Ⅰ．砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長，耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請回答下列問題：
 (1)下列說法正確的是____（填序號）。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能As>Ga
C.電負性As>Ga
D.原子半徑As>Ga
(2)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為_________________；
(3)AsH3空間形狀為_______；已知(CH3)3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ．金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。
(4)請解釋金屬銅能導電的原因___________，Cu2+的核外電子排布式為_________________
(5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu(NH3)4]SO4晶體，晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有___________和____________。
(1)BC
(2)(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4
(3)三角錐；sp2
 (4)銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構(gòu)成，自由電子在外加電場的作用下可發(fā)生定向移動；
[Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9
 (5)離子鍵；配位鍵
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

（2013?青島一模）[化學-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池．完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
 （用元素符號表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
，B與N之間形成
配位
配位
鍵；
（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
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