Question

【題目】(1)元素的第一電離能：N________O(填“>”或“<”)。

(2)基態(tài)Fe2＋的電子排布式為___________________________。

(3)在N、Mg、Al、Si四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：

電離能	I1	I2	I3	I4	…
In/kJ·mol－1	578	1 817	2 745	11 575	…

則該元素的元素符號(hào)是________。

(4)NO的空間構(gòu)型_____________________(用文字描述)，SO中硫原子的雜化方式為________________________。

(5)硅烷(SinH2n＋2)的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是_______________________。

(6)金屬銅原子的堆積方式為面心立方最密堆積，銅的原子半徑為r nm，則銅晶胞的體積表達(dá)式為________ cm3。

Answer 1

【答案】(1)> (2)1s22s22p63s23p63d6

(3)Al (4)平面三角形 sp3雜化

(5)硅烷是分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高

(6)1.6 ×10－20r3

【解析】(1)同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，由于第ⅡA族元素和第Ⅴ A族元素最外層電子處于穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以它們的第一電離能大于同周期其他相鄰元素，所以N的第一電離能大于O。(2)鐵為26號(hào)元素，根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知基態(tài)Fe2＋的電子排布式為1s22s22p63s23p63d6。(3)根據(jù)同一電子層上電子的電離能相近，比較表中電離能的數(shù)據(jù)可知，I1、I2、I3的數(shù)據(jù)與I4的數(shù)據(jù)差別較大，所以該原子應(yīng)該有3個(gè)電子在同一層，所以該元素為Al。(4)根據(jù)NO的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為＝3，所以氮原子雜化方式為sp2雜化，離子中沒有孤電子對(duì)，所以其空間構(gòu)型為平面三角形，SO中硫原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為＝4，所以硫原子的雜化方式為sp3雜化。(5)硅烷是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間的范德華力越大，沸點(diǎn)越高。(6)金屬銅原子的堆積方式為面心立方最密堆積，即銅原子位于晶胞立方體的頂點(diǎn)和面心上，所以晶胞的面對(duì)角線等于銅原子半徑的4倍，所以晶胞的邊長(zhǎng)應(yīng)為面對(duì)角線的，銅的原子半徑為r nm，所以銅晶胞的體積為(×4r nm)3＝1.6×10－20r3 cm3。