有位于周期表前四周期的A、B、C、D、E、F六種元素,其原子序數(shù)依次增大。已知A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;A與B形成的一種化合物常溫下是紅棕色氣體;化合物C2E的晶體為離子晶體;D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期單質(zhì)中最高;E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;F原子核外最外層電子數(shù)與C相同,其余各層均充滿。請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問題:
(1)A、B、C、D四種原子的第一電離能由小到大的順序?yàn)開_____(用元素符號(hào)表示)。
(2)C的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)   (填“高”或“低”),理由是        
(3)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是                  。
(4)基態(tài)F+離子的核外電子排布式是                          ,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的最常見氫化物形成的配離子的化學(xué)式為                。
(5)Q分子是A2B的等電子體,Q的結(jié)構(gòu)式為                   ,Q分子的中心原子的雜化類型是                
(6)下圖是B、F兩元素組成的一種化合物的晶胞,其化學(xué)式為              
(1)Na、Si、O、N(或Na<Si<O<N,2分。填Na、Si、N、O或由大到小給1分)
(2)高,(1分) NaCl是離子晶體而SiCl4是分子晶體。(2分)
(3)平面三角形(2分)
(4)1s22s22p63s23p63d10或〔Ar〕3d10(1分),[Cu(NH3)42+(1分)。
(5)O=C=O或 S=C=S(2分,寫CO2或CS2給1分)。sp雜化(2分)。
(6)CuO(2分)

試題分析:根據(jù)題意,A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子,其電子排布式為,A為N元素;A與B形成的一種化合物常溫下是紅棕色氣體,該氣體為NO2,則B是O元素;根據(jù)E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子,其電子排布式為,則E為S元素;由化合物C2E的晶體為離子晶體,原子序數(shù)依次增大,則可知C為Na元素;根據(jù)D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期單質(zhì)中最高,可知D是Si元素;根據(jù)F原子核外最外層電子數(shù)與C相同,其余各層均充滿,則F為29號(hào)元素,F(xiàn)是Cu元素;據(jù)此回答。
(1)第一電離能同周期從左到右逐漸增大,同一主族,從上到下逐漸減小,N為半充滿狀態(tài),其穩(wěn)定性增強(qiáng),故有Na<Si<O<N ;
(2)C的氯化物是NaCl,D的氯化物是SiCl4,因NaCl是離子晶體而SiCl4是分子晶體,所以NaCl的熔點(diǎn)高;
(3)E的最高價(jià)氧化物是SO3,價(jià)層電子全部成鍵,不存在孤電子對(duì),其分子的空間構(gòu)型為平面三角形;
(4)基態(tài)Cu+離子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10,Cu2+與NH3可形成4配位的配合物,四氨合銅離子[Cu(NH3)42+;
(5)A2B是N2O ,它的等電子體是CO2 或CS2,中心原子是碳原子,雜化類型是sp雜化;
(6)利用均攤法,該晶胞中含有O:=4,含有Cu:4,故該晶胞化學(xué)式為CuO。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知短周期的主族元素X、Y、Z、W、M的原子序數(shù)依次增大,X是空氣中含量最
多的元素,其單質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,Y原子的最外層只有2個(gè)電子,Z單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料,W元素形成的單質(zhì)為淡黃色的固體,M元素形成的單質(zhì)為黃綠色氣體.請(qǐng)回答以下問題:
(1)X元素的符號(hào)是        ,它在周期表的位置為              ;
(2)Z的氧化物晶體類型為         ,化學(xué)式是:                ;
(3)X與Y能形成離子化合物,該化合物的電子式為                  ;
(4)X的最高價(jià)氧化物的水化物與Y的氧化物反應(yīng)的化學(xué)方程式為           ;
(5)X、W形成的氫化物分別為甲和乙,且甲、乙所含的電子數(shù)相等,則甲的結(jié)構(gòu)式為                   ;
(6)W和M都是較活潑的非金屬元素,用實(shí)驗(yàn)事實(shí)表明這兩種元素的非金屬性強(qiáng)弱(用方程式書寫或文字說明)                         

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(1)已知X、Y、Z為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表:
電離能/kJ·mol-1
I1
I2
I3
I4
X
578
1 817
2 745
11 578
Y
738
1 451
7 733
10 540
Z
496
4 562
6 912
9 543
則X、Y、Z的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)?u>      (用元素符號(hào)表示),元素Y的第一電離能大于X的第一電離能的原因是           
                                                      。 
(2)A、B、C、D是周期表中前10號(hào)元素,它們的原子半徑依次減小。D能分別與A、B、C形成電子總數(shù)相等的分子M、N、W,且在M、N、W分子中,A、B、C三原子都采取sp3雜化。
①A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>      (用元素符號(hào)表示)。 
②M是含有    鍵的    分子(填“極性”或“非極性”)。 
③N是一種易液化的氣體,請(qǐng)簡述其易液化的原因:                 
                                                     。 
④W分子的VSEPR模型的空間構(gòu)型為    ,W分子的空間構(gòu)型為    。 
⑤AB-中和B2分子的π鍵數(shù)目比為    。 
(3)E、F、G三元素的原子序數(shù)依次增大,三原子的核外的最外層電子排布均為4s1。
①E元素組成的單質(zhì)的晶體堆積模型為    (填字母)。 
a.簡單立方堆積  b.體心立方堆積 
c.六方最密堆積  d.面心立方最密堆積
②F元素在其化合物中最高化合價(jià)為    。 
③G2+的核外電子排布式為                                 ,G2+和N分子形成的配離子的結(jié)構(gòu)式為      。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]已知:A、B、C、D、E、F六種元素,原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云,兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等;B是短周期中原子半徑最大的元素;C元素3p能級(jí)半充滿;E是所在周期電負(fù)性最大的元素;F是第四周期未成對(duì)電子最多的元素。
試回答下列有關(guān)的問題:
(1)寫出F元素的電子排布式:________________。
(2)已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子,則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為__________。
(3)已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子,一種為極性分子,屬于極性分子的化合物的分子立體構(gòu)型是________________。
(4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________(寫元素符號(hào))。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液,物質(zhì)的量濃度相同時(shí),pH由大到小的順序是________________(寫化學(xué)式)。
(5)由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中,陰、陽離子都具有球型對(duì)稱結(jié)構(gòu),它們都可以看做剛性圓球,并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖:

