四種短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增．其中A、B、C三種元素基態(tài)原子的2p能級(jí)上都有未成對(duì)電子．且未成對(duì)電子個(gè)數(shù)分別是2、3、2；D與C 可以形成D2C和D2C2兩種化合物�；卮鹣铝袉�(wèn)題：
（1）已知A元素與氫元素形成的某種氣態(tài)化合物在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的密度為1.161g/L，則在該化合物的分子中A原子的雜化方式為    。
（2）A、B、C二種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>      （填元素符號(hào)）。
（3）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱(chēng)為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5……，推測(cè)D元素的電離能第一次突增應(yīng)出現(xiàn)在第___電離能。
（4）AC2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如圖所示。該晶體的類(lèi)型屬于______________晶體．該晶體中A原子軌道的雜化類(lèi)型為       。

（5）C和C形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的常見(jiàn)離子．推測(cè)這兩種微粒的空間構(gòu)型為            。
（6）C和D形成的一種離子化合物D2C的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．該晶體中陽(yáng)離子的配位數(shù)為      。距一個(gè)陰離子周?chē)罱乃嘘?yáng)離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為         。

已知該晶胞的密度為ρg·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA．則晶胞邊長(zhǎng)a=  cm（用含ρ、NA的代數(shù)式表示）。
（1）sp （2）C<O<N （3）二（4）原子；sp3（5）平面三角形 （6）4；正方體；

試題分析：短周期元素A、B、C三種元素基態(tài)原子的2p能級(jí)上都有未成對(duì)電子．且未成對(duì)電子個(gè)數(shù)分別是2、3、2；則A的電子排布式為1s22s22p2,A為C元素；B的電子排布式為1s22s22p3.B為N元素；C的電子排布式為1s22s22p4.C為O元素。原子序數(shù)比O大的短周期元素D與O可以形成D2C和D2C2兩種化合物，則D為Na。這兩種氧化物分別為Na2O和Na2O2。(1)該C、H兩元素形成的化合物的相對(duì)分子質(zhì)量為：M=22.4L/mol×1.161g/L=26，所以該烴為乙炔，分子式為C2H2. 在該化合物的分子中C原子形成了2個(gè)δ鍵，2個(gè)Π鍵。即C的雜化方式為sp雜化。（2）一般情況下，同一周期的元素，原子核外的電子數(shù)越多，電離能越大。但當(dāng)原子核外的電子處于全充滿(mǎn)、半充滿(mǎn)或全空時(shí)，能量較低。是穩(wěn)定的狀態(tài)。因此A、B、C這三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃<O<N。(3)Na的核外電子排布式為1s22s22p63s1.當(dāng)原子失去最外電子層上的1個(gè)3s電子后，次外電子層的2p電子處于全充滿(mǎn)的穩(wěn)定狀態(tài)，失去較難。所以Na元素的電離能第一次突增應(yīng)出現(xiàn)在第2電離能. （4）由CO2高溫下形成的晶體的示意圖可以看出：每個(gè)C與4個(gè)O形成共價(jià)鍵，每個(gè)O與2個(gè)C形成共價(jià)鍵。C原子處于與它相連的4個(gè)O原子構(gòu)成的正四面體中心。這種正四面體結(jié)構(gòu)向空間擴(kuò)展就形成了一種立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。因此CO2高溫下形成的晶體為原子晶體。在該晶體中C原子與4個(gè)O原子形成了4個(gè)δ鍵，因此其軌道的雜化類(lèi)型為sp3。（5）C和O形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的常見(jiàn)離子CO32-離子中的C是SP2雜化,結(jié)構(gòu)式是平面三角形。（6）由離子化合物Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)可知：在一個(gè)晶胞中含有Na：8×1/8+6×1/2=4;含有O：1×8="8." 在該晶體中與Na+離子距離最近且相等的O2-有4個(gè)。所以它的的配位數(shù)為4. 距一個(gè)O2-離子周?chē)罱乃蠳a+離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為正方體。由于每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Na2O. 晶胞的密度為ρ=m÷V=(4NA×M) ÷(NA×a3). a3="(4M)" ÷(NA×ρ).所以a=.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

