Question

4．結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)，性質(zhì)體現(xiàn)結(jié)構(gòu)．對(duì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的研究是學(xué)好化學(xué)的基礎(chǔ)．
（1）比較下列各組物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低；
①金剛石（C-C） ②晶體硅（Si-Si）  ③金剛砂（Si-C），熔沸點(diǎn)由低到高排列為②③①（填序號(hào)）
①金剛石  ②氯化鈉   ③硫磺  ④氧化鎂，熔沸點(diǎn)由高到低排列為①④②③（填序號(hào)）
（2）H₂O的沸點(diǎn)高于H₂S，主要因?yàn)樗�分子間存在氫鍵．
（3）[Cu（NH₃）₄]SO₄中所含的化學(xué)鍵有N-H極性鍵外，還有S-O極性鍵、離子鍵．
（4）N、O、S三種元素的第一電離能由大到小順序?yàn)椋篘＞O＞S．
（5）NH₄CuSO₃中的金屬陽離子的核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰ 或[Ar]3d¹⁰
（6）NH₃分子中N原子的雜化方式為：sp³．
（7）與SO₂互為等電子體的分子有O₃（寫一種）．
（8）Cr的電子電子排布式：[Ar]3d⁵4s¹
（9）O的軌道表示式：
（10）CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為4．

Answer 1

分析 （1）不同類型晶體中熔沸點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，同是原子晶體中，半徑越小，鍵能越大，熔點(diǎn)越高，離子晶體中離子半徑越小、離子所帶電荷越多，晶格能越大，熔點(diǎn)也越高；
（2）水分子間存在氫鍵，導(dǎo)致分子間作用力增強(qiáng)，所以沸點(diǎn)較高；
（3）[Cu（NH₃）₄]SO₄中所含的化學(xué)鍵有N-H極性鍵、S-O極性鍵、離子鍵；
（4）同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì)，但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素，同一周期從上向下，第一電離能減��；
（5）NH₄CuSO₃中，Cu原子失去1個(gè)電子生成Cu⁺，其原子核外有28個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫亞銅離子核外電子排布式；
（6）NH₃中N形成3個(gè)δ鍵，還有1對(duì)孤對(duì)電子，N雜化類型為sp³；
（7）等電子體為原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別相同的分子、離子或原子團(tuán)；
（8）判斷元素原子的核外電子數(shù)，先根據(jù)構(gòu)造原理寫出電子排布式，再寫簡易電子排布式；
（9）O原子的核外層8個(gè)電子，為1s²2s²2p⁴，2p軌道中應(yīng)為4個(gè)單電子；
（10）根據(jù)圖知，該晶胞中距離每個(gè)Cu⁺最近的Cl^-的個(gè)數(shù)為4．

解答 解：（1）不同類型晶體中熔沸點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，同是原子晶體中，半徑越小，鍵能越大，熔點(diǎn)越高，離子晶體中離子半徑越小、離子所帶電荷越多，晶格能越大，熔點(diǎn)也越高，所以①金剛石（C-C） ②晶體硅（Si-Si）  ③金剛砂（Si-C），熔沸點(diǎn)由低到高排列為②③①，①金剛石  ②氯化鈉   ③硫磺  ④氧化鎂，熔沸點(diǎn)由高到低排列為①④②③，
故答案為：②③①；①④②③； 
（2）H₂O與H₂S都屬于分子晶體，H₂O分子間可以形成氫鍵，H₂S只含有范德華力，所以水的沸點(diǎn)高于H₂S的沸點(diǎn)，
故答案為：水分子間存在氫鍵；   
（3）[Cu（NH₃）₄]SO₄中所含的化學(xué)鍵有N-H極性鍵、S-O極性鍵、離子鍵，
故答案為：S-O極性鍵、離子鍵；
（4）同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì)，但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素，同一周期從上向下，第一電離能減小，所以S、N、O三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篘＞O＞S，故答案為：N＞O＞S；
（5）NH₄CuSO₃中，銅為26號(hào)元素，其陽離子為+1價(jià)銅離子，所以其核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰ 或[Ar]3d¹⁰，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰ 或[Ar]3d¹⁰；
（6）NH₃中N形成3個(gè)δ鍵，還有1對(duì)孤對(duì)電子，N雜化類型為sp³，
故答案為：sp³；
（7）原子個(gè)數(shù)相等、價(jià)電子數(shù)相等的微�；�為等電子體，SO₂分子中含有3個(gè)原子、價(jià)電子數(shù)是18，與SO₂互為等電子體的分子為O₃，
故答案為：O₃；
（8）Cr元素為24號(hào)元素，原子核外有24個(gè)電子，其電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹，則簡易電子排布式為[Ar]3d⁵4s¹，
故答案為：[Ar]3d⁵4s¹；
（9）O原子的核外層8個(gè)電子，為1s²2s²2p⁴，2p軌道中應(yīng)為4個(gè)單電子，核外電子軌道排布式為：，
故答案為：；
（10）根據(jù)圖知，該晶胞中距離每個(gè)Cu⁺最近的Cl^-的個(gè)數(shù)為4，氯離子的配位數(shù)是4．故答案為：4．

點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，涉及第一電離能大小的比較、氫鍵、晶胞結(jié)構(gòu)、雜化方式的判斷等知識(shí)點(diǎn)，側(cè)重考查學(xué)生分析、計(jì)算能力及空間想象能力，題目難度中等．