23． C.Si.Ge.Sn是同族元素.該族元素單質(zhì)及其化合物在材料.醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用.請(qǐng)回答下列問(wèn)題: (1) Ge的原子核外電子排布式為 (2) C.Si.Sn三種元素的單質(zhì)中.能夠形成金屬晶體的是 (3) 按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型.成鍵方式或性質(zhì) ①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式 , ②SiO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式 , ③已知SnO2是離子晶體.寫出其主要物理性質(zhì) (4) CO可以和很多金屬形成配合物.如Ni(CO)4.Ni與CO之間的鍵型為 (5) 碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比.已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060cm-1.CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143cm-1.則Ni(CO)4中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度 A.強(qiáng) B.弱 C.相等 D.無(wú)法判斷 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為
[Ar]3d104s24p2
[Ar]3d104s24p2
．
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是
Sn
Sn
．
（3）已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)
熔沸點(diǎn)較高，硬度較大
熔沸點(diǎn)較高，硬度較大
（寫出2條即可）．
（4）已知：
CH4 SiH4 NH3 PH3
沸點(diǎn)（K） 101.7 161.2 239.7 185.4
分解溫度（K） 873 773 1073 713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，請(qǐng)回答：
①CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，沸點(diǎn)高低的原因是
CH4和SiH4比較，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，故沸點(diǎn)高，而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高
CH4和SiH4比較，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，故沸點(diǎn)高，而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高
．
②CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，分解溫度高低的原因是
分解破壞的均為共價(jià)鍵，C-H的鍵能大于Si-H的鍵能，N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能
分解破壞的均為共價(jià)鍵，C-H的鍵能大于Si-H的鍵能，N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能
．
結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)
HF
HF
先液化．

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C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)Ge的原子結(jié)構(gòu)示意圖：____________；

(2)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式(化學(xué)鍵類型)或性質(zhì)

①CO2分子的空間構(gòu)型____________；

②SiO2晶體中硅氧原子之間的成鍵方式____________；

③已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)______________________(寫出2條即可)。

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C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為           ；
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是         ；
（3）已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)         ；（寫出2條即可）
（4）已知：

 
CH4
SiH4
NH3
PH3
沸點(diǎn)（K）
101.7
161.2
239.7
185.4
分解溫度（K）
873
773
1073
713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，請(qǐng)回答：
①CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，沸點(diǎn)高低的原因是           ；
②CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，分解溫度高低的原因是        ；
結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)     ；
（5）)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn—Br的鍵角　　　120°（填“＞”“＜”或“＝”）。
(6)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn)，Ba2+處于晶胞中心，O2-處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為　　　　　　　，每個(gè)Ba2+與　　　　個(gè)O2-配位。

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C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)Ge的原子核外電子排布式為_(kāi)______________________。
(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是________________。
(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)
①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式_____________________________；
②SiO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式_____________________________；
③已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)____________________________。(寫出2條即可)
(4)CO可以和很多金屬形成配合物，如Ni(CO)4，Ni與CO之間的鍵型為_(kāi)______________。
(5)碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比，已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060 cm-1，
CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143 cm-1，則Ni(CO)4中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度________(填字母)
(A)強(qiáng) (B)弱 (C)相等 (D)無(wú)法判斷

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C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為_(kāi)_____．
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是______．
（3）已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)______（寫出2條即可）．
（4）已知：
CH4 SiH4 NH3 PH3
沸點(diǎn)（K） 101.7 161.2 239.7 185.4
分解溫度（K） 873 773 1073 713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，請(qǐng)回答：
①CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，沸點(diǎn)高低的原因是______．
②CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，分解溫度高低的原因是______．
結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)______先液化．

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