晶胞中距離一個(gè)B+最近的B+有________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示,則E-的離子半徑為________cm(用含NA與ρ的式子表達(dá))。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素;E的最高價(jià)氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個(gè)周期。
(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是    (用元素符號(hào)表示)。 
(2)E的最高價(jià)含氧酸中E的雜化方式為    。 
(3)F原子的外圍電子排布式為    。 
(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是 。 
(5)已知DE晶體的晶胞如圖所示,若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個(gè)“小立方體”中心各放置一個(gè)A原子,且這4個(gè)“小立方體”不相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個(gè)A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A—A鍵的鍵長為a cm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值),則該晶胞中含有    個(gè)A原子,該晶體的密度是    g·cm-3(列式表示)。 

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

材料是人類賴以生存的重要物質(zhì)基礎(chǔ)。銅、鎳等金屬材料在現(xiàn)代社會(huì)中有著重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問題:
(1)銅在元素周期表中的位置為                          ,鎳的基態(tài)電子排布式為                      。
(2)在配離子[Ni(NH3)4]2+中,配體中N元素與它相鄰的C和O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ,這三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>            ;配體NH3中N原子的雜化方式為          。
(3)據(jù)報(bào)道,只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性。鑒于這三種元素都是常見元素,從而引起廣泛關(guān)注。該晶體的結(jié)構(gòu)可看作由鎂原子和鎳原子在一起進(jìn)行面心立方最密堆積,如圖,晶體中每個(gè)鎂原子周圍距離最近的鎳原子有     個(gè),若已知晶胞的邊長為a pm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則該晶體的密度的數(shù)學(xué)表達(dá)式為          g?cm-3(用a和NA表示,只列式,可不用化簡)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(1)下列曲線表示鹵素元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢(shì),正確的是____________。

(2)利用“鹵化硼法”合成含B和N兩種元素的功能陶瓷,下圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為________,該功能陶瓷的化學(xué)式為___________。

(3)BCl3和NCl3中心原子的雜化方式分別為________和_________。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有________種。
(4)若BCl3與XYm通過B原子與X原子間的配位健結(jié)合形成配合物,則該配合物中提供孤對(duì)電子的原子是________。
(5)SiO2是硅酸鹽玻璃(Na2CaSi6O14)的主要成分,Na2CaSi6O14也可寫成Na2O·CaO·6SiO2
長石是金屬鋁硅鹽。由鈉長石化學(xué)式NaAlSi3O8可推知鈣長石改寫成氧化物的形式可表示為         

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

近期《美國化學(xué)會(huì)志》報(bào)道,中國科學(xué)家以二氧化碳為碳源,金屬鈉為還原劑,在470℃、80 MPa下合成出金剛石,具有深遠(yuǎn)意義。下列說法不正確的是
A.由二氧化碳合成金剛石是化學(xué)變化B.金剛石是碳的一種同位素
C.鈉被氧化最終生成碳酸鈉D.金剛石中只含有非極性共價(jià)鍵

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

有A、B、C、D、E、F六種元素,A是周期表中原子半徑最小的元素,B是電負(fù)性最大的元素,C的2p軌道中有三個(gè)未成對(duì)電子,F(xiàn)原子核外電子數(shù)是B 與C核外電子數(shù)之和,D 是主族元素且與E同周期,E能形成紅色或磚紅色E2O和黑色的EO兩種氧化物,D與B可形成離子化合物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請(qǐng)回答下列問題:

(1)E+離子基態(tài)時(shí)的電子排布式為_______________
(2)A2F的分子空間構(gòu)型為_____________,F(xiàn)O3分子中F原子的雜化方式 ______________
(3)CA3極易溶于水,其原因主要是______________
(4)從圖中可以看出,D 與B形成的離子化合物的化
學(xué)式為______________(用元素符號(hào)表示),該離子晶體的
密度為ag·cm-3,則晶胞的體積是____________(寫出表達(dá)式即可,不用化簡)
(5)已知E單質(zhì)的晶體為面心立方最密堆積 (在晶胞的頂點(diǎn)和面心均含有一個(gè)E原子),則 E的晶體中E原子的配位數(shù)為   

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