(2013?青島一模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池.完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
Br>As>Se
Br>As>Se
 (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
,B與N之間形成
配位
配位
鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12
分析:(1)根據(jù)構(gòu)造原理寫(xiě)出基態(tài)銅離子(Cu+)的電子排布式,注意銅原子變成亞銅離子時(shí)先失去最外層電子;
(2)同一周期中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì),但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于其相鄰元素,原子半徑越小,原子核對(duì)外層電子的吸引力越大,且元素軌道中的電子處于半滿、全滿或全空時(shí),原子最穩(wěn)定;
(3)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定其雜化方式,提供空軌道的原子和提供孤電子對(duì)的原子之間形成配位鍵;
(4)每個(gè)碳原子連接4個(gè)硅原子,每個(gè)硅原子又連接其它3個(gè)碳原子,據(jù)此判斷每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目.
解答:解:(1)銅是29號(hào)元素,銅原子失去一個(gè)電子變成亞銅離子,所以亞銅離子核外有28個(gè)電子,基態(tài)銅離子(Cu+)的電子排布式為:[Ar]3d10,故答案為:[Ar]3d10;
(2)As、Se、Br屬于同一周期且原子序數(shù)逐漸增大,這三種元素依次屬于第IVA族、第VA族、第VIA族,第VA族元素大于其相鄰元素的第一電離能,所以3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)锽r>As>Se; As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大,
故答案為:Br>As>Se; As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大;
(3)BF3?NH3中B原子含有3個(gè)σ 鍵一個(gè)配位鍵,所以其價(jià)層電子數(shù)是4,B原子采取sp3雜化,該化合物中,B原子提供空軌道的原子、N原子提供孤電子對(duì),所以B、N原子之間形成配位鍵,故答案為:sp3;配位鍵;
(4)每個(gè)碳原子連接4個(gè)硅原子,每個(gè)硅原子又連接其它3個(gè)碳原子,所以每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為3×4=12,故答案為:12.
點(diǎn)評(píng):本題涉及核外電子排布、第一電離能大小的比較、雜化方式的判斷等知識(shí)點(diǎn),難點(diǎn)是配位數(shù)的判斷,會(huì)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合豐富想象力進(jìn)行分析解答,難度較大.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?青島一模)下列敘述正確的是( 。

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?青島一模)元素的原子結(jié)構(gòu)決定其性質(zhì)和在周期表中的位置,下列說(shuō)法正確的是( 。

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?青島一模)下列與有機(jī)物的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)有關(guān)的敘述不正確的是(  )

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?青島一模)下列藥品和裝置合理且能完成相應(yīng)實(shí)驗(yàn)的是( 。

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?青島一模)下列敘述正確的是( 。

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案