20.GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料.其性能比硅更優(yō闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯顢曢敐鍡欘槬缂佺偓鍎抽…鐑藉蓟閺囩喓绠鹃柣鎰靛墯閻濇梻绱掗悙顒€鍔ら柣蹇旂箞閸╃偤骞嬮敂钘変汗閻庤娲栧ù鍌炲汲閿熺姵鈷戦柟鑲╁仜閳ь剚娲熼幃褑绠涘☉妯肩枀闂佸綊妫块悞锕傚磻鐎n喗鐓曟い鎰剁悼缁犳﹢鏌i悢鏉戝婵﹨娅g槐鎺懳熼搹鍦噯闂備浇顕х换鎴濈暆閸涘﹣绻嗛柣銏⑶圭粈瀣亜閺嶃劍鐨戞い鏂匡躬濮婅櫣鎲撮崟顒€鍓归梺鎼炲姂娴滆泛顕i锝冨亝闁告劏鏅濋崢浠嬫煙閸忚偐鏆橀柛銊ヮ煼瀹曨垶寮婚妷锔惧幍闂佸憡鍨崐鏍偓姘炬嫹查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外層的電子數(shù)分別是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物,該化合物也能用作半導(dǎo)體材料。試推斷該化合物的化學(xué)式。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是            。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為            。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為__________________。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為__________________。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

    (1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是            。

    (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

    (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為            。

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