16．下列各組元素，按原子半徑依次減小，元素第一電離能逐漸增大的順序排列的是（　�。�
A．K  Na  LiB．Al  Mg  NaC．N  O  CD．Cl  S  P

分析 同一主族元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而減小，原子半徑依次增大，同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，原子半徑依次減小，注意同一周期的第ⅡA元素的第一電離能大于第ⅢA族的，第ⅤA族的大于第ⅥA族的．同一周期中稀有氣體的第一電離能最大，據(jù)此分析．

解答 解：A． K  Na  Li 處于同主族，原子半徑依次減小，同主族自上而下電離能降低，故K、Na、Li的元素第一電離能逐漸升高，故A正確；
B．Na、Mg、Al屬于同一周期元素且原子序數(shù)依次增大，原子半徑依次減小，同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，但第ⅡA元素的第一電離能大于第ⅢA族的，所以第一電離能依次Mg＞Al＞Na，故B錯(cuò)誤；
C．C、N、O屬于同一周期元素且原子序數(shù)依次增大，原子半徑依次減小，同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素，故第一電離能順序?yàn)椋篘＞O＞C，故C錯(cuò)誤；
D．Cl、S、P同周期，原子序數(shù)依次減小，同周期自左而右原子半徑減小，故Cl、S、P原子半徑依次增大，同周期自左而右元素的第一電離能呈增大趨勢(shì)，但P最外層3p能級(jí)容納3的電子，為半滿(mǎn)穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能也高于同周期相鄰元素，故第一電離能P＞Cl＞S，故D錯(cuò)誤；
故選A．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了第一電離能大小的判斷，題目難度不大，根據(jù)元素周期律來(lái)分析解答即可，注意同一周期的第ⅡA元素的第一電離能大于第ⅢA族的，第ⅤA族的大于第ⅥA族的．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

6．X、Y、Z、W、R均為短周期主族元素，原子序數(shù)依次增加，X與W、Y與R分別同主族．Z在短周期元素中金屬性最強(qiáng)，W元素原子的次外層電子數(shù)為最外層電子數(shù)的2倍，R的原子序數(shù)是Y的2倍，下列敘述錯(cuò)誤的是（　�。�
A．原子半徑：W＞YB．最高價(jià)含氧酸酸性：W＞R
C．氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性：Y＞RD．簡(jiǎn)單離子半徑：Y＞Z

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

7．含氮化合物的研發(fā)與綠色反展、經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展有著密切關(guān)聯(lián)．
（1）氨是一種重要化工原料．合成氨原料氣H2，可用天然氣為原料制得，有關(guān)反應(yīng)能量變化如圖1所示．

則用CH4（g）和H20（g）反應(yīng)制得H2（g）和CO（g）的熱化學(xué)方程式為：CH4（g）+H2O（g）═CO（g）+3H2（g）△H=+171.1KJ/mol
（2）氮的氧化物有著廣泛用途，又是環(huán)境的污染物．
（i）在150℃時(shí)，將0.4mol NO2氣體充入體積為2L的真空密閉容器中，發(fā)生反應(yīng)：2NO2（g）?N2O4（g）．
每隔一定時(shí)間測(cè)定容器內(nèi)各物質(zhì)的物質(zhì)的量，數(shù)據(jù)如下表：
時(shí)間/S020406080
N（NO2）/mol0.4n10.26n3n4
N（N2O4）/mol00.05n20.080.08
①當(dāng)反應(yīng)在150℃達(dá)到平衡時(shí)，該反應(yīng)平衡常數(shù)K=2.8．（填數(shù)值）
②若最初通入N2O4，在相同條件下達(dá)到平衡時(shí)，各物質(zhì)濃度仍然相同，則N2O4的起始濃度
應(yīng)為0.10mol/L．
（ii）氨氧化制HNO3的尾氣中含有NO和NO2，且n（NO）：n（NO2）=1：1，可用尿素溶液除去，其作用原理是：NO2和NO與水反應(yīng)生成亞硝酸，亞硝酸再與尿素[CO（ NH2）2]反應(yīng)生成對(duì)環(huán)境無(wú)污
染的物質(zhì)．若用1mol尿素吸收該尾氣，則能吸收氮氧化物76g．
（3）氨氣，CO2在一定條件下可合成尿素，其反應(yīng)為：2NH3（g）+CO2（g）═CO（ NH2）2（s）+H2O（g）
圖2表示合成塔中氨碳比a與CO2轉(zhuǎn)化率ω的關(guān)系．a(chǎn)為[n（NH3）：n（CO2）]，b為水碳比[n（H2O）：n（CO2）]．則：
①b應(yīng)控制在C；
A.1.5～1.6    B.1～1.1    C.0.6～0.7
②a應(yīng)控制在4.0的理由是a等于4.0，CO2轉(zhuǎn)化率迅速提高到最大值；而a在4.0之后增大，c（NH3）轉(zhuǎn)化率無(wú)明顯增大．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

4．晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HCl$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiHCl3+H2
③SiHCl3與過(guò)量H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為SiO2+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為分餾．
（3）用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是濃硫酸．裝置C中的燒瓶需要水浴加熱，其目的是使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化．
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀(guān)察到的現(xiàn)象是石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是高溫下，普通玻璃會(huì)軟化，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+3HCl．
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及排盡裝置中的空氣．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是bd．
a．碘水    b．氯水    c．Mg（OH）2固體    d．KSCN溶液     e．Na2SO3溶液．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

11．在2A（s）+B（g）?3C（g）+4D（g）反應(yīng)中，表示該反應(yīng)速率最快的是（　�。�
A．v（A）=1.8 mol•L-1•s-1B．v（B）=0.3 mol•L-1•s-1
C．v（C）=0.6 mol•L-1•s-1D．v（D）=1.6 mol•L-1•s-1

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

1．下列離子方程式錯(cuò)誤的是（　　）
A．Na與水反應(yīng)：2Na+2H2O═2Na++2OH-+H2↑
B．FeCl3溶液腐蝕銅印刷電路板：Fe3++Cu═Fe2++Cu2+
C．明礬溶液中加入過(guò)量NaOH溶液：Al3++4OH-═AlO2-+2H2O
D．盛放NaOH溶液的試劑瓶不能使用玻璃塞：SiO2+2OH-═SiO32-+H2O

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

8．下列離子化合物中含有共價(jià)鍵的是（　�。�
A．NaClB．MgCl2C．Na2OD．NaOH

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

5．下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（　�。�
A．水合銅離子的模型如圖1所示，1個(gè)水合銅離子中有4個(gè)配位鍵
B．CaF2晶體的晶胞如圖2所示，每個(gè)CaF2晶胞平均占有4個(gè)Ca2+，4個(gè)F-
C．H原子的電子云圖如圖3所示，H原子核外大多數(shù)電子在原子核附近運(yùn)動(dòng)
D．原子堆積模型如圖4，可表示Mg原子的堆積方式

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

6．1mol某不飽和烴與1mol氫氣加成后的生成物是2-甲基丁烷，請(qǐng)寫(xiě)出此不飽和烴可能的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式，并用系統(tǒng)命名法對(duì)其命名．

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