②若紙帶上第1.2兩點(diǎn)間的距離為1.4mm .造成這一數(shù)值小于2 mm 的原因可能是 A.重錘下落時受到的阻力過大 B.實(shí)驗(yàn)過程中先釋放紙帶.后接通電源C.交流電源的頻率大于50Hz D.紙帶開始下落與打點(diǎn)計時器打第一個點(diǎn)不同步 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感強(qiáng)度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi),PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙,F(xiàn)在有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受電場力為重力的倍。現(xiàn)將小環(huán)從M點(diǎn)右側(cè)的D點(diǎn)由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn)。

 。1)求DM間距離x0

 。2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大小;

  (3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)4R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功。

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如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi),PQMN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的1/2.現(xiàn)將小環(huán)從M點(diǎn)右側(cè)的D點(diǎn)由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn).

(1)D、M間距離x0

(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大。

(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)5R處由靜止釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.

 

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如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi),PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的1/2.現(xiàn)將小環(huán)從M點(diǎn)右側(cè)的D點(diǎn)由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn).

(1)求D、M間距離x0
(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大。
(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)5R處由靜止釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.

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如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感強(qiáng)度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi),PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙.現(xiàn)在有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受電場力為重力的
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倍.現(xiàn)將小環(huán)從M點(diǎn)右側(cè)的D點(diǎn)由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn).
(1)求DM間距離x0
(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大。
(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)4R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.
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如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強(qiáng)電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi),PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場邊界線上,NMAP段光滑,PQ段粗糙,現(xiàn)在有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受電場力為重力的倍。現(xiàn)將小環(huán)從M點(diǎn)右側(cè)的D點(diǎn)由靜止釋放,小環(huán)剛好能到達(dá)P點(diǎn).

(1)求DM間距離;

(2)求上述過程中,小環(huán)第一次通過與O等高的A點(diǎn)時,半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大小;

(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)4R處由靜止開始釋放,求小球在整個運(yùn)動過程中克服摩擦力所做的功.

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