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第ⅢA.VA元素組成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料.其晶體結構與單晶硅相似. 用砷化鎵制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍.而耗能只有其10%.推廣砷化鎵等發(fā)光二極管照明.是節(jié)能減排的有效舉措.試回答: (1)Ga的基態(tài)原子的核外電子排布式為 . (2)下列說法正確的是 . A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．第一電離能:Ga＞As C．電負性:As＞Ga D．半導體GaP.SiC與砷化鎵互為等電子體 (3)砷化鎵是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制備得到.同時得到另一物質.該分子是 (填“極性分子或“非極性分子 ).AsH3的空間形狀為 .(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為 (4)AsH3的沸點比NH3的低.其原因是 . 【查看更多】

第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似．試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為

1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（2）下列說法正確的是

AC

（選填序號）．
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負性：As＞Ga D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH₃）₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時得到另一物質，該物質分子是

非極性分子

（填“極性分子”或“非極性分子”）．（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為

sp²

．
（4）如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子．

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為。

（2）下列說法正確的是（選填序號）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負性：As＞Ga D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時得到另一物質，該物質分子是（填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為。

（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為 g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時得到另一物質，該物質分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）