【題目】前四周期元素XYZ、MN、O、P,原子序數(shù)逐漸增大,其中X、Y、Z、M、N為短周期元素,而X、YZ、M處于同周期的P區(qū),且未成對電子數(shù)之比為1:2:3:2;NZ同族。OP分別位于周期表第2、4列,P的單質被稱為未來金屬,具有質量輕、強度大、耐腐蝕性好的優(yōu)點。

1YZ、M三種元素的電負性由大到小的順序:________(用元素符號表示)。

2M的常見氫化物的氫鍵的鍵能小于HF的氫鍵的鍵能,但Z的常見氫化物常溫下為液態(tài)而HF常溫下為氣態(tài)的原因是:__________。

3XN一種耐磨涂料,可用于金屬表面保護層,該化合物可由X的三溴化物和N的三溴化物于高溫下在氫氣的氛圍中合成。

①寫出合成XN的化學方程式:_________。(各物質用化學式表示)

XN的晶體的晶胞如圖所示:

其中實心球為N,在一個晶胞中N原子空間堆積方式為______,N原子的配位數(shù)為______;該結構中有一個配位鍵,提供空軌道的原子是________(寫元素符號)。

4O和硫形成的某種晶體的晶胞如圖a所示:該晶胞原子的坐標參數(shù)A為(0,00);B為(10,0)。則C原子的坐標參數(shù)為_______

5)圖bP的一種面心立方晶胞結構,若晶胞的邊長為anm,則P的密度為_____g·cm-3(用含aNA的代數(shù)式表示)

【答案】ONC 平均每個H2O分子間的氫鍵數(shù)目比HF分子間的多 BBr3+PBr3+3H2BP+6HBr 面心立方堆積 4 B 1/4,1/41/4

【解析】

前四周期元素X、Y、Z、M、N、OP,原子序數(shù)逐漸增大,其中X、Y、ZM、N為短周期元素,而X、YZ、M處于同周期的p區(qū),且未成對電子數(shù)之比為1:2:3:2;推出XB元素、YC元素、ZN元素、MO元素;NZ同族,則NP元素;則O、P為第四周期,且分別位于周期表第2、4列,P的單質被稱為未來金屬,具有質量輕、強度大、耐腐蝕性好的優(yōu)點,則PTi元素,OCa元素,結合元素的結構及性質進行答題。

由分析可知:XB元素、YC元素、ZN元素、MO元素、NP元素、OCa元素、PTi元素。

1)由分析可知:YC元素、ZN元素、MO元素,同周期元素從左到右電負性逐漸增大,所以元素C、NO的電負性由大到小的順序為ONC,故答案為:ONC

2MO元素,M的常見氫化物為H2O,每個分子能形成兩條氫鍵,而每個HF分子只能形成一個氫鍵,所以雖然H2O氫鍵的鍵能小于HF氫鍵的鍵能,但水常溫下為液態(tài)而HF常溫下為氣態(tài),故答案為:每個H2O平均形成的氫鍵數(shù)目比每個HF平均形成的氫鍵數(shù)目多。

3)①XR的分子式為BP,R的三溴化物PBr3,所以合成XR的化學方程式為:BBr3PBr33H2BP6HBr,故答案為:BBr3+PBr3+3H2BP+6HBr

BP晶體結構中,實心球為P原子,根據(jù)晶胞結構分析,P做面心立方最密堆積;P位于頂點和面心,故1mol晶胞中含有P原子的數(shù)目為+6×=4,B位于晶胞內,故含有B原子的數(shù)目為4個,所以P原子的配位數(shù)為4,沒有孤電子對的原子提供空軌道,B原子沒有孤電子對,所以提供空軌道,P原子提供孤電子對,故答案為:面心立方堆積;4;B

4)根據(jù)各個原子的相對位置可知,C在各個方向的1/4處,所以其坐標為(1/4,1/41/4),故答案為:(1/4,1/4,1/4)。

5)圖bTi的一種面心立方晶胞結構,Ti原子的個數(shù)為:8×+6×=4個,若晶胞的邊長為anm,體積為(a×10-7)3cm3NA表示阿伏伽德羅常數(shù),則晶體Ti的密度為=g·cm-3,故答案為:。

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a.反應速率v(NH3)=v(N2)

b.容器內壓強不再隨時間而發(fā)生變化

c.容器內N2的物質的量分數(shù)不再隨時間而發(fā)生變化

d.容器內n(NO)n(NH3)n(N2)n(H2O)=6456

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②某次實驗中測得容器內NON2的物質的量隨時間變化如圖所示,圖中b點對應的速率關系是v()___v();d點對應的速率關系是v()___v()。(填﹥、﹤或﹦)。

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④反應達平衡時氣體B消耗掉0.05V升。

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(5)已知:乙炔與1,3-丁二烯也能發(fā)生Diels-Alder反應。請以1,3-丁二烯和乙炔為原料,選用必要的無機試劑合成,寫出合成路線______________。(合成路線流程圖示例:H2C=CH2 CH3CH2OH CH3COOC2H5)。

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