【題目】為確定某溶液的離子組成，進行如下實驗：

①實驗測定溶液顯強堿性。②取少量溶液加入稀鹽酸至溶液呈酸性，產(chǎn)生無刺激性、能使澄清石灰水變渾濁的氣體。③在②所得溶液中再滴加Ba(NO3)2溶液，無白色沉淀，再滴加AgNO3溶液，產(chǎn)生白色沉淀。 以下推測正確的是（ ）

A.一定有SO42—B.一定有Cl-

C.一定有CO32－D.不能確定HCO3－離子是否存在

【答案】C

【解析】

溶液顯強堿性，所以不能大量存在HCO3－；根據(jù)實驗②可知，生成的氣體是CO2，所以一定含有CO32－；根據(jù)實驗③可知，溶液中沒有SO42－，生成的白色沉淀是氯化銀，但由于前面加入了鹽酸，所以無法確定是否含有氯離子，因此答案選C。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列離子方程式中，屬于水解反應的是（ ）
A.CH3COOH+H2OCH3COO﹣+H3O+
B.SO2+H2OHSO3﹣+H+
C.HCO3﹣+OH﹣CO32﹣+H2O
D.NH4++H2ONH3H2O+H+

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列五種基團，﹣CH3、﹣OH、﹣CHO、﹣C6H5、﹣COOH，兩兩組成的物質中，能與NaOH反應的物質有多少種（ ）
A.4種
B.5種
C.6種
D.7種

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】乙烯催化氧化成乙醛可設計成如下圖所示的燃料電池，能在制備乙醛的同時獲得電能，其總反應為：2CH2 ＝CH2 + O2 → 2CH3CHO。下列有關說法正確的是（ ）

A.a電極發(fā)生還原反應
B.放電時，每轉移2mol電子，理論上需要消耗28g乙烯
C.b極反應式為：O2+4e-+2H2O=4OH-
D.電子移動方向：電極a→磷酸溶液→電極b

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列說法正確的是

A.摩爾既是物質的量的單位，又是粒子的數(shù)量單位

B.2 mol O2的摩爾質量是64 g/mol

C.摩爾質量在數(shù)值上與1mol該物質的質量相等

D.1 mol SO2中含有2 mol O

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增加。m、p、r是由這些元素組成的二元化合物，n是元素Z的單質，通常為黃綠色氣體，q的水溶液具有漂白性，0.01mol·L-1r溶液的pH為2，s通常是難溶于水的混合物。上述物質的轉化關系如圖所示。下列說法正確的是（ ）

A. 原子半徑的大小W <X<Y B. 元素的非金屬性Z>X>Y

C. Y的氫化物常溫常壓下為液態(tài) D. X的最高價氧化物的水化物為強酸

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下表是周期表中的一部分，根據(jù)A～I在周期表中的位置，用元素符號或化學式回答下列問題：

(1)表中元素，化學性質最不活潑的是________，只有負價而無正價的元素是________。

(2)C元素在元素周期表中的位置是第三周期第________族。

(3)最高價氧化物的水化物酸性最強的是________，呈兩性的是________。

(4)A分別與E、G、H形成的化合物中，最穩(wěn)定的是________。

(5)在B、C、E、F中，原子半徑最大的是________。

(6)B、H兩種元素所形成的化合物所含的化學鍵類型為________________。

(7)寫出C的最高價氧化物與H的氫化物之間反應的離子方程式：__________________________。

(8)寫出B與C兩種元素的最高價氧化物對應的水化物相互反應的化學方程式：________________________________________________________________________。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】化學是開發(fā)新材料、新能源，解決環(huán)境問題的重要工具。下列說法不正確的是

A.植物秸桿可以生產(chǎn)燃料酒精B.高純度二氧化硅可作半導體芯片

C.氮氧化物的排放會引發(fā)酸雨D.使用可降解塑料可減少白色污染

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多，具有重要的研究價值和應用價值。請回答下列問題：
（1）N元素與Al、Si等元素在一定條件下生成AlN和Si3N4 ， 實驗測得二者在真空條件下的穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料。請推測它們屬于晶體類型。
（2）PCl3和PCl5是磷元素形成的兩種重要化合物，請根據(jù)價電子互斥理論推測PCl3的空間構型。
（3）As的核外電子排布式中不同類型(s、p、d、f等)的電子比是 。
（4）Cr元素價電子排布式為。
（5）砷化鎵以第三代半導體著稱，性能比硅更優(yōu)良，廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術中已知砷化鎵的晶胞結構如右圖所示，則砷化鎵晶胞結構與NaCl晶胞(填“相同”或“不同”)。

（6）根據(jù)As和Ga在元素周期表中的位置判斷，第一電離能AsGa(填“＜”“＞”或“=”)。
（7）(CH3)3Ga中鎵原子的雜化類型為。

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