A～G是前四周期除稀有氣體之外原子序數(shù)依次增大的七種元素。A與其他元素既不同周期又不同族；B、C的價(jià)電子層中未成對(duì)電子數(shù)都是2；E核外的s、p能級(jí)的電子總數(shù)相等；F與E同周期且第一電離能比E��；G的＋1價(jià)離子（G+）的各層電子全充滿(mǎn)�；卮鹣铝袉�(wèn)題：
（1）寫(xiě)出元素名稱(chēng)：B       ，G       。
（2）寫(xiě)出F的價(jià)電子排布圖：       。
（3）寫(xiě)出化合物BC的結(jié)構(gòu)式：                  。
（4）由A、C、F三元素形成的離子[F(CA)4]— 是F在水溶液中的一種存在形式，其中F的雜化類(lèi)型是                。
（5）在測(cè)定A、D形成的化合物的相對(duì)分子質(zhì)量時(shí)，實(shí)驗(yàn)測(cè)定值一般高于理論值的主要原因是                      。
（6）E的一種晶體結(jié)構(gòu)如圖甲，則其一個(gè)晶胞中含有       個(gè)E；G與D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙，若晶體密度為ag/cm3，則G與D最近的距離為    pm
（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，列出計(jì)算表達(dá)式，不用化簡(jiǎn)；乙中○為G，●為D。）

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

ⅤA族的氮、磷、砷（As）、銻（Sb）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅤA族元素的化合物在科研和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)___________（用元素符號(hào)表示）。
（2）As原子核外M層電子的排布式為_(kāi)_______________________________________________________________________。
（3）疊氮化鈉（NaN3）用于汽車(chē)安全氣囊中氮?dú)獾陌l(fā)生劑，寫(xiě)出與N3-互為等電子體的分子的化學(xué)式________（任寫(xiě)一種即可）。
（4）白磷（P4）的結(jié)構(gòu)如圖所示，P原子的軌道雜化方式是________。

（5）NO可以與許多金屬離子形成配合物，例如[ Co（NO2）6]3－，它可以用來(lái)檢驗(yàn)K＋，其反應(yīng)如下：3K＋＋[Co（NO2）6]3－=K3[Co（NO2）6]↓（亮黃色）。
①NO的立體構(gòu)型是________。
②在K3[Co（NO2）6]中，中心離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。
（6）天然氨基酸的命名常用俗名（根據(jù)來(lái)源與性質(zhì)），例如，最初從蠶絲中得到的氨基酸叫絲氨酸（HOCH2CHCOOHNH2）。判斷絲氨酸是否存在手性異構(gòu)體？________（填“是”或“否”）。
（7）砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng)，耗能少。已知立方砷化鎵晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為c pm，則密度為_(kāi)_______g·cm－3（用含c的式子表示，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值），a位置As原子與b位置As原子之間的距離為_(kāi)_______pm（用含c的式子表示）。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

(1)已知X、Y、Z為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表:
電離能/kJ·mol-1
I1
I2
I3
I4
X
578
1 817
2 745
11 578
Y
738
1 451
7 733
10 540
Z
496
4 562
6 912
9 543
則X、Y、Z的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)?u>　　　　　　(用元素符號(hào)表示),元素Y的第一電離能大于X的第一電離能的原因是　          
                                                     　。 
(2)A、B、C、D是周期表中前10號(hào)元素,它們的原子半徑依次減小。D能分別與A、B、C形成電子總數(shù)相等的分子M、N、W,且在M、N、W分子中,A、B、C三原子都采取sp3雜化。
①A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>　　　　　　(用元素符號(hào)表示)。 
②M是含有　　　　鍵的　　　　分子(填“極性”或“非極性”)。 
③N是一種易液化的氣體,請(qǐng)簡(jiǎn)述其易液化的原因:                 
                                                    　。 
④W分子的VSEPR模型的空間構(gòu)型為　　　　,W分子的空間構(gòu)型為　　　　。 
⑤AB-中和B2分子的π鍵數(shù)目比為　　　　。 
(3)E、F、G三元素的原子序數(shù)依次增大,三原子的核外的最外層電子排布均為4s1。
①E元素組成的單質(zhì)的晶體堆積模型為　　　　(填字母)。 
a.簡(jiǎn)單立方堆積  b.體心立方堆積　
c.六方最密堆積  d.面心立方最密堆積
②F元素在其化合物中最高化合價(jià)為　　　　。 
③G2+的核外電子排布式為　                                ,G2+和N分子形成的配離子的結(jié)構(gòu)式為　　　　　　。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

Q、R、T、X、Y、Z是六種原子序數(shù)依次增大的前四周期常見(jiàn)元素，其相關(guān)信息如下表：
元素
相關(guān)信息
Q
Q的單質(zhì)是實(shí)驗(yàn)室常用的惰性電極材料
R
R原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子
T
負(fù)二價(jià)的元素T的氫化物在通常狀況下是一種液體，且其中T的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為88.9%
X
X是第三周期電負(fù)性最大的元素
Y
元素Y位于周期表的第10列
Z
Z存在質(zhì)量數(shù)為65，中子數(shù)為36的核素
 
