（13分）有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對(duì)電子，A⁺比B^—少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后， 3p軌道已充滿；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對(duì)電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A⁺與D^2—離子數(shù)之比為2：1。請(qǐng)回答下列問題：

（1）A元素形成的晶體屬于密置堆積方式，則其晶體晶胞類型屬于　　　　　　 。（填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”）。

（2）B^—的電子排布式　　　，在CB₃分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。

（3）C的氫化物空間構(gòu)型為　　　　　　 ，其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是　　　　　　 。

（4）B元素的電負(fù)性　　　　　　 D元素的電負(fù)性（填“>”，“<”或“=”）；用一個(gè)化學(xué)方程

式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱：　　　　　　 。

（5）如上圖所示是R形成的晶體的晶胞，設(shè)晶胞的邊

長(zhǎng)為acm。則R晶體的密度為　　　　　　 。（阿伏加德數(shù)常數(shù)用N_A表示）

（14分）有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對(duì)電子，A⁺比B^-少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子后3p軌道全滿；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對(duì)電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度是同族元素所形成的氫化物中最大的；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40％，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A與D離子數(shù)之比為2∶1。請(qǐng)回答下列問題：

⑴A單質(zhì)、B單質(zhì)、化合物R的熔點(diǎn)大小順序?yàn)橄铝械?                （填序號(hào)）：

①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R；           ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì)；

③B單質(zhì)>R >A單質(zhì)；           ④A單質(zhì)>R>B單質(zhì)。

⑵在CB₃分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是________雜化，其固體的晶體類型為              ；

⑶寫出D原子的核外價(jià)電子排布式           _，C的氫化物比D的氫化物在水中溶解度大得多的可能原因                       

                          ；

⑷右圖是D和Fe形成的晶體FeD₂最小單元“晶胞”，F(xiàn)eD₂晶體 

中陰、陽離子數(shù)之比為             ，F(xiàn)eD₂物質(zhì)中具有的化

學(xué)鍵類型為                。

（13分）有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對(duì)電子，A⁺比B^—少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后， 3p軌道已充滿；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對(duì)電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A⁺與D^2—離子數(shù)之比為2：1。請(qǐng)回答下列問題：
（1）A元素形成的晶體屬于密置堆積方式，則其晶體晶胞類型屬于　　　　　　。（填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”）。
（2）B^—的電子排布式　　　，在CB₃分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。
（3）C的氫化物空間構(gòu)型為　　　　　　，其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是　　　　　　。
（4）B元素的電負(fù)性　　　　　　D元素的電負(fù)性（填“>”，“<”或“=”）；用一個(gè)化學(xué)方程
式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱：　　　　　　。

（5）如上圖所示是R形成的晶體的晶胞，設(shè)晶胞的邊
長(zhǎng)為acm。則R晶體的密度為　　　　　　。（阿伏加德數(shù)常數(shù)用N_A表示）

（14分）有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對(duì)電子，A⁺比B^-少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子后3p軌道全滿；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對(duì)電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度是同族元素所形成的氫化物中最大的；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40％，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A與D離子數(shù)之比為2∶1。請(qǐng)回答下列問題：

⑴A單質(zhì)、B單質(zhì)、化合物R的熔點(diǎn)大小順序?yàn)橄铝械?u>                （填序號(hào)）：
①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R；            ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì)；
③B單質(zhì)>R >A單質(zhì)；            ④A單質(zhì)>R>B單質(zhì)。
⑵在CB₃分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是________雜化，其固體的晶體類型為              ；
⑶寫出D原子的核外價(jià)電子排布式          _，C的氫化物比D的氫化物在水中溶解度大得多的可能原因                       
                          ；
⑷右圖是D和Fe形成的晶體FeD₂最小單元“晶胞”，F(xiàn)eD₂晶體 
中陰、陽離子數(shù)之比為             ，F(xiàn)eD₂物質(zhì)中具有的化
學(xué)鍵類型為                。

（13分）有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對(duì)電子，A⁺比B^—少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后， 3p軌道已充滿；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對(duì)電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A⁺與D^2—離子數(shù)之比為2：1。請(qǐng)回答下列問題：

（1）A元素形成的晶體屬于密置堆積方式，則其晶體晶胞類型屬于　　　　　　 。（填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”）。

（2）B^—的電子排布式　　　，在CB₃分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。

（3）C的氫化物空間構(gòu)型為　　　　　　 ，其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是　　　　　　 。

（4）B元素的電負(fù)性　　　　　　 D元素的電負(fù)性（填“>”，“<”或“=”）；用一個(gè)化學(xué)方程

式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱：　　　　　　 。

（5）如上圖所示是R形成的晶體的晶胞，設(shè)晶胞的邊

長(zhǎng)為acm。則R晶體的密度為　　　　　　 。（阿伏加德數(shù)常數(shù)用N_A表示）