[化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
(1)第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.在GaN晶體中,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
.在四大晶體類型中,GaN屬于
原子
原子
晶體.
(2)NH3分子的空間構(gòu)型是:
三角錐型
三角錐型
,中心原子N的雜化軌道類型是:
sp3
sp3

(3)NH3與PH3相比,熱穩(wěn)定性更強(qiáng)的是:
NH3
NH3
,理由是:
氮的原子半徑比磷的原子半徑小,N-H鍵長比P-H鍵長短,鍵能更大,分子更穩(wěn)定
氮的原子半徑比磷的原子半徑小,N-H鍵長比P-H鍵長短,鍵能更大,分子更穩(wěn)定

(4)一定壓強(qiáng),將NH3和PH3混合氣體降溫時(shí),首先液化的物質(zhì)是
NH3
NH3
,理由是:
因?yàn)榘狈肿又g存在氫鍵,使分子間作用力更大,沸點(diǎn)更高
因?yàn)榘狈肿又g存在氫鍵,使分子間作用力更大,沸點(diǎn)更高

(5)銅、鐵元素能形成多種配合物.微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有
能夠接受孤電子對的空軌道
能夠接受孤電子對的空軌道
的原子或離子.
分析:(1)Ga原子是31號元素,根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫原子的電子排布式;單晶硅是Si正四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),為原子晶體,GaN晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,GaN屬于原子晶體,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為與但晶硅中Si的結(jié)構(gòu)相似;
(2)NH3分子中N原子呈3個(gè)N-H鍵,N原子還原1對孤對電子對,雜化軌道數(shù)為4,據(jù)此判斷雜化方式;N原子采取sp3雜化,N原子還原1對孤對電子對,空間構(gòu)型為三角錐型;
(3)氮的原子半徑比磷的原子半徑小,N-H鍵能更大,分子更穩(wěn)定;
(4)氨分子之間存在氫鍵,沸點(diǎn)更高;
(5)微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有能夠接受孤電子對的空軌道的原子或離子.
解答:解:(1)Ga原子是31號元素,Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,GaN屬于原子晶體,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為正四面體,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s24p1;正四面體;原子;
(2)NH3分子中N原子呈3個(gè)N-H鍵,N原子還原1對孤對電子對,雜化軌道數(shù)為4,N原子采取sp3雜化,空間構(gòu)型為三角錐型,故答案為:三角錐型;sp3;
(3)氮的原子半徑比磷的原子半徑小,N-H鍵長比P-H鍵長短,鍵能更大,分子更穩(wěn)定,所以NH3熱穩(wěn)定性更強(qiáng),
故答案為:NH3;氮的原子半徑比磷的原子半徑小,N-H鍵長比P-H鍵長短,鍵能更大,分子更穩(wěn)定;
(4)因?yàn)榘狈肿又g存在氫鍵,使分子間作用力更大,沸點(diǎn)更高,所以一定壓強(qiáng),將NH3和PH3混合氣體降溫時(shí),首先液化的物質(zhì)是NH3,
故答案為:NH3;因?yàn)榘狈肿又g存在氫鍵,使分子間作用力更大,沸點(diǎn)更高;
(5)微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有能夠接受孤電子對的空軌道的原子或離子.
故答案為:能夠接受孤電子對的空軌道.
點(diǎn)評:本題綜合性較大,涉及電子排布規(guī)律、晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵與物質(zhì)性質(zhì)關(guān)系、配位鍵的形成條件等,難度不大,注意基礎(chǔ)知識(shí)的掌握以理解.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2011?青島模擬)【化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
(1)已知A和B為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:
電離能/kJ?mol-1 I1 I2 I3 I4
A 578 1817 2745 11578
B 737 1451 7733 10540
則A通常顯
+3
+3
價(jià),A的電負(fù)性
B的電負(fù)性(填“>”、“<”或“=”);
(2)金屬鈦被稱為鐵和鋁之后崛起的第三金屬,Ti原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p64s2
1s22s22p63s23p64s2
;右圖為高溫超導(dǎo)領(lǐng)域中的一種化合物鈣-鈦鈣(氧化物)晶體結(jié)構(gòu)中蛤有代表性的最小重復(fù)單元,在該晶體中每個(gè)鈦離子周圍與它最近且距離相等的鈦離子有
6
6
個(gè).該晶體的化學(xué)式為
CaTiO3
CaTiO3
;
(3)在①SiO32-、②SO32-、③CH3OH、④CS2、⑤CCl4五種微粒中,中心原子采取sp3雜化的有
②③⑤
②③⑤
(填序號).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2011?煙臺(tái)模擬)【化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
微粒A、B、C為分子,D和F為陽離子,E為陰離子,它們都含有10個(gè)電子;B溶于A后所得的物質(zhì)可電離出D和E;C是重要的化石能源.將A、B和含F(xiàn)離子的物質(zhì)混合后可得D和一種白色沉淀.G3+離子與Ar原子的電子層結(jié)構(gòu)相同.請回答:
(1)基態(tài)G原子的外圍電子排布式是
3d14s2
3d14s2
.在A、B、C三種分子中,屬于非極性分子的有
CH4
CH4
(寫化學(xué)式).
(2)根據(jù)等電子體原理,D離子的空間構(gòu)型是
正四面體
正四面體
,其中心原子軌道的雜化類型是
sp3
sp3

