C.在CsCl晶體中.每個(gè)Cs+周圍與其最近等距離的Cs+為6個(gè). 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(1)下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是
 

A.石英晶體中的硅原子以sp2雜化方式與周圍的氧原子形成共價(jià)鍵
B.氯化鈉晶體中每個(gè)Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個(gè)Cl-或Na+
C.在CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-,而和每個(gè)Cl-等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
D.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型.某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,請(qǐng)改正圖精英家教網(wǎng)
中錯(cuò)誤:
 
.(用文字表述)
(3)第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表:
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:
 

(4)人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn).有研究表明,化合物X可用于研究模擬酶,當(dāng)其結(jié)合精英家教網(wǎng)或Cu(I)(I表示化合價(jià)為+1)時(shí),分別形成a和b:
分析a和b中微粒間的相互作用(包括化學(xué)鍵和分子間相互作用)的差異,試指出
其不同點(diǎn):a中含
 
,b中含
 
.(用“氫鍵”、“配位鍵”、“極性鍵”、“非極性鍵”等填空)

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1、B  2、C  3、D  4、A  5、D  6、A  7、D  8、C  9、AC  10、D  11、D  12、BD  13、AB   14、A

15.(12分)

1、(1)Br2;Fe3+  (每空2分,共4分)

(2)假設(shè)1方案:向黃色溶液加入CCl4,振蕩,靜置,下層溶液呈橙紅色。(2分)

假設(shè)2方案:向黃色溶液滴加KSCN溶液,溶液變?yōu)?血)紅色       (2分)

2、假設(shè)2 (1分);不可行(1分);因?yàn)锽r2和Fe3+都能把I氧化成I2使溶液都變藍(lán),無(wú)法得出結(jié)論。(2分)

3、2 Fe2+ + 4 Br- + 3Cl2 == 2 Fe3+ +2 Br2 + 6Cl-  (2分)

16、

17、各元素分別為A :H    B :O  C: Na     D:S

    各物質(zhì)為 a:SO2    b:SO3     c:H2S     d:H2O      e :H2O2

 

18.(10分)

(1)SO2  NH4(各2分,共4分)

(2)2Fe2++ Cl2=2 Fe3+ + 2Cl- (2分)     4NH3+3Cl2=NCl3+3NH4Cl  (2分)

(3)飽和H水溶液中存在平衡:Cl2+H2O6ec8aac122bd4f6eH++Cl-+HClO,加入的CaCO3粉末與H+反應(yīng),平衡正向移動(dòng),HClO濃度增大   (2分)

 

19(10分)(1)①②④  (2)羧基  碳碳雙鍵

6ec8aac122bd4f6e

6ec8aac122bd4f6e

 

 

 

6ec8aac122bd4f6e20.(1)① 1(2分);672(2分)② 0.56(2分)

(2)520∽787(2分)

(3)見(jiàn)右圖(4分,部分正確酌情給分)

 

 

 

 

八、本題分A、B兩題,考生只要選擇其中一題作答。若兩題都作答,則以A題得分計(jì)入總分。本題共12分。

21A.物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(12分)

(1)I.IIIA   (1分)

II.IVA  (1分);b;a點(diǎn)所示的氫化物是水,其沸點(diǎn)高是由于在水分子間存在氫鍵,所以氧族元素中其它氫化物的沸點(diǎn)不會(huì)高于水。 (1分)

(2)I.3d24S2       (2分)

II.①BaTiO3      (2分)            6    (2分)

②[TiCl(H2O)5]Cl2 ?H2O(3分)

 

21.B⑴2NH3 + 3CuO 6ec8aac122bd4f6e 3Cu + N2 + 3H2O   。

利用NaOH的堿性和遇水放熱的性質(zhì),使NH3?H2O 分解后逸出      

   C   (填序號(hào));

黑色固體變成了亮紅色    

吸收多余的NH3       ;

3a/22.4mol;9a/11.2b    。

減少   ,因?yàn)橛?/u>NH3帶出的水蒸氣進(jìn)入D裝置,導(dǎo)致H原子的個(gè)數(shù)增加

 

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