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金剛石晶體中，相鄰C原子之間以____________鍵結合，每個C原子連接著__________個C原子，它們形成的空間幾何構型是____________，最小C原子環(huán)上有__________個C原子，這些C原子____________(“共處”或“不共處”)同一平面。

解析：金剛石晶體中，相鄰C原子間以共價鍵結合，每個C原子連接4個C原子，形成正四面體結構，1個C原子位于正四面體的中心，4個C原子位于正四面體的頂點上；C原子彼此連接成環(huán)狀，最小的C原子環(huán)上有6個C原子，這6個C原子不在同一平面上。

答案：共價  4  正四面體  6  不共處

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

（2013?青島一模）[化學-物質結構與性質]
太陽能電池的發(fā)展已經進入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池．完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
 （用元素符號表示），用原子結構觀點加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價電子數少于價層軌道數），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
，B與N之間形成
配位
配位
鍵；
（4）單晶硅的結構與金剛石結構相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結構；在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數目為
12
12
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2013?樂山三模）太陽能電池的發(fā)展已經進入了第三代．第一代為單晶硅太陽能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGS（CIS中摻入Ga）等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池．
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時的價電子排布式表示為
3d10
3d10
．
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則這3種元素的第一電離能從大到小的順序為
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
（用元素符號表示）．
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H3BO3）在水溶液中能與水反應生成[B（OH）4]-而體現一元弱酸的性質．
①[B（OH）4]-中B的原子雜化類型為
sp3
sp3
．
②不考慮空間構型，[B（OH）4]-的結構可用示意圖表示為
．
（4）單晶硅的結構與金剛石結構相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結構；若在晶體硅所有Si-Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體．
①在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數目為
12
12
．
②判斷a．SiO2，b．干冰，c．冰三種晶體的熔點從小到大的順序是
b＜c＜a
b＜c＜a
（填序號）．

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年江蘇省泰州市高三上學期期末考試化學試卷（解析版） 題型：填空題

太陽能電池的發(fā)展已經進入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGS（CIS中摻入Ga）等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時的價電子排布式表示為                   。

（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為             （用元素符號表示）。

（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H3BO3）在水溶液中能與水反應生成[B(OH)4]－而體現一元弱酸的性質。

①[B(OH)4]－中B的原子雜化類型為                      ；

②不考慮空間構型，[B(OH)4]－的結構可用示意圖表示為                     。

（4）單晶硅的結構與金剛石結構相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得右圖所示的金剛砂（SiC）結構；若在晶體硅所有Si—Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體。

①在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數目為                    ；

②判斷a. SiO2，b.干冰，c.冰3種晶體的熔點從小到大的順序是         （填序號）。

 

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年山東省青島市高三第一次模擬考試理綜化學試卷（解析版） 題型：填空題

太陽能電池的發(fā)展已經進入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空：

（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時的電子排布式為                         ；

（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為          （用元素符號表示），用原子結構觀點加以解釋               ；

（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價電子數少于價層軌道數），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類型為     ，B與N之間形成      鍵；

（4）單晶硅的結構與金剛石結構相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結構；在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數目為         。

 

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