究不同類型物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)；從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角預(yù)測物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)。

（1）下列說法正確的是                   （填序號）。

A．元素電負(fù)性由大到小的順序為：F＞O＞N

B．一個苯分子含3個π鍵和6個σ鍵

C．氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數(shù)相同

D．第一電離能的大小為：Br＞Se＞As

（2）根據(jù)等電子體原理，羰基硫（OCS）分子的結(jié)構(gòu)式應(yīng)為        。光氣(COC1₂)分子內(nèi)各原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則光氣分子的空間構(gòu)型為           （用文字描述）。

（3）Cu²⁺基態(tài)電子排布式為            。向硫酸銅溶液中加入過量氨水，然后加入適量乙醇，溶液中會析出深藍(lán)色的[Cu(NH₃)₄]SO₄晶體，該物質(zhì)中配位原子的雜化方式為       ，若不考慮空間構(gòu)型，其內(nèi)界結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為                      。

（08廣東實驗中學(xué)三模）砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽�砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是              （選填序號）。

A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同     

B．第一電離能：As＞Ga

C．電負(fù)性:As＞Ga                                    

D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                        。

AsH₃空間形狀為：             (CH₃)₃Ga中碳鎵鍵之間的鍵角為：            。

（3）Ga的核外電子排布式為：               。

（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：               。

（5）請預(yù)測AsH₃的兩種化學(xué)性質(zhì)：