40鍵 角109°28′約120°180°120°分子形狀正四面體平面型直線型平面六邊形主要化學(xué)性質(zhì) 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

PCl3的分子結(jié)構(gòu)是( 。?

A.平面三角形,鍵角小于120°?

B.平面三角形,鍵角120°?

C.三角錐形,鍵角小于109°28′?

D.三角錐形,鍵角109°28′

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20世紀(jì)50年代科學(xué)家提出價層電子對互斥理論(簡稱VSEPR模型),用于預(yù)測簡單分子立體構(gòu)型.其要點(diǎn)可以概括為:
用ABn表示只含一個中心原子的分子,A為中心原子,B為與中心原子相結(jié)合的原子,m為中心原子最外層未參與成鍵的孤電子對,(n+m)稱為價層電子對數(shù).分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間…
(1)根據(jù)上述要點(diǎn)可以畫出ABn的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?br />
n+m 2 4
VSEPR理想模型 直線形
 
價層電子對之間的理想鍵角
 
109°28′
(2)SO32-的立體構(gòu)型為
 

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A、B、C、D、E、F均為周期表中前四周期元素,其原子序數(shù)依次增大,其中A、B、C為短周期非金屬元素.A是形成化合物種類最多的元素;B原子基態(tài)電子排布中只有一個未成對電子;C是同周期元素中原子半徑最小的元素.D的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多;E 與D相鄰,E的某種氧化物X與C的氫化物的濃溶液加熱時反應(yīng)常用于實(shí)驗室制取氣態(tài)單質(zhì)C;F與D的最外層電子數(shù)相等.回答下列問題(相關(guān)回答均用元素符號表示):
(1)D的基態(tài)原子的核外電子排布式是
 

(2)B的氫化物的沸點(diǎn)比C氫化物的沸點(diǎn)
 
(填“高”或“低”),原因是
 

(3)A的電負(fù)性
 
C的電負(fù)性(填“大于”或“小于”),A形成的氫化物A2H4中A的雜化類型是
 

(4)X在制取C單質(zhì)中的作用是
 
,C的某種含氧酸鹽常用于實(shí)驗室中制取氧氣,此酸根離子中化學(xué)鍵的鍵角
 
 109°28′(填“>”、“=”或“<”).精英家教網(wǎng)
(5)已知F與C的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則該化合物的化學(xué)式是
 
,若F與C原子最近的距離為a cm,則該晶體的密度為
 
g?cm-3(只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA ).

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A、B、C、D、E、F六種元素位于短周期,原子序數(shù)依次增大,C基態(tài)原子核外有三個未成對電子,B與D形成的化合物BD與C的單質(zhì)C2電子總數(shù)相等,CA3分子結(jié)構(gòu)為三角錐形,D與E可形成E2D與E2D2兩種離子化合物,D與F是同族元素.
根據(jù)以上信息,回答下列有關(guān)問題:
(1)寫出基態(tài)時D的電子排布圖

(2)寫出化合物E2F2的電子式
,化合物ABC的結(jié)構(gòu)式

(3)根據(jù)題目要求完成以下填空:
BF32-中心原子雜化方式
sp2雜化
sp2雜化
;D3中心原子雜化方式
sp2雜化
sp2雜化
;
FD42-微粒中的鍵角
109°28′
109°28′
;FD3分子的立體構(gòu)型
平面三角形
平面三角形

(4)根據(jù)等電子原理,指出與BD2互為等電子體且含有C原子的微粒有
N2O
N2O
OCN-或SCN-或N3-
OCN-或SCN-或N3-
(要求寫一種分子和一種離子).
(5)B3A7CD2能與EABD3溶液反應(yīng)生成BD2氣體,該分子具有手性,其結(jié)構(gòu)簡式為
,分子中的σ鍵數(shù)目為
12
12
,π鍵數(shù)目為
1
1

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(每空2  1620世紀(jì)50年代科學(xué)家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預(yù)測簡單分子立體結(jié)構(gòu)。其要點(diǎn)可以概括為:

Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結(jié)合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(nm)稱為價層電子對數(shù)。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;

Ⅱ、分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子; Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:  i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;  ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;  iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強(qiáng);  iv、其他。

 請仔細(xì)閱讀上述材料,回答下列問題:

(1)根據(jù)要點(diǎn)I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?/p>

nm

2

 

VSEPR理想模型

 

正四面體

價層電子對之間的理想鍵角

 

109°28′

(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因                         。

(3) H2O分子的立體構(gòu)型為:           ,請你預(yù)測水分子中∠H-O-H的大小范圍為           ,原因是                                  

(4) SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結(jié)合,S-Cl、S-F之間以單鍵結(jié)合。請你預(yù)測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構(gòu)型:             

 

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