（1）Z元素的原子基態(tài)時(shí)的電子排布式是________。
（2）下列敘述正確的是________（填字母序號(hào)）。
a．Q的氣態(tài)氫化物比R的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定
b．Q的含氧酸一定比R的含氧酸酸性強(qiáng)
c．R的氣態(tài)氫化物的熔點(diǎn)在同族元素的氫化物中最低
d．R的第一電離能、電負(fù)性都比Q的大
（3）Q和T可形成兩種常見(jiàn)化合物，分別表示為QT和QT2。QT分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為_(kāi)_______；QT2分子中，Q原子采取________雜化。
（4）笑氣（R2T）是一種麻醉劑，有關(guān)理論認(rèn)為R2T與QT2分子具有相似的結(jié)構(gòu)。故R2T的空間構(gòu)型是________，其為_(kāi)_______（填“極性”或“非極性”）分子。
（5）含有Q、Y和鎂三種元素的某種晶體具有超導(dǎo)性，其結(jié)構(gòu)如圖所示。則該晶體的化學(xué)式為_(kāi)_______；晶體中每個(gè)鎂原子周?chē)嚯x相等且最近的Y原子有______個(gè)。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]已知：A、B、C、D、E、F六種元素，原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云，兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等；B是短周期中原子半徑最大的元素；C元素3p能級(jí)半充滿(mǎn)；E是所在周期電負(fù)性最大的元素；F是第四周期未成對(duì)電子最多的元素。
試回答下列有關(guān)的問(wèn)題：
（1）寫(xiě)出F元素的電子排布式：________________。
（2）已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子，則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)_________。
（3）已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子，一種為極性分子，屬于極性分子的化合物的分子立體構(gòu)型是________________。
（4）B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________（寫(xiě)元素符號(hào)）。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液，物質(zhì)的量濃度相同時(shí)，pH由大到小的順序是________________（寫(xiě)化學(xué)式）。
（5）由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中，陰、陽(yáng)離子都具有球型對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，它們都可以看做剛性圓球，并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖：

晶胞中距離一個(gè)B＋最近的B＋有________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示，則E－的離子半徑為_(kāi)_______cm（用含NA與ρ的式子表達(dá)）。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素;E的最高價(jià)氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿(mǎn)狀態(tài),其余能層均充滿(mǎn)電子。G元素與D元素同主族,且相差3個(gè)周期。
(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是　　　　(用元素符號(hào)表示)。 
(2)E的最高價(jià)含氧酸中E的雜化方式為　　　　。 
(3)F原子的外圍電子排布式為　　　　。 
(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是　。 
(5)已知DE晶體的晶胞如圖所示,若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個(gè)“小立方體”中心各放置一個(gè)A原子,且這4個(gè)“小立方體”不相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個(gè)A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A—A鍵的鍵長(zhǎng)為a cm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值),則該晶胞中含有　　　　個(gè)A原子,該晶體的密度是　　　　g·cm-3(列式表示)。 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（1）下列曲線(xiàn)表示鹵素元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢(shì)，正確的是____________。

（2）利用“鹵化硼法”合成含B和N兩種元素的功能陶瓷，下圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為_(kāi)_______，該功能陶瓷的化學(xué)式為_(kāi)__________。

（3）BCl3和NCl3中心原子的雜化方式分別為_(kāi)_______和_________。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有________種。
（4）若BCl3與XYm通過(guò)B原子與X原子間的配位健結(jié)合形成配合物，則該配合物中提供孤對(duì)電子的原子是________。
（5）SiO2是硅酸鹽玻璃（Na2CaSi6O14）的主要成分，Na2CaSi6O14也可寫(xiě)成Na2O·CaO·6SiO2。
長(zhǎng)石是金屬鋁硅鹽。由鈉長(zhǎng)石化學(xué)式NaAlSi3O8可推知鈣長(zhǎng)石改寫(xiě)成氧化物的形式可表示為         

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30)。A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子；C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子；E的內(nèi)部各能層均排滿(mǎn)，且有成單電子；D與E同周期，價(jià)電子數(shù)為2。則：
（1）寫(xiě)出基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式                         。
（2）A的單質(zhì)分子中鍵的個(gè)數(shù)為       。
（3）A、B、C三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               (用元素符號(hào)表示)
（4）B元素的氫化物的沸點(diǎn)是同族元素中最高的，原因是                    。
(5)A的最簡(jiǎn)單氫化物分子的空間構(gòu)型為        ，其中A原子的雜化類(lèi)型是       。
(6)C和D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，已知晶體的密度為g·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長(zhǎng)a=          cm. (用、NA的計(jì)算式表示)

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案