如圖甲所示，空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向如圖所示。兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ。abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L（L＞s）的正方形線框，每邊的電阻為R。線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運(yùn)動，從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進(jìn)入Ⅲ區(qū)，線框ab邊始終與磁場邊界平行。求：

（1）當(dāng)ab邊在Ⅱ區(qū)運(yùn)動時，dc邊所受安培力的大小和方向；

（2）線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進(jìn)入Ⅲ區(qū)的整個運(yùn)動過程中產(chǎn)生的焦耳熱；

（3）請在圖乙的坐標(biāo)圖中畫出，從ab邊剛進(jìn)入Ⅱ區(qū)，到cd邊剛進(jìn)入Ⅲ區(qū)的過程中，

d、a兩點(diǎn)間的電勢差U_da隨時間t變化的圖線。其中E₀ = BLv 。

如圖甲所示，空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向如圖所示。兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ。abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L（L>s）的正方形線框，每邊的電阻為R。線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運(yùn)動，從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進(jìn)入Ⅲ區(qū)，線框ab邊始終與磁場邊界平行。

求：

（1）當(dāng)ab也在Ⅱ區(qū)運(yùn)動時，dc邊所受安培力的大小和方向；

（2）線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進(jìn)入Ⅲ區(qū)的整個運(yùn)動過程中產(chǎn)生的焦耳熱；

（3）請在圖乙的坐標(biāo)圖中畫出，從ab邊剛進(jìn)入Ⅱ區(qū)，到cd邊剛進(jìn)入Ⅲ區(qū)的過程中，d、a兩點(diǎn)間的電勢差U_da隨時間t變化的圖線。其中E₀=BLv。