方向如圖所示的勻強電場（場強為E）和勻強磁場（磁感應(yīng)強度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v₀射入場區(qū)，則                    （    ）

A．若v₀＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運動，出場區(qū)時速度v＞v₀

B．若v₀＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運動，出場區(qū)時速度v＜v₀

C．若v₀＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運動，出場區(qū)時速度v＞v₀

D．若v₀＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運動，出場區(qū)時速度v＜v₀

方向如圖所示的勻強電場（場強為E）和勻強磁場（磁感應(yīng)強度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v₀射入場區(qū)，則                    （    ）

A．若v₀＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運動，出場區(qū)時速度v＞v₀

B．若v₀＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運動，出場區(qū)時速度v＜v₀

C．若v₀＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運動，出場區(qū)時速度v＞v₀

D．若v₀＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運動，出場區(qū)時速度v＜v₀

方向如圖所示的勻強電場（場強為E）和勻強磁場（磁感應(yīng)強度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v₀射入場區(qū)，則                   （    ）

A．若v₀＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運動，出場區(qū)時速度v＞v₀

B．若v₀＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運動，出場區(qū)時速度v＜v₀

C．若v₀＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運動，出場區(qū)時速度v＞v₀

D．若v₀＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運動，出場區(qū)時速度v＜v₀

方向如圖所示的勻強電場（場強為E）和勻強磁場（磁感應(yīng)強度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v₀射入場區(qū)，則                   （   ）