（18分）碳族元素包括。

（1）碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過sp²雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠　　　　結(jié)合在一起。

（2）干冰和晶體碘晶體結(jié)構(gòu)相似，其晶胞平均含           個(gè)分子，一個(gè)分子周圍有          個(gè)緊鄰的分子。

（3）中共用電子對(duì)偏向，中共用電子對(duì)偏向，則的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>　　　　。

（4）用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子中的鍵角　　　（填“＞”“＜”或“＝”）。

（5）鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：處于立方晶胞頂點(diǎn)，處于晶胞中心，處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為　　　　　　　，每個(gè)與　　　　個(gè)配位。

（6）金剛石的晶胞平均含           個(gè)碳原子；單質(zhì)Au的堆積模型名稱為         。

（18分）碳族元素包括。

（1）碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過sp²雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠　　　　結(jié)合在一起。

（2）干冰和晶體碘晶體結(jié)構(gòu)相似，其晶胞平均含          個(gè)分子，一個(gè)分子周圍有         個(gè)緊鄰的分子。

（3）中共用電子對(duì)偏向，中共用電子對(duì)偏向，則的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>　　　　。

（4）用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子中的鍵角　　　（填“＞”“＜”或“＝”）。

（5）鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：處于立方晶胞頂點(diǎn)，處于晶胞中心，處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為　　　　　　　，每個(gè)與　　　　個(gè)配位。

（6）金剛石的晶胞平均含          個(gè)碳原子；單質(zhì)Au的堆積模型名稱為        。

碳族元素包括。

（1）碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過sp²雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠　　　　結(jié)合在一起。

（2）干冰和晶體碘晶體結(jié)構(gòu)相似，其晶胞平均含           個(gè)分子，一個(gè)分子周圍有          個(gè)緊鄰的分子。

（3）中共用電子對(duì)偏向，中共用電子對(duì)偏向，則的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>　　　　。

（4）用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子中的鍵角　　　（填“＞”“＜”或“＝”）。

（5）鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：處于立方晶胞頂點(diǎn)，處于晶胞中心，處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為　　　　　　　，每個(gè)與　　　　個(gè)配位。

（6）金剛石的晶胞平均含           個(gè)碳原子；單質(zhì)Au的堆積模型名稱為         。

（８分）【化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】

碳族元素包括：C、Si、 Ge、 Sn、Pb。

(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過　　　　雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠　　　　結(jié)合在一起。

(2)CH₄中共用電子對(duì)偏向C，SiH₄中共用電子對(duì)偏向H，則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>　　　　。

(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr₂分子中Sn—Br的鍵角　　　120°（填“＞”“＜”或“＝”）。

(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：Pb⁴⁺處于立方晶胞頂點(diǎn)，Ba²⁺處于晶胞中心，O^2-處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為　　　　　　　，每個(gè)Ba²⁺與　　　　個(gè)O^2-配位。

（８分）【化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
碳族元素包括：C、Si、 Ge、 Sn、Pb。
(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過　　　　雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠　　　　結(jié)合在一起。
(2)CH₄中共用電子對(duì)偏向C，SiH₄中共用電子對(duì)偏向H，則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序為　　　　。
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr₂分子中Sn—Br的鍵角　　　120°（填“＞”“＜”或“＝”）。
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：Pb⁴⁺處于立方晶胞頂點(diǎn)，Ba²⁺處于晶胞中心，O^2-處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為　　　　　　　，每個(gè)Ba²⁺與　　　　個(gè)O^2-配位。