題目列表(包括答案和解析)
A、合金的熔點(diǎn)通常比組分金屬高,硬度比組分金屬小 | B、已知Ga處于第ⅢA族,可推知氮化鎵化學(xué)式為GaN | C、用金屬鋁與V2O5反應(yīng)冶煉釩,V2O5作還原劑 | D、ETFE膜()是由一種單體加聚而成的 |
A、合金的熔點(diǎn)通常比組分金屬高,硬度比組分金屬小 | B、已知Ga處于ⅢA主族,可推知氮化鎵化學(xué)式為Ga3N2 | C、用金屬鋁與V2O5反應(yīng)冶煉釩,鋁作還原劑 | D、ETFE膜()是由兩種單體縮聚而成的 |
A、ETFE膜是由兩種單體縮聚而成的 | B、已知Ga處于ⅢA主族,可推知氮化鎵化學(xué)式為Ga3N2 | C、合金的熔點(diǎn)通常比組分金屬高,硬度比組分金屬小 | D、用金屬鋁與V2O5冶煉釩,鋁作還原劑 |
A、合金的熔點(diǎn)通常比組分金屬高,硬度比組分金屬小 | B、已知Ga處于ⅢA族,可推知氮化鎵化學(xué)式為Ga3N2 | C、用金屬鋁與V2O5冶煉釩,鋁作氧化劑 | D、ETFE膜()是由兩種單體加聚而成的 |
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