(3)構(gòu)成C的中心原子可以形成多種單質(zhì),其中有一種為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),右圖立方體中心的“”表示該晶體中的一個(gè)原子,請?jiān)谠摿⒎襟w的頂點(diǎn)上用“”表示出與之緊鄰的原子.
(4)光譜證實(shí)F與燒堿溶液反應(yīng)有Na[F(OH)4]生成,則Na[F(OH)4]中不存在
ach
ach
(填字母).
a.金屬鍵   b.離子鍵   c.非極性鍵   d.極性鍵   f.配位鍵  g.σ鍵   h.π鍵.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2013?泰安三模)[化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
2012年10月1日起,我國將逐步淘汰白熾燈而采用高效照明的電致發(fā)光產(chǎn)品,電致發(fā)光材料有摻雜Mn2+和Cu2+的硫化鋅、蒽單晶、8一羥基喹啉鋁等.

(1)Mn2+在基態(tài)時(shí),核外電子排布式為
[Ar]3d5
[Ar]3d5

(2)硫化鋅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示,則每個(gè)晶胞中含S2-的數(shù)目為
4
4
個(gè).
(3)蒽(,平面結(jié)構(gòu))屬于
非極性
非極性
(填“極性”或“非極性”)分子.
(4)8一羥基喹啉鋁具有較高的發(fā)光效率.8一羥基喹啉鋁的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示,其分子中存在的相互作用力有
ABE
ABE
(填字母).A.極性鍵 B.非極性鍵  C.金屬鍵  D.氫鍵  E.配位鍵
(5)已知銅元素能形成多種化合物.
①CuSO4?5H2O也可寫成[Cu(H2O)4]SO4?H2O,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示.下列說法正確的是
BD
BD
(填字母).
A.在上述結(jié)構(gòu)示意圖中,所有氧原子都采用sp3雜化
B.該晶體中電負(fù)性最大的元素是O
C.該晶體屬于原子晶體
D.該晶體中的水在不同溫度下會(huì)分步失去
②YBCO-12也是一種含Cu元素的化合物,化學(xué)式為YBa2Cu3O6.95.已知該化合物中各元素的化合價(jià)為:Y為+3價(jià)、Ba為+2價(jià)、O為-2價(jià)、Cu為+2價(jià)和+3價(jià).則該化合物中+2價(jià)Cu和+3價(jià)Cu的原子個(gè)數(shù)之比為
7:3
7:3

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2013?菏澤二模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
硼元素B在化學(xué)中有很重要的地位.硼的化合物在農(nóng)業(yè)、醫(yī)院、玻璃等方面用途很廣.請回答下列問題:
(1)寫出與B元素同主族的Ga元素的基態(tài)原子核外電子分布式
[Ar]3d104s24p 1
[Ar]3d104s24p 1
,從原子結(jié)構(gòu)的角度分析,B、N、O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N>O>B
N>O>B

(2)立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成,屬于超硬材料,同屬原子晶體的氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性的原因是
N原子和B原子的半徑比硅原子小,B-N鍵長比Si-Si短
N原子和B原子的半徑比硅原子小,B-N鍵長比Si-Si短

(3)在BF3分子中中心原子的雜化軌道類型是
sp2
sp2
,SiF4微粒的空間構(gòu)型是
正四面體
正四面體

(4)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)硼化鎂在39K時(shí)呈超導(dǎo)性,在硼化鎂晶體的理想模型中,鎂原子和硼原子是分層排布的,一層鎂一層硼相間排列.如圖所示是該晶體微觀窨中取出的部分原子沿Z軸方向的投影,白球是鎂原子投影,黑球是硼原子投影,圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上.根據(jù)圖示確定硼化鎂的化學(xué)式為
MgB2
MgB2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
(1)在配合物Fe(SCN)2+中,提供空軌道接受孤對電子的微粒是
 
,畫出配合物離子[Cu(NH34]2+中的配位鍵
 

(2)根據(jù)VSEPR模型,H3O+的分子立體結(jié)構(gòu)為
 

BCl3的立體結(jié)構(gòu)為
 

(3)按要求寫出由第二周期元素為中心原子,通過sp3雜化形成中性分子的化學(xué)式(各寫一種)
正四面體分子
 
,三角錐形分子
 
,V形分子
 

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