某元素A的原子M電子層上的電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測A不可能具有的性質(zhì)是


  1. A.
    單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度較大
  2. B.
    A常見的化合物為+4價
  3. C.
    A的高價氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)
  4. D.
    A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料
C
K電子層為2個電子,則A原子M層應(yīng)有4個電子,L層一定達(dá)到飽和為8個電子,因此可確定A的原子結(jié)構(gòu)為:。由結(jié)構(gòu)推知A元素在周期表中的位置,即第3周期ⅣA族元素。A的原子序數(shù)為14,應(yīng)是硅元素。硅的結(jié)構(gòu)類似金剛石,熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都很高,硬度也很大。硅的常見化合價為+4,它的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間,是良好的半導(dǎo)體材料。Si在碳的下一周期,元素的非金屬性比碳的非金屬性弱,所以Si形成的H2SiO3的酸性比H2CO3要弱,不可能比H2CO3強(qiáng)。
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科目:高中化學(xué) 來源:活題巧解巧練·高一化學(xué)(下) 題型:013

某元素A的原子M電子層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測A不具有的性質(zhì)是

[  ]

A.單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度大

B.A常見的化合價為+4價

C.A的最高價氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)

D.A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

某元素A的原子M電子層上的電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測A不可能具有的性質(zhì)是(  )?

A.單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度較大?

B.A常見的化合物為+4價?

C.A的高價氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)?

D.A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料?

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某元素A的原子M電子層上的電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測A不可能具有的性質(zhì)是( 。?

A.單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度較大?

B.A常見的化合物為+4價?

C.A的高價氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)?

D.A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料?

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題

某元素A的原子M電子層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測A不具有的性質(zhì)是


  1. A.
    單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度大
  2. B.
    A常見的化合價為+4價
  3. C.
    A的最高價氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)
  4. D.
    A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料

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