（2010?揚(yáng)州模擬）多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱(chēng)為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl₄為主，它對(duì)環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl₄水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO₃，且含有鈣、鐵、鎂等離子）制備BaCl₂?2H₂O，工藝流程如下．已知常溫下Fe³⁺、Mg²⁺完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4． 
  
（1）SiCl₄水解控制在40℃以下的原因是．
已知：SiCl₄（s）+H₂（g）=SiHCl₃（s）+HCl（g）△H₁=+47kJ/mol；SiHCl₃（s）+H₂（g）=Si（s）+3HCl（g）△H₂=+189kJ/mol
則由SiCl₄制備硅的熱化學(xué)方程式為．
（2）加鋇礦粉時(shí)生成BaCl₂的離子反應(yīng)方程式是．
（3）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是，控制溫度70℃的目的是．
（4）BaCl₂濾液經(jīng)蒸發(fā)濃縮、降溫結(jié)晶、過(guò)濾，再經(jīng)真空干燥后得到?2H₂O．實(shí)驗(yàn)室中蒸發(fā)濃縮用到的含硅酸鹽的儀器有種．
（5）為體現(xiàn)該工藝的綠色化學(xué)思想，該工藝中能循環(huán)利用的物質(zhì)是．

多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱(chēng)為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl₄為主，它對(duì)環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl₄水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO₃，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl₂?2H₂O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe³⁺、Mg²⁺完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
②M （BaCO₃）=197g/mol，M（BaCl₂?2H₂O）=244g/mol

（1）SiCl₄水解反應(yīng)的方程式為，SiCl₄水解控制在40℃的原因是．
（2）已知：SiCl₄（s）+H₂（g）=SiHCl₃（s）+HCl（g）△H₁=+47kJ/mol
SiHCl₃（s）+H₂（g）=Si（s）+3HCl（g）△H₂=+189kJ/mol則由SiCl₄制備硅的熱化學(xué)方程式為．
（3）加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的作用是使BaCO₃轉(zhuǎn)化為BaCl₂和．
（4）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是．
（5）BaCl₂濾液經(jīng)、冷卻結(jié)晶、、洗滌，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl₂?2H